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1. 发明申请

WO2006133695A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER DOTIERTEN OBERFLÄCHENSCHICHT AN RÜCKSEITEN VON KRISTALLINEN SILIZIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法去除掺杂表层BACK晶体硅太阳能硅片
公开(公告)号：WO2006133695A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/DE2006/001058
申请日：2006-06-14
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
发明人： HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3065 , H01L27/142 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern. Gemäss der gestellten Aufgabe sollen dotierte Oberflächenschichten von Rückseiten solcher Solarwafer kostengünstig und bei substratschonender Handhabung entfernt werden können. Ausserdem soll die Frontseite nicht verändert werden. Erfindungsgemäss wird im Bereich des Atmosphärendruckes mit einem Plasma ein Ätzgas auf die rückseitige Oberfläche von Slizium-Solarwafern gerichtet.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于除去在晶体硅太阳能晶片的背面的一掺杂的表面层。根据对象集合是可以以低成本和衬底温和处理去除这样的太阳能晶片的背面表面的掺杂表面层。此外，前不应改变。根据本发明涉及在用等离子蚀刻气体，Slizium太阳能晶片的背面大气压的面积。

2. 发明申请

WO2008025354A2 VERFAHREN ZUM SELEKTIVEN PLASMACHEMISCHEN TROCKENÄTZEN VON AUF OBERFLÄCHEN VON SILICIUM-WAFERN AUSGEBILDETEM PHOSPHORSILIKATGLAS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR SELECTIVE等离子体增强化学干蚀刻在硅晶片上受过训练的PSG表面
公开(公告)号：WO2008025354A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001581
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , LOPEZ, Elena , MÖLLER, Rainer , HEINTZE, Moritz
发明人： HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , LOPEZ, Elena , MÖLLER, Rainer , HEINTZE, Moritz
IPC分类号： H01L21/311 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/31116
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven plasmachemischen Trockenätzen von auf Oberflächen von Silicium-Wafern ausgebildetem Phosphorsilikatglas ((SiO 2 ) x P 2 O 5 ) y ). Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, eine kostengünstige, effektive, selektive und Herstellungsverluste zumindest reduzierende Möglichkeit zu schaffen, mit der Phosphorsilikatglas von Silicium-Wafern entfernt werden kann. Bei der Erfindung wird so vorgegangen, dass kristalline Silicium-Wafer, deren Oberfläche mit Phosphorsilikatglas versehen ist, selektiv plasmachemisch geätzt werden. Dabei werden ein mit einer Plasmaquelle gebildetes Plasma und ein Ätzgas bei Atmosphärendruck auf das Phosphorsilikatglas gerichtet, das so entfernt werden kann.
摘要翻译：
本发明涉及用于选择性等离子体化学干＆AUML帽子的方法由受过训练的磷硅酸盐玻璃的硅晶片的表面BEAR表面（（SIO <子> 2 ）<子> X P <子> 2 0 <子> 5 ）<子>ý）。发明内容本发明的一个目的是提供一种成本导航用途来创建可能性可以用硅晶片的磷硅酸盐玻璃被去除; - 有效，高效，选择性的和生产损失至少减少M＆ouml。在本发明中，该过程是这样的，晶体硅晶片，其表面BEAR表面设置有磷硅酸盐玻璃，选择性等离子体化学GE BEAR来估计。在大气压＆AUML tzgas ;;在这种情况下是具有等离子体源等离子体和＆AUML形成的盐定向雷德颠簸的是可除去，从而的磷硅酸盐玻璃。

3. 发明申请

WO2008025353A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SILICIUMNITRIDSCHICHTEN AUF OBERFLÄCHEN VON KRISTALLINEN SILICIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR FORMING THIN氮化硅晶体硅太阳能晶片的表面上
公开(公告)号：WO2008025353A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001580
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/482 , C23C16/545
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung dünner Siliciumnitridschichten auf Oberflächen von kristallinen Silicium-Solarwafern. Es ist Aufgabe der Erfindung Möglichkeiten zur Verfügung zu stellen, mit denen dünne Siliciumnitridschichten auf Oberflächen von kristallinen Silicium-Solarwafern hergestellt werden können, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewünschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Silicium-Solarwaferoberfläche eine Zuführung für mindestens einen gasförmigen Silicium enthaltenden Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beiträgt. Außerdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekülen des/der Precursor (en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasmas auf die Silicium-Solarwaferoberfläche und die zur Schichtausbildung führenden Precursoren auftritt und ausschließlich die emittierte elektromagnetische Strahlung wirkt.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于形成结晶硅太阳能晶片的表面上的薄的氮化硅膜的方法。发明内容本发明提供可用与上表面薄的氮化硅膜可以由晶体硅太阳能晶片，其具有特定的层材料形成具有所需性质的选择的对象。本发明的装置被设计成使得对于至少一个气态的区域以上的反应室含硅待涂覆硅太阳能晶片表面前体的进料存在时，这有助于膜的形成。此外，电磁辐射发射源，这是一种等离子体源被布置成使得所述发射的电磁辐射是的原子和/或分子的光解活化/前体（S）。等离子体源应如此布置，并且要被操作使得等离子体入射到硅太阳能晶片表面上，并导致膜形成前体和只发射的电磁辐射的作用没有直接的影响。

4. 发明申请

WO2005093125A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SCHICHTEN AUS SILIZIUMNITRID AUF SUBSTRATOBERFLÄCHEN 审中-公开
标题翻译： METHOD AND APPARATUS FOR在基板表面上形成的氮化硅薄层
公开(公告)号：WO2005093125A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/DE2005/000549
申请日：2005-03-22
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ROGLER, Daniela , HOPFE, Volkmar , MÄDER, Gerrit
发明人： ROGLER, Daniela , HOPFE, Volkmar , MÄDER, Gerrit
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45519 , C23C16/45595
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung dünner Schichten aus Siliziumnitrid auf Substratoberflächen (3), wobei die Schichtausbildung aus der Gasphase bei dem jeweiligen Atmosphärendruck entsprechenden Bedingungen erfolgen soll. Erfindungsgemäss wird dabei einer Plasmaquelle (82) zur Plasmabildung ein aus einem atomaren und einem molekularen Gas gebildetes Gasgemisch zugeführt. Letztlich in das gebildete und auf die jeweilige zu beschichtende Oberfläche strömende Plasma eine Precursormischung, die Ammoniak, Stickstoff und/oder Argon enthält sowie ein elementorganisches Silan zugeführt werden. Das jeweilige elemDie Erfindung betrifft ein Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung dünner Schchten aus Siliziumnitrid auf Substratoberflächen, wobei die Schichtausbildung aus der Gasphase bei dem jeweiligen Atmosphärendruck entsprechenden Bedingungen erfolgen soll. Gemäss der gestellten Aufgabe sollen solche Schichten verbesserte optische, mechanische Eigenschaften und eine relativ hohe Reinheit des die Schicht bildenden Siliziumnitrides aufweisen und ausserdem eine erhöhte Abscheiderate erreicht werden können. Erfindungsgemäss wird dabei einer Plasmaquelle zur Pla abildung ein aus einem atomaren molekularen Gas gebildetes Gasgemisch zugeführt. Letztlich in das gebildete und auf die jeweilige zu beschichtende Oberfläche strömende Plasma eine Precursormischung, die Ammoniak, Stickstoff und/oder Argon enthält sowie ein elementorganisches Silan zugeführt werden. Das jeweilige elementorganiscIpe Silan kann aber auch unmittelbar in die Plasmaquelle als weiterer Precursor zugegeben werden. Dabei soll der Volumenstrom für zugeführtes Ammoniak mindestens 200-fach grösser, als der Volumenstrom für zugeführtes elementorganisches Silan sein und es soll auch eine Relativbewegung einer Vorrichtung mit der dis Plasma gebildet wird und der zu beschichtenden Substratoberfläche durchgeführt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成氮化物在基板表面（3）的硅，其中，从所述气相中的膜形成来进行适当的条件与相应的大气压的薄层的方法和装置。根据本发明，而用于形成等离子体的等离子体源（82）从一个原子和分子的气体形成的气体混合物中供应的。最终，在形成并流到各自的表面要涂覆含含有元素氨，氮和/或氩气的等离子前体混合物，以及有机硅烷被馈送。相应elemDie发明涉及一种用于形成氮化物衬底表面上的硅，其中，从所述气相中的膜形成来进行适当的条件与相应的大气压力的薄Schchten的方法和装置。根据所陈述的问题应具有这样的层改善的光学性能，机械性能和形成氮化硅层的相对高的纯度，并且还可以达到增加的沉积速率。根据本发明，同时等离子源用于播例证从供给的原子分子的气体的气体混合物形成的聚合物。最终，在形成并流到各自的表面要涂覆含含有元素氨，氮和/或氩气的等离子前体混合物，以及有机硅烷被馈送。但各个elementorganiscIpe硅烷也可以直接加入到等离子体源作为进一步前体。用于供给的氨的体积流量应该比体积流速供给元素的有机硅烷是大至少200倍，并且还执行将被涂覆有DIS形成等离子体和衬底表面的装置的相对运动。

5. 发明申请

WO2005119213A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR OPTISCHEN DETEKTION VON IN ABGASEN CHEMISCHER PROZESSE ENTHALTENEN STOFFEN 审中-公开
标题翻译：用于化学过程中气体的光学检测装置及方法含有化学物质
公开(公告)号：WO2005119213A1
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：PCT/DE2005/000985
申请日：2005-05-27
申请人： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FOSCHUNG E.V. , DANI, Ines , GRÄHLERT, Wulf , HOPFE, Volkmar , MÄDER, Gerrit
发明人： DANI, Ines , GRÄHLERT, Wulf , HOPFE, Volkmar , MÄDER, Gerrit
IPC分类号： G01N21/35
CPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/15 , G01N21/59 , G01N21/85
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur optischen Detektion von in Abgasen chemischer Prozesse enthaltenen Stoffen. Sie kann insbesondere bei Abgasströmen aus Reaktions- oder Vakuumkammern geführten Gasströmen zeitnah zum jeweiligen Prozess eingesetzt werden. Dabei können in den jeweiligen Gasströmen unterschiedliche Stoffe auch in Partikelform enthalten sein. Gemäss der gestellten Aufgabe soll eine entsprechende Detektion über grosse Zeiträume betriebssicher durchgeführt werden können und dabei eine ausreichend genaue Erfassung von Stoffen in einem solchen Gasstrom ermöglicht sein. Die erfindungsgemässe Vorrichtung ist daher so ausgebildet, dass Abgase durch ein eine optische Messstrecke bildendes Kanalelement hindurchgeführt werden. Am Kanalelement sind zwei gegenüber der Umgebung verschlossene Flansche vorhanden, an denen wiederum jeweils mindestens ein Fensterelement, durch die elektromagnetische Strahlung zur optischen Detektion von einer Strahlungsquelle zu einem optischen Detektor durch das Kanalelement gerichtet werden kann. Durch die Flansche wird ausserdem ein Spülgas in das Kanalelement eingeführt, wobei mit einem in einen der Flansche eingeführten Spülgas im Bodenbereich des Inneren des Kanalelementes eine geschlossene laminare Spülgasströmung ausgebildet werden soll.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于在的化学过程的材料的废气的光学检测方法。它可以在反应或真空室废气流被用于运行气流中及时尤其是每个过程。不同的材料也可存在在气流中的颗粒的形式。根据所设定的任务是在可靠的长时间来执行相应的检测和在那里允许的物质的足够精确的检测这样的气体流。因此形成本发明的装置使得废气通过通道形成元件的光学测量路径通过。在从设置关闭凸缘环境两个信道单元，向其中依次在每个具有至少一个窗口元件可以通过由信道元件的辐射源的光学检测的光学检测器的电磁辐射被引导。由凸缘也吹扫气体被引入到通道构件，其特征在于，封闭层净化气流是与插入所述凸缘中的一个的密钥来形成在沟道元件的内部的底部区域吹扫气体。

6. 发明申请

WO2009124542A3 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ZÜNDEN EINES LICHTBOGENS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009124542A3
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/DE2009/000498
申请日：2009-04-07
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , GRABAU, Patrick , ROCH, Julius , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
发明人： GRABAU, Patrick , ROCH, Julius , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
IPC分类号： H05H1/24
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Zünden eines Lichtbogens zwischen einer Anode und in einem Abstand dazu angeordneten Kathode einer für eine Substratoberflächenmodifizierung einsetzbaren Plasmaquelle bei Umgebungsatmosphärenbedingungen. Aufgabe der Erfindung ist es, den Aufwand für die Zündung eines Lichtbogens einer Plasmaquelle zu reduzieren und den Zündprozess sicherer zu machen. Bei der Erfindung wird so vorgegangen, dass mittels zweier parallel zur Längsachse zwischen Anode und Kathode angeordneten Elektroden, die an einen Hochspannungsgenerator angeschlossen und bei der Zündung mit einer hochfrequenten elektrischen Wechselspannung beaufschlagt sind, eine Barriere-Entladung mit einem zugeführten Gas gezündet wird. Dadurch kann dann bei an die Anode und die Kathode angelegter elektrischer Gleichspannung mittels der durch die Barriere- Entladung zwischen Anode und Kathode vorhandenen Ladungsträger ein Lichtbogen gezündet werden.

7. 发明申请

WO2008025352A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SCHICHTEN AUF SUBSTRATOBERFLÄCHEN 审中-公开
标题翻译：在衬底表面上形成薄层的装置和方法
公开(公告)号：WO2008025352A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001579
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/45519 , C23C16/45595 , C23C16/48 , C23C16/545
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung dünner Schichten auf Substratoberflächen. Es ist Aufgabe der Erfindung Möglichkeiten zur Verfügung zu stellen, mit denen dünne Schichten auf Substratoberflächen hergestellt werden können, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewünschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Substratoberfläche eine Zuführung für mindestens einen gasförmigen Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beiträgt. Außerdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekülen des/der Precursor (en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasma auf die Substratoberfläche und die zur Schichtausbildung führenden Precursoren auftritt.
摘要翻译：本发明涉及在衬底表面上形成薄膜的装置和方法。本发明的一个目的是提供一种方法，其中可以在具有具有所需特性的特定分层结构的基板表面上制造薄层。本发明BEAR ROAD装置被设计为使得在上方的反应室部分待涂覆Substratoberfl＆AUML;枝一个Zuf导航用途货币˚F导航用途ř至少一种气态＆OUML形的前体存在时，层形成的帖子＆AUML; GT。另外，发射作为等离子体源的电磁辐射的源被布置为使得发射的电磁辐射光激活前体的原子和/或分子。等离子体源应该以这种方式排列，并且也应该以这样的方式运行，即等离子体不会直接影响衬底表面和导致层形成的前体。

8. 发明公开

EP1891683A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER DOTIERTEN OBERFLÄCHENSCHICHT AN RÜCKSEITEN VON KRISTALLINEN SILIZIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法去除掺杂表层BACK晶体硅太阳能硅片
公开(公告)号：EP1891683A1
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：EP06761679.7
申请日：2006-06-14
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. , Centrotherm Photovoltaics AG
发明人： HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3065 , H01L27/142 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for the single-sided removal of a doped surface layer on the back faces of crystalline silicon solar wafers. The aim of the invention is the economical removal of doped surface layers from the back faces of said solar wafers with a manipulation that does not damage the substrate. According to the invention, an etching gas is directed onto the back surface of the silicon solar wafers with a plasma at around atmospheric pressure.

9. 发明申请

WO2008145115A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER PERMEATIONSRATE MINDESTENS EINES PERMEATEN DURCH EIN EINE DIFFUSIONSSPERRE BILDENDES ELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于确定至少一种渗透速率的装置和方法渗透通过扩散屏障，形成元素
公开(公告)号：WO2008145115A2
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/DE2008/000904
申请日：2008-05-23
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BEESE, Harald , GRÄHLERT, Wulf , HOPFE, Volkmar
发明人： BEESE, Harald , GRÄHLERT, Wulf , HOPFE, Volkmar
IPC分类号： G01N15/08 , G01N21/05 , G01N21/35
CPC分类号： G01N21/3504 , G01N15/082 , G01N21/031 , G01N21/05 , G01N2021/399
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung der Permeationsrate mindestens eines Permeaten, durch ein eine Permeationssperre bildendes Element. Aufgabe der Erfindung ist es, Möglichkeiten zu schaffen, mit denen sehr kleine Permeationsraten mit ausreichender Messempfindlichkeit, Messgenauigkeit und mit vertretbarem Zeitaufwand bestimmt werden können. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung bildet das eine Permeationsrate bildende Element (1) zumindest bereichsweise eine Trennwand zwischen einer Permeatkammer und einer Detektionskammer oder einem Anschluss an eine Detektionskammer. Dabei wird der Permeatkammer (2.1) ein mindestens einen Permeaten enthaltendes Gas oder eine solche Flüssigkeit oder gasförmiges Permeat zugeführt oder ist darin enthalten. Durch die Detektionskammer wird Strahlung mindestens einer Laserlichtquelle, mit einer Wellenlänge, die einer Absorptionswellenlänge des jeweiligen Permeaten entspricht, als Laserstrahl auf mindestens einen optischen Detektor, zur Bestimmung der Permeationsrate bei einer Absorptionswellenlänge des Permeaten, gerichtet.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和方法，用于通过一个渗透势垒形成元件确定至少一个渗透物的渗透速率。本发明的目的是创造机会，允许有足够的灵敏度，准确度和以合理的成本可被确定极少渗透。在该区域中至少形成一个渗透形成元件（1），将滤液室和检测腔室或检测室的连接之间的分隔壁的本发明的装置。在这种情况下，渗透室（2.1）被馈送到含气体的至少一个渗透物或这样的液态或气态渗透物或包含在其中。通过检测辐射室至少一个激光光源，作为至少一个光检测器上的激光束，用于确定针对对应于各个渗透物的吸收波长的波长下的渗透物的吸收波长的渗透速率。

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