专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2008025353A3 APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN SILICON NITRIDE LAYERS ON SURFACES OF CRYSTALLINE SILICON SOLAR WAFERS 审中-公开
标题翻译：用于在晶体硅太阳能晶片的表面上形成薄氮化硅层的装置和方法
公开(公告)号：WO2008025353A3
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/DE2007001580
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , DRESLER BIRTE , HOPFE VOLKMAR , DANI INES , MOELLER RAINER , ROSINA MILAN
发明人： DRESLER BIRTE , HOPFE VOLKMAR , DANI INES , MOELLER RAINER , ROSINA MILAN
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/455 , H01L31/18
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/482 , C23C16/545
摘要： The invention relates to an apparatus and a method of forming thin silicon nitride layers on surfaces of crystalline silicon solar wafers. It is an object of the invention to provide possibilities allowing thin silicon nitride layers to be produced on surfaces of crystalline silicon solar wafers, exhibiting a defined layered-material formation having desired properties. The apparatus of the invention is designed so that at a reaction chamber region, above a silicon solar wafer surface to be coated, there is a supply for at least one precursor containing gaseous silicon, this precursor contributing to layer formation. Moreover, a source emitting electromagnetic radiation, which is a plasma source, is disposed in such a way that the electromagnetic radiation emitted effects photolytic activation of atoms and/or molecules of the precursor(s). The plasma source ought to be so disposed, and is also to be operated in such a way, that there is no direct influence of the plasma on the silicon solar wafer surface and on the precursors that lead to layer formation, and it is exclusively the electromagnetic radiation emitted which acts.
摘要翻译：本发明涉及用于在晶体硅太阳能晶片的表面上形成薄氮化硅层的设备和方法。本发明的一个目的是提供一种装置，通过该装置可以在具有所需特性的某种涂层材料形成的晶体硅太阳能晶片的表面上生产薄硅酸锌晶片。根据本发明的装置被设计为使得用于至少一种气态含硅前体的供应物存在于待涂布的硅太阳能晶片表面上方的反应室区域处，这有助于层形成。另外，发射作为等离子体源的电磁辐射的源被布置为使得前体的原子和/或分子的光解激活与发射的电磁辐射发生。在这种情况下等离子体源应当被布置，并且还应当被操作为使得等离子体不会对硅太阳能晶片表面和导致层形成的前体发生直接影响，并且仅发射的电磁辐射起作用。

2. 发明申请

WO2007090900A1 VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON DÜNNEN SCHEIBENFÖRMIGEN OBJEKTEN IM DURCHLAUFVERFAHREN IN EINEM VERTIKALREAKTOR 审中-公开
标题翻译： DEVICE薄圆盘状物体连续过程的在立式反应器处理
公开(公告)号：WO2007090900A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/EP2007/051340
申请日：2007-02-12
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MOELLER, Rainer , VOELK, Hans-Peter , WANKA, Harald
发明人： MOELLER, Rainer , VOELK, Hans-Peter , WANKA, Harald
IPC分类号： F27B9/14 , F27B9/30 , H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/67115
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von Wafern (1) im Durchlauf verfahren in einem Vertikalreaktor (2) der mit einer Einrichtung zum Be- und Entladen der Wafer (1) gekoppelt ist. Mit der Vorrichtung soll ein schonender Durchlauf der Wafer (1) durch den Vertikalreaktor (2) gewährleistet werden. Erreicht wird das dadurch, dass in dem Vertikalreaktor (2) zwei fest stehende Waferträger (3, 4) zur liegenden Aufnahme einer Vielzahl von Wafern (1) derart in einem vorgegebenen Abstand nebeneinander angeordnet sind, dass eine zwischen den Waferträgern (3, 4) befindliche Hub- und Schwenkeinheit (5) zur vorübergehenden liegenden Aufnahme von Wafern (1) frei drehbar und teilweise durch die Position der Waferträger (3, 4), diese durchdringend, bewegbar ist und innerhalb des Vertikalreaktors (2) in eine freie Position (6) hinter und eine Übergabeposition (7) vor den Waferträgern (3, 4) positionierbar ist und in der Übergabeposition (7) mit der außerhalb des Vertikalreaktors (2) befindlichen externen Be- und Entladeeinheit (8) für einzelne Wafer (1) in Wirkverbindung steht und wobei die Anzahl der Aufnahmepositionen für die Wafer (1) in der Hub- und Schwenkeinheit (5) mindestens um eins größer ist, als in den Waferträgern (3, 4).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在连续过程中处理的晶片（1）在立式反应器（2）的装置与用于装载的装置和卸载（1）耦合在晶片。与该装置的晶片（1）由所述竖直反应器（2）的温和通道被确保。这是，在所述竖直反应器（2）的两个固定的晶片载体（3,4）被布置为位于（1）在由侧的规定距离侧接收多个晶片的实现的，即晶片载体之间（3，4）升降位于与枢转单元（5），用于暂时位于接收晶片（1）可自由旋转，并部分地由所述晶片载体的位置（3,4），这是很普遍的，可移动的自由位置（竖直反应器（2）6内）的后面并在所述晶片载体的前面（3的转印位置（7），4）被定位和（与转印位置7）（位于竖直反应器2）外部装载和卸载单元的外部（8），用于在可操作地连接各个晶片（1）是并且其中用于所述晶片的记录位置的数目（1）在所述提升和枢转单元（5）至少比在晶片载体大1（3，4）。

3. 发明申请

WO2010149910A3 ANGULAR POSITION SENSOR 审中-公开
标题翻译：角位置传感器
公开(公告)号：WO2010149910A3
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/FR2010051237
申请日：2010-06-18
申请人： ELECTRICFIL AUTOMOTIVE , MOELLER RAINER
发明人： MOELLER RAINER
IPC分类号： G01D5/22
CPC分类号： G01D5/2258
摘要： The present invention relates to an angular position sensor, comprising at least one first electrical track (1), at least one second electrical track (2), and at least one mobile magnetic target (3) opposite the first electrical track (1) and the second electrical track (2) and rigidly connected to a rotating object. The electrical track (1) comprises a first winding (11) consisting of turns that are centered relative to the rotational axis (O) of the rotating object and of the target (3), and the electrical track (2) comprises a second winding (21) consisting of turns, the center of which is offset by a distance dl relative to the center (O) of the turns of the first winding, and at least one third winding (22) consisting of turns, the center of which is offset by a distance dl relative to the center (O) of the first winding along an axis (5) that is perpendicular to the rotational axis of the rotating object and of the target and to an axis that passes through the center (O) of the first winding and of the second winding.
摘要翻译：角位置传感器技术领域本发明涉及一种角度位置传感器，包括至少一个第一电气轨道（1），至少一个第二电气轨道（2）和与第一电气轨道（1）相对的至少一个移动磁性目标（3）第二电气轨道（2）并且刚性地连接到旋转物体。电气轨道（1）包括由相对于旋转物体和目标（3）的旋转轴线（O）居中的匝组成的第一绕组（11），并且电气轨道（2）包括第二绕组（21）由匝组成，其中心相对于第一绕组的匝的中心（O）偏移了距离d1，以及至少一个第三绕组（22），其由中心沿着与旋转物体和目标物的旋转轴线垂直的轴线（5）相对于第一绕组的中心（O）的距离d1偏移到穿过中心（O）的轴线第一绕组和第二绕组。

4. 发明申请

WO2008025354A3 METHOD FOR SELECTIVE PLASMOCHEMICAL DRY-ETCHING OF PHOSPHOSILICATE GLASS DEPOSITED ON SURFACES OF SILICON WAFERS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR SELECTIVE等离子体增强化学干蚀刻在硅晶片上受过训练的PSG表面
公开(公告)号：WO2008025354A3
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/DE2007001581
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , HOPFE VOLKMAR , DANI INES , LOPEZ ELENA , MOELLER RAINER , HEINTZE MORITZ
发明人： HOPFE VOLKMAR , DANI INES , LOPEZ ELENA , MOELLER RAINER , HEINTZE MORITZ
IPC分类号： H01L21/311 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/31116
摘要： The invention relates to a method for selective plasmochemical dry-etching of phosphosilicate glass ((SiO 2 ) x P 2 O 5 ) y ) deposited on surfaces of silicon wafers. The aim of the invention is to provide an economical, effective, selective means for removal of phosphosilicate glass from silicon wafers which at least reduces production losses. Said aim is achieved by selectively plasmochemical dry-etching of the surfaces of crystalline silicon wafers the surfaces of which have been treated with phosphosilicate glass. A plasma formed by a plasma source and an etching gas at atmospheric pressure are directed at the phosphosilicate glass which is thus removed.
摘要翻译：本发明由受过训练的在硅晶片上磷硅酸盐玻璃的表面（（SIO _{2 ）_{X P _{2 0 5 ）_{ý）。发明内容本发明的一个目的是提供一种廉价的，有效的，选择性的和生产损失至少还原能力可以用硅晶片的磷硅酸盐玻璃被移除。在本发明中，该过程是这样的，晶体硅晶片，其表面设置有磷硅酸盐玻璃，有选择地通过等离子体化学蚀刻。这里，通过等离子体源的等离子体和蚀刻气体在大气压力下对PSG形成的图像加以处理，可这样除去。}}}}

5. 发明申请

WO2007051457A3 ANTIREFLECTIVE COATING ON SOLAR CELLS AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SUCH AN ANTIREFLECTIVE COATING 审中-公开
标题翻译：太阳能电池上的抗反射涂层，以及制造这种抗反射涂层的方法
公开(公告)号：WO2007051457A3
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/DE2006001927
申请日：2006-11-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MOELLER RAINER , HARTUNG ROBERT MICHAEL
发明人： MOELLER RAINER , HARTUNG ROBERT MICHAEL
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to an antireflective coating on solar cells made of crystalline silicon as well as a method for producing such an antireflective coating. The aim of the invention is to create an antireflective coating on solar cells made of crystalline silicon which makes it possible to optimize the optical and passivating properties thereof while making it possible to easily and economically integrate the production thereof into the production process especially of very thin crystalline silicon solar cells. Said aim is achieved by the fact that the antireflective coating is composed of successive partial layers, i.e. a lower partial layer (S1) which covers the crystalline silicon, is embodied as an antireflective coating and as passivation with a particularly great hydrogen concentration, and is covered by an upper partial layer (S2) having an increased barrier effect against hydrogen diffusion.
摘要翻译：晶体硅太阳能电池上的抗反射涂层及其制造方法技术领域本发明涉及晶体硅太阳能电池上的抗反射涂层及其制造方法。本发明提供太阳能电池上的抗反射涂层是从晶体硅创建，无论是光学和钝化特性的最佳设计使得和它们的制备可以在生产过程中，特别是非常薄的晶体硅太阳能电池的容易和经济集成。实现的是，连续子层的防反射涂层由其中形成低的事实，结晶硅（S），其覆盖部分层（S1）作为防反射涂层和钝化具有特别高的氢含量，顶层的（S2）覆盖着增加的屏障效应，防止氢向外扩散。

6. 发明申请

WO2007051457A2 ANTIREFLEXBESCHICHTUNG AUF SOLARZELLEN, SOWIE VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SOLCHEN ANTIREFLEXBESCHICHTUNG 审中-公开
标题翻译： ANTI REFLEX涂层对生产这种抗REFLEX涂层太阳能电池和方法
公开(公告)号：WO2007051457A2
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：PCT/DE2006/001927
申请日：2006-11-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MOELLER, Rainer , HARTUNG, Robert, Michael
发明人： MOELLER, Rainer , HARTUNG, Robert, Michael
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft eine Antireflexbeschichtung auf Solarzellen aus kristallinem Silizium sowie ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Antireflexbeschichtung. Durch die Erfindung soll eine Antireflexbeschichtung auf Solarzellen aus kristallinem Silizium erschaffen werden, die eine optimale Gestaltung sowohl deren optischer als auch deren passivierender Eigenschaften ermöglicht und deren Herstellung sich einfach und ökonomisch in den Fertigungsprozess insbesondere von sehr dünnen kristallinen Silizium-Solarzellen integrieren lässt. Erreicht wird das dadurch, dass die Antireflexbeschichtung aus aufeinander folgenden Teilschichten zusammengesetzt ist, von denen eine untere, das kristalline Silizium (S) abdeckenden Teilschicht (S1) als Antireflexbeschichtung und Passivierung mit besonders hohem Wasserstoffgehalt ausgebildet ist, die von einer oberen Teilschicht (S2) mit erhöhter Barrierewirkung gegen die Ausdiffusion von Wasserstoff abgedeckt ist.
摘要翻译：本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的抗反射涂层以及制造这种抗反射涂层的方法。本发明提供太阳能电池上的抗反射涂层是从晶体硅创建，无论是光学和钝化特性的最佳设计使得和它们的制备可以在生产过程中，特别是非常薄的晶体硅太阳能电池的容易和经济集成。实现的是，连续子层的防反射涂层由其中形成低的事实，结晶硅（S），其覆盖部分层（S1）作为防反射涂层和钝化具有特别高的氢含量，顶层的（S2）覆盖有抗氢的扩散提高的屏障效果。

7. 发明申请

WO0062347A3 SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制备方法的太阳能电池
公开(公告)号：WO0062347A3
公开(公告)日：2001-03-01
申请号：PCT/DE0001073
申请日：2000-04-10
申请人： PMC PRODUCT MAN CONSULT GMBH , KALBERLAH KLAUS , HOFFMANN THOMAS , JACOBS KLAUS , MOELLER RAINER , KAMPMANN ANDREAS
发明人： KALBERLAH KLAUS , HOFFMANN THOMAS , JACOBS KLAUS , MOELLER RAINER , KAMPMANN ANDREAS
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/048
CPC分类号： H01L31/03928 , H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/1876 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： The solar cell is provided with an absorbing layer which is arranged on a flexible and band-shaped support. The absorbing layer is at least partially provided with components of copper and is provided with at least one element from the group of indium and gallium and with at least one element from the group of selenium and sulphur and is at least partially embodied as p-type. The absorbing layer is at least partially deposited on the support in a plating manner. The components of the absorbing layer are in a stoichiometric ratio in relation to one another. The absorbing layer is heat-treated after having been deposited on the support.
摘要翻译：所述太阳能电池具有被布置在柔性和带状载体上的吸收层。吸收层包括至少部分地基于铜的单元，其选自铟和镓中的至少一种元素和选自硒和硫的至少一种元素。形成有至少在区域，p型吸收剂层。该吸收层至少部分地施加电到载体和吸收层的组分相对于彼此存在于化学计量比。其应用到载体后的吸收层进行热处理。

8. 发明专利

CS240442B1 METHOD OF GAS SUPPLY FOR LOW-PRESSURE GAS-PHASE PRECIPITATING CHEMICAL PROCESSES IN TUBE REACTOR AND EQUIPMENT FOR PERFORMANCE OF THIS METHOD 未知
公开(公告)号：CS240442B1
公开(公告)日：1986-02-13
申请号：CS377182
申请日：1982-05-21
申请人： KLEINERT MICHAEL , MOELLER RAINER , STELZER HORST
发明人： KLEINERT MICHAEL , MOELLER RAINER , STELZER HORST
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L21/205 , C23C14/00
摘要： An apparatus for guiding gas through a tube reactor in low pressure chemical vapor deposition processes. The apparatus includes the tube reactor, a substrate mounting element in the interior of the tube reactor, to receive substrates in a generally parallel position with respect to each other along the substrate mounting element, a cup-shaped inner tube surrounding the substrate mounting element, a gas feed arranged within the inner tube, a gas discharge opening arranged in the inner tube at a point opposite to the gas feed, and an intermediate zone between the tube reactor and the inner tube. Preferably, the inner tube is eccentrically disposed within the tube reactor, to increase the size of the intermediate zone in the area of the gas discharge opening, thus facilitating passage of exhaust gas out of the inner tube. Typically, the substrate mounting can be rotated. The present apparatus and method thus provides that the processing-gas flow is suctioned off, in the flow direction, immediately after flowing through the intermediate zones of the substrates, and is suctioned out of the tube reactor outside the substrate areas.

9. 发明专利

CS181870B1 PROCESS AND DEVICE FOR LAYER COATING ON THE WORPIECES BY CHEMICAL DEPOSITING IN VAPOUR PHASE 未知
公开(公告)号：CS181870B1
公开(公告)日：1978-03-31
申请号：CS760274
申请日：1974-11-07
申请人： PETERMANN KLAUS , MOELLER RAINER
发明人： PETERMANN KLAUS , MOELLER RAINER
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/54 , C23C11/06

10. 发明专利

CS180767B1 METHOD OF MAKING TIN,ABRASIVE RESISTANT LAYERS FROM CARBIDES BY CHEMICAL DEPOSITION IN VAPOR PHASE ON METALLIC OR NON-METALLIC BASES 未知
公开(公告)号：CS180767B1
公开(公告)日：1978-01-31
申请号：CS504074
申请日：1974-07-15
申请人： MOELLER RAINER , KROEDEL GUNTER , KLEINERT MICHAEL , LUTZ FABIAN
发明人： MOELLER RAINER , KROEDEL GUNTER , KLEINERT MICHAEL , FABIAN LUTZ
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/32 , C23C11/02

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式