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1. 发明申请

WO2008043827A2 VERFAHREN ZUR PASSIVIERUNG VON SOLARZELLEN 审中-公开
标题翻译：钝化太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2008043827A2
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/EP2007/060862
申请日：2007-10-12
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HAUSER, Alexander , WANKA, Harald , PERNAU, Thomas , HARTUNG, Robert, Michael
发明人： HAUSER, Alexander , WANKA, Harald , PERNAU, Thomas , HARTUNG, Robert, Michael
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Solarzellen auf Siliziumbasis und betrifft insbesondere ein Verfahren zur Passivierung von kristallinen Silizium-Solarzellen, bei dem kristallines Silizium in einer geeigneten Einrichtung zunächst mit Phosphor zur Erzeugung einer Diode unter Temperatureinwirkung durch einen Dif fusionsprozess dotiert wird und anschließend eine Passivierung und Entspiegelung der Oberfläche des Siliziums durch Abscheiden von Siliziumnitrid in einem Plasmaverfahren vorgenommen wird. Mit der Erfindung soll ein Verfahren zur Passivierung von Solarzellen geschaffen werden, mit dem der Wirkungsgrad von Solar- zellen mit möglichst geringem Aufwand deutlich verbessert wird. Erreicht wird das dadurch, dass die im oberflächennahen Bereich des Silizium-Rohlings vorhandene „Dead Layer" mit hoher Phosphorkonzentration unmittelbar vor der Abscheidung des Siliziumnitrids durch Trockenätzen in einem Ätz-plasma entfernt wird.
摘要翻译：
本发明涉及制备基于硅的太阳能电池，并且更具体地涉及一种方法，用于晶体硅太阳能电池的钝化，其中在合适的装置最初承受蜡纸用磷的结晶硅，以产生下一个二极管通过Dif熔合工艺掺杂温度作用，然后通过在等离子体工艺中沉积氮化硅来执行硅表面的钝化和抗反射。本发明旨在提供一种用于太阳能电池钝化的工艺，利用该工艺太阳能电池的效率以最小的可能花费显着提高。这是通过这样的事实实现的，即在硅坯表面附近的表面中存在的“死层”具有约10μm的厚度。通过在etaz等离子体中进行干法蚀刻，在即将沉积氮化硅之前具有高的磷浓度

2. 发明申请

WO2004100244A1 VERFAHREN ZUM TEXTURIEREN VON OBERFLÄCHEN VON SILIZIUM-SCHEIBEN 审中-公开
标题翻译：法硅片表面纹理
公开(公告)号：WO2004100244A1
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/DE2004/000835
申请日：2004-04-22
申请人： UNIVERSITÄT KONSTANZ , HAUSER, Alexander , MELNYK, Ihor , FATH, Peter
发明人： HAUSER, Alexander , MELNYK, Ihor , FATH, Peter
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67086 , C09K13/08 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： Bei einem Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der Silizium-Scheiben in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einstellens einer Temperatur für die Ätzlösung ist vorgesehen, dass die Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätzlösung zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt. Dadurch ergibt sich ein verhältnismässig hoher Wirkungsgrad aufgrund verringerter Reflexionen der Silizium-Scheiben.
摘要翻译：在用于硅晶片的纹理化表面的方法，包括在水的蚀刻溶液中浸渍硅晶片的步骤中，浓缩的氢氟酸和浓硝酸和设置所述蚀刻溶液的温度提供了成比例的蚀刻液从20％到 55％水，10％至40％的浓氢氟酸和20％至60％的浓硝酸，并且在0摄氏度和15摄氏度之间的刻蚀溶液的温度。这导致相对高的效率，由于硅晶片的减小反射。

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