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1. 发明申请

WO2006133695A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER DOTIERTEN OBERFLÄCHENSCHICHT AN RÜCKSEITEN VON KRISTALLINEN SILIZIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法去除掺杂表层BACK晶体硅太阳能硅片
公开(公告)号：WO2006133695A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/DE2006/001058
申请日：2006-06-14
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
发明人： HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3065 , H01L27/142 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern. Gemäss der gestellten Aufgabe sollen dotierte Oberflächenschichten von Rückseiten solcher Solarwafer kostengünstig und bei substratschonender Handhabung entfernt werden können. Ausserdem soll die Frontseite nicht verändert werden. Erfindungsgemäss wird im Bereich des Atmosphärendruckes mit einem Plasma ein Ätzgas auf die rückseitige Oberfläche von Slizium-Solarwafern gerichtet.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于除去在晶体硅太阳能晶片的背面的一掺杂的表面层。根据对象集合是可以以低成本和衬底温和处理去除这样的太阳能晶片的背面表面的掺杂表面层。此外，前不应改变。根据本发明涉及在用等离子蚀刻气体，Slizium太阳能晶片的背面大气压的面积。

2. 发明申请

WO2008043827A2 VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG VON SOLARZELLEN 审中-公开
标题翻译：钝化太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2008043827A2
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/EP2007/060862
申请日：2007-10-12
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HAUSER, Alexander , WANKA, Harald , PERNAU, Thomas , HARTUNG, Robert, Michael
发明人： HAUSER, Alexander , WANKA, Harald , PERNAU, Thomas , HARTUNG, Robert, Michael
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Solarzellen auf Siliziumbasis und betrifft insbesondere ein Verfahren zur Passivierung von kristallinen Silizium-Solarzellen, bei dem kristallines Silizium in einer geeigneten Einrichtung zunächst mit Phosphor zur Erzeugung einer Diode unter Temperatureinwirkung durch einen Dif fusionsprozess dotiert wird und anschließend eine Passivierung und Entspiegelung der Oberfläche des Siliziums durch Abscheiden von Siliziumnitrid in einem Plasmaverfahren vorgenommen wird. Mit der Erfindung soll ein Verfahren zur Passivierung von Solarzellen geschaffen werden, mit dem der Wirkungsgrad von Solar- zellen mit möglichst geringem Aufwand deutlich verbessert wird. Erreicht wird das dadurch, dass die im oberflächennahen Bereich des Silizium-Rohlings vorhandene „Dead Layer" mit hoher Phosphorkonzentration unmittelbar vor der Abscheidung des Siliziumnitrids durch Trockenätzen in einem Ätz-plasma entfernt wird.
摘要翻译：
本发明涉及制备基于硅的太阳能电池，并且更具体地涉及一种方法，用于晶体硅太阳能电池的钝化，其中在合适的装置最初承受蜡纸用磷的结晶硅，以产生下一个二极管通过Dif熔合工艺掺杂温度作用，然后通过在等离子体工艺中沉积氮化硅来执行硅表面的钝化和抗反射。本发明旨在提供一种用于太阳能电池钝化的工艺，利用该工艺太阳能电池的效率以最小的可能花费显着提高。这是通过这样的事实实现的，即在硅坯表面附近的表面中存在的“死层”具有约10μm的厚度。通过在etaz等离子体中进行干法蚀刻，在即将沉积氮化硅之前具有高的磷浓度

3. 发明申请

WO2007090900A1 VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON DÜNNEN SCHEIBENFÖRMIGEN OBJEKTEN IM DURCHLAUFVERFAHREN IN EINEM VERTIKALREAKTOR 审中-公开
标题翻译： DEVICE薄圆盘状物体连续过程的在立式反应器处理
公开(公告)号：WO2007090900A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/EP2007/051340
申请日：2007-02-12
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MOELLER, Rainer , VOELK, Hans-Peter , WANKA, Harald
发明人： MOELLER, Rainer , VOELK, Hans-Peter , WANKA, Harald
IPC分类号： F27B9/14 , F27B9/30 , H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/67115
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von Wafern (1) im Durchlauf verfahren in einem Vertikalreaktor (2) der mit einer Einrichtung zum Be- und Entladen der Wafer (1) gekoppelt ist. Mit der Vorrichtung soll ein schonender Durchlauf der Wafer (1) durch den Vertikalreaktor (2) gewährleistet werden. Erreicht wird das dadurch, dass in dem Vertikalreaktor (2) zwei fest stehende Waferträger (3, 4) zur liegenden Aufnahme einer Vielzahl von Wafern (1) derart in einem vorgegebenen Abstand nebeneinander angeordnet sind, dass eine zwischen den Waferträgern (3, 4) befindliche Hub- und Schwenkeinheit (5) zur vorübergehenden liegenden Aufnahme von Wafern (1) frei drehbar und teilweise durch die Position der Waferträger (3, 4), diese durchdringend, bewegbar ist und innerhalb des Vertikalreaktors (2) in eine freie Position (6) hinter und eine Übergabeposition (7) vor den Waferträgern (3, 4) positionierbar ist und in der Übergabeposition (7) mit der außerhalb des Vertikalreaktors (2) befindlichen externen Be- und Entladeeinheit (8) für einzelne Wafer (1) in Wirkverbindung steht und wobei die Anzahl der Aufnahmepositionen für die Wafer (1) in der Hub- und Schwenkeinheit (5) mindestens um eins größer ist, als in den Waferträgern (3, 4).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在连续过程中处理的晶片（1）在立式反应器（2）的装置与用于装载的装置和卸载（1）耦合在晶片。与该装置的晶片（1）由所述竖直反应器（2）的温和通道被确保。这是，在所述竖直反应器（2）的两个固定的晶片载体（3,4）被布置为位于（1）在由侧的规定距离侧接收多个晶片的实现的，即晶片载体之间（3，4）升降位于与枢转单元（5），用于暂时位于接收晶片（1）可自由旋转，并部分地由所述晶片载体的位置（3,4），这是很普遍的，可移动的自由位置（竖直反应器（2）6内）的后面并在所述晶片载体的前面（3的转印位置（7），4）被定位和（与转印位置7）（位于竖直反应器2）外部装载和卸载单元的外部（8），用于在可操作地连接各个晶片（1）是并且其中用于所述晶片的记录位置的数目（1）在所述提升和枢转单元（5）至少比在晶片载体大1（3，4）。

4. 发明申请

WO2006131251A1 DOTIERGEMISCH FÜR DIE DOTIERUNG VON HALBLEITERN 审中-公开
标题翻译：掺杂用于掺杂半导体学报
公开(公告)号：WO2006131251A1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/EP2006/005195
申请日：2006-05-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , BIRO, Daniel , VOYER, Catherine , WANKA, Harald , KORIATH, Jörg
发明人： BIRO, Daniel , VOYER, Catherine , WANKA, Harald , KORIATH, Jörg
IPC分类号： C30B31/04 , H01L21/225 , H01L29/167
CPC分类号： H01L21/2225 , C30B31/04 , H01L21/228 , H01L29/167
摘要： Die Erfindung betrifft ein Dotiergemisch für die Beschichtung von Halbleitersubstraten, die anschließend einer Hochtemperaturbehandlung zur Bildung einer dotierten Schicht zugeführt werden. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Dotiergemisches sowie dessen Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆半导体衬底然后将其馈送到高温处理，以形成一个掺杂层的掺杂混合物。本发明还涉及一种用于制造这样的掺杂混合物及其使用的方法。

5. 发明公开

EP1888822A1 DOTIERGEMISCH FÜR DIE DOTIERUNG VON HALBLEITERN 审中-公开
标题翻译：掺杂用于掺杂半导体学报
公开(公告)号：EP1888822A1
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：EP06754014.6
申请日：2006-05-31
申请人： centrotherm photovoltaics AG , Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： BIRO, Daniel , VOYER, Catherine , WANKA, Harald , KORIATH, Jörg
IPC分类号： C30B31/04 , H01L21/225 , H01L29/167
CPC分类号： H01L21/2225 , C30B31/04 , H01L21/228 , H01L29/167
摘要： The invention relates to a doping mixture for coating semiconductor substrates which are then subjected to a high-temperature treatment to form a doped layer. The invention further relates to a method for producing such a doping mixture and the use thereof.

6. 发明公开

EP1891683A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER DOTIERTEN OBERFLÄCHENSCHICHT AN RÜCKSEITEN VON KRISTALLINEN SILIZIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法去除掺杂表层BACK晶体硅太阳能硅片
公开(公告)号：EP1891683A1
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：EP06761679.7
申请日：2006-06-14
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. , Centrotherm Photovoltaics AG
发明人： HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3065 , H01L27/142 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for the single-sided removal of a doped surface layer on the back faces of crystalline silicon solar wafers. The aim of the invention is the economical removal of doped surface layers from the back faces of said solar wafers with a manipulation that does not damage the substrate. According to the invention, an etching gas is directed onto the back surface of the silicon solar wafers with a plasma at around atmospheric pressure.

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