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1. 发明申请

WO2008025354A2 VERFAHREN ZUM SELEKTIVEN PLASMACHEMISCHEN TROCKENÄTZEN VON AUF OBERFLÄCHEN VON SILICIUM-WAFERN AUSGEBILDETEM PHOSPHORSILIKATGLAS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR SELECTIVE等离子体增强化学干蚀刻在硅晶片上受过训练的PSG表面
公开(公告)号：WO2008025354A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001581
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , LOPEZ, Elena , MÖLLER, Rainer , HEINTZE, Moritz
发明人： HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , LOPEZ, Elena , MÖLLER, Rainer , HEINTZE, Moritz
IPC分类号： H01L21/311 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/31116
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven plasmachemischen Trockenätzen von auf Oberflächen von Silicium-Wafern ausgebildetem Phosphorsilikatglas ((SiO 2 ) x P 2 O 5 ) y ). Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, eine kostengünstige, effektive, selektive und Herstellungsverluste zumindest reduzierende Möglichkeit zu schaffen, mit der Phosphorsilikatglas von Silicium-Wafern entfernt werden kann. Bei der Erfindung wird so vorgegangen, dass kristalline Silicium-Wafer, deren Oberfläche mit Phosphorsilikatglas versehen ist, selektiv plasmachemisch geätzt werden. Dabei werden ein mit einer Plasmaquelle gebildetes Plasma und ein Ätzgas bei Atmosphärendruck auf das Phosphorsilikatglas gerichtet, das so entfernt werden kann.
摘要翻译：
本发明涉及用于选择性等离子体化学干＆AUML帽子的方法由受过训练的磷硅酸盐玻璃的硅晶片的表面BEAR表面（（SIO <子> 2 ）<子> X P <子> 2 0 <子> 5 ）<子>ý）。发明内容本发明的一个目的是提供一种成本导航用途来创建可能性可以用硅晶片的磷硅酸盐玻璃被去除; - 有效，高效，选择性的和生产损失至少减少M＆ouml。在本发明中，该过程是这样的，晶体硅晶片，其表面BEAR表面设置有磷硅酸盐玻璃，选择性等离子体化学GE BEAR来估计。在大气压＆AUML tzgas ;;在这种情况下是具有等离子体源等离子体和＆AUML形成的盐定向雷德颠簸的是可除去，从而的磷硅酸盐玻璃。

2. 发明申请

WO2006133695A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER DOTIERTEN OBERFLÄCHENSCHICHT AN RÜCKSEITEN VON KRISTALLINEN SILIZIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法去除掺杂表层BACK晶体硅太阳能硅片
公开(公告)号：WO2006133695A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/DE2006/001058
申请日：2006-06-14
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
发明人： HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3065 , H01L27/142 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern. Gemäss der gestellten Aufgabe sollen dotierte Oberflächenschichten von Rückseiten solcher Solarwafer kostengünstig und bei substratschonender Handhabung entfernt werden können. Ausserdem soll die Frontseite nicht verändert werden. Erfindungsgemäss wird im Bereich des Atmosphärendruckes mit einem Plasma ein Ätzgas auf die rückseitige Oberfläche von Slizium-Solarwafern gerichtet.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于除去在晶体硅太阳能晶片的背面的一掺杂的表面层。根据对象集合是可以以低成本和衬底温和处理去除这样的太阳能晶片的背面表面的掺杂表面层。此外，前不应改变。根据本发明涉及在用等离子蚀刻气体，Slizium太阳能晶片的背面大气压的面积。

3. 发明申请

WO2010149910A2 CAPTEUR DE POSITION ANGULAIRE 审中-公开
标题翻译：角位置传感器
公开(公告)号：WO2010149910A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/FR2010/051237
申请日：2010-06-18
申请人： ELECTRICFIL AUTOMOTIVE , MÖLLER, Rainer
发明人： MÖLLER, Rainer
IPC分类号： G01D5/22 , G01D5/20
CPC分类号： G01D5/2258
摘要： La présente invention concerne un capteur de position angulaire du type comportant au moins une première piste électrique (1), au moins une seconde piste électrique (2) et au moins une cible magnétique mobile (3) en regard de la première piste électrique (1) et de la seconde piste électrique (2) et solidaire d'un objet tournant. La piste électrique (1) comporte un premier bobinage (11) formé de spires centrées par rapport à l'axe de rotation (O) de l'objet tournant et de la cible (3) et la piste électrique (2) comporte un second bobinage (21) formé de spires dont le centre est décalé d'une distance dl par rapport au centre (O) des spires du premier bobinage, et au moins un troisième bobinage (22) formé de spires dont le centre est décalé d'une distance dl par rapport au centre (O) du premier bobinage le long d'un axe (5) perpendiculaire à l'axe de rotation de l'objet tournant et de la cible et à un axe (4) passant par le centre (O) du premier bobinage et du second bobinage.
摘要翻译：角位置传感器技术领域本发明涉及一种角度位置传感器，包括至少一个第一电气轨道（1），至少一个第二电气轨道（2）和与第一电气轨道（1）相对的至少一个移动磁性目标（3）第二电气轨道（2）并且刚性地连接到旋转物体。电气轨道（1）包括由相对于旋转物体和目标（3）的旋转轴线（O）居中的匝组成的第一绕组（11），并且电气轨道（2）包括第二绕组（21）由匝组成，其中心相对于第一绕组的匝的中心（O）偏移了距离d1，以及至少一个第三绕组（22），其由中心沿着与旋转物体和目标物的旋转轴线垂直的轴线（5）相对于第一绕组的中心（O）的距离d1偏移到穿过中心（O）的轴线第一绕组和第二绕组。

4. 发明申请

WO2008025353A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SILICIUMNITRIDSCHICHTEN AUF OBERFLÄCHEN VON KRISTALLINEN SILICIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR FORMING THIN氮化硅晶体硅太阳能晶片的表面上
公开(公告)号：WO2008025353A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001580
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/482 , C23C16/545
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung dünner Siliciumnitridschichten auf Oberflächen von kristallinen Silicium-Solarwafern. Es ist Aufgabe der Erfindung Möglichkeiten zur Verfügung zu stellen, mit denen dünne Siliciumnitridschichten auf Oberflächen von kristallinen Silicium-Solarwafern hergestellt werden können, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewünschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Silicium-Solarwaferoberfläche eine Zuführung für mindestens einen gasförmigen Silicium enthaltenden Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beiträgt. Außerdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekülen des/der Precursor (en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasmas auf die Silicium-Solarwaferoberfläche und die zur Schichtausbildung führenden Precursoren auftritt und ausschließlich die emittierte elektromagnetische Strahlung wirkt.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于形成结晶硅太阳能晶片的表面上的薄的氮化硅膜的方法。发明内容本发明提供可用与上表面薄的氮化硅膜可以由晶体硅太阳能晶片，其具有特定的层材料形成具有所需性质的选择的对象。本发明的装置被设计成使得对于至少一个气态的区域以上的反应室含硅待涂覆硅太阳能晶片表面前体的进料存在时，这有助于膜的形成。此外，电磁辐射发射源，这是一种等离子体源被布置成使得所述发射的电磁辐射是的原子和/或分子的光解活化/前体（S）。等离子体源应如此布置，并且要被操作使得等离子体入射到硅太阳能晶片表面上，并导致膜形成前体和只发射的电磁辐射的作用没有直接的影响。

5. 发明申请

WO2005036101A1 DISPOSITIF POUR CORRIGER LES ERREURS D'INTERFERENCES 审中-公开
标题翻译：纠正干扰错误的装置
公开(公告)号：WO2005036101A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/FR2004/002543
申请日：2004-10-08
申请人： ELECTRICFIL AUTOMOTIVE , DUFOUR, Laurent , ANDRIEU, Olivier , MÖLLER, Rainer
发明人： DUFOUR, Laurent , ANDRIEU, Olivier , MÖLLER, Rainer
IPC分类号： G01D3/02
CPC分类号： G01D3/02 , G01D5/145
摘要： L'invention concerne un dispositif pour corriger les erreurs d'interférences pour une installation de mesure (A) comportant : au moins deux capteurs magnétiques (1 1 , 1 2 ) de mesure de la position de mobiles (2 1 , 2 2 ) évoluant selon des trajectoires de déplacement voisines, chaque capteur magnétique de mesure délivrant un signal de mesure représentatif de la position du mobile dans un circuit magnétique ouvert (3 1 , 3 2 ) ;et des moyens de traitement (M) des signaux de mesure délivrés par les capteurs magnétiques de mesure. Selon l'invention, les moyens de traitement (M) comportent des moyens de correction des signaux magnétiques de mesure pour tenir compte des erreurs d'interférences entre les capteurs magnétiques voisins (1 1 , 1 2 ) en vue d'obtenir un signal de mesure corrigé pour chaque capteur magnétique de mesure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于校正测量单元（A）中的干扰误差的装置，包括：至少两个磁性传感器（11,12），用于测量在相邻位移之后移动的运动物体（21,22）的位置轨迹，每个磁性测量传感器提供代表由磁性测量传感器提供的测量信号的开放磁路（31,32）中的移动物体的位置的测量信号和处理装置（M）。根据本发明，处理装置（M）包括用于校正测量的磁信号以考虑相邻磁传感器（11,12）之间的干扰误差的装置，以便获得每个测量磁传感器的经校正的测量信号。

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