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1. 发明申请

WO2008025353A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SILICIUMNITRIDSCHICHTEN AUF OBERFLÄCHEN VON KRISTALLINEN SILICIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR FORMING THIN氮化硅晶体硅太阳能晶片的表面上
公开(公告)号：WO2008025353A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001580
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/482 , C23C16/545
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung dünner Siliciumnitridschichten auf Oberflächen von kristallinen Silicium-Solarwafern. Es ist Aufgabe der Erfindung Möglichkeiten zur Verfügung zu stellen, mit denen dünne Siliciumnitridschichten auf Oberflächen von kristallinen Silicium-Solarwafern hergestellt werden können, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewünschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Silicium-Solarwaferoberfläche eine Zuführung für mindestens einen gasförmigen Silicium enthaltenden Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beiträgt. Außerdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekülen des/der Precursor (en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasmas auf die Silicium-Solarwaferoberfläche und die zur Schichtausbildung führenden Precursoren auftritt und ausschließlich die emittierte elektromagnetische Strahlung wirkt.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于形成结晶硅太阳能晶片的表面上的薄的氮化硅膜的方法。发明内容本发明提供可用与上表面薄的氮化硅膜可以由晶体硅太阳能晶片，其具有特定的层材料形成具有所需性质的选择的对象。本发明的装置被设计成使得对于至少一个气态的区域以上的反应室含硅待涂覆硅太阳能晶片表面前体的进料存在时，这有助于膜的形成。此外，电磁辐射发射源，这是一种等离子体源被布置成使得所述发射的电磁辐射是的原子和/或分子的光解活化/前体（S）。等离子体源应如此布置，并且要被操作使得等离子体入射到硅太阳能晶片表面上，并导致膜形成前体和只发射的电磁辐射的作用没有直接的影响。

2. 发明申请

WO2008025352A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SCHICHTEN AUF SUBSTRATOBERFLÄCHEN 审中-公开
标题翻译：在衬底表面上形成薄层的装置和方法
公开(公告)号：WO2008025352A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/DE2007/001579
申请日：2007-08-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/45519 , C23C16/45595 , C23C16/48 , C23C16/545
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung dünner Schichten auf Substratoberflächen. Es ist Aufgabe der Erfindung Möglichkeiten zur Verfügung zu stellen, mit denen dünne Schichten auf Substratoberflächen hergestellt werden können, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewünschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Substratoberfläche eine Zuführung für mindestens einen gasförmigen Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beiträgt. Außerdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekülen des/der Precursor (en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasma auf die Substratoberfläche und die zur Schichtausbildung führenden Precursoren auftritt.
摘要翻译：本发明涉及在衬底表面上形成薄膜的装置和方法。本发明的一个目的是提供一种方法，其中可以在具有具有所需特性的特定分层结构的基板表面上制造薄层。本发明BEAR ROAD装置被设计为使得在上方的反应室部分待涂覆Substratoberfl＆AUML;枝一个Zuf导航用途货币˚F导航用途ř至少一种气态＆OUML形的前体存在时，层形成的帖子＆AUML; GT。另外，发射作为等离子体源的电磁辐射的源被布置为使得发射的电磁辐射光激活前体的原子和/或分子。等离子体源应该以这种方式排列，并且也应该以这样的方式运行，即等离子体不会直接影响衬底表面和导致层形成的前体。

3. 发明公开

EP2069551A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SCHICHTEN AUF SUBSTRATOBERFLÄCHEN 审中-公开
标题翻译：设备和方法成形在基材表面薄层
公开(公告)号：EP2069551A2
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：EP07801316.6
申请日：2007-08-29
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V.
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/45519 , C23C16/45595 , C23C16/48 , C23C16/545
摘要： The invention relates to an apparatus and a method of forming thin layers on substrate surfaces. It is an object of the invention to provide possibilities allowing thin layers to be produced on substrate surfaces, exhibiting a defined layered-material formation having desired properties. The apparatus of the invention is designed so that at a reaction chamber region, above a substrate surface to be coated, there is a supply for at least one gaseous precursor that contributes to layer formation. Moreover, a source emitting electromagnetic radiation, which is a plasma source, is disposed in such a way that the electromagnetic radiation emitted effects photolytic activation of atoms and/or molecules of the precursor(s). The plasma source ought to be so disposed, and is also to be operated in such a way, that there is no direct influence of the plasma on the substrate surface and on the precursors that lead to layer formation.

4. 发明公开

EP2061915A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SILICIUMNITRIDSCHICHTEN AUF OBERFLÄCHEN VON KRISTALLINEN SILICIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR FORMING THIN氮化硅晶体硅太阳能晶片的表面上
公开(公告)号：EP2061915A2
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：EP07801317.4
申请日：2007-08-29
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V.
发明人： DRESLER, Birte , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , MÖLLER, Rainer , ROSINA, Milan
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/482 , C23C16/545
摘要： The invention relates to an apparatus and a method of forming thin silicon nitride layers on surfaces of crystalline silicon solar wafers. It is an object of the invention to provide possibilities allowing thin silicon nitride layers to be produced on surfaces of crystalline silicon solar wafers, exhibiting a defined layered-material formation having desired properties. The apparatus of the invention is designed so that at a reaction chamber region, above a silicon solar wafer surface to be coated, there is a supply for at least one precursor containing gaseous silicon, this precursor contributing to layer formation. Moreover, a source emitting electromagnetic radiation, which is a plasma source, is disposed in such a way that the electromagnetic radiation emitted effects photolytic activation of atoms and/or molecules of the precursor(s). The plasma source ought to be so disposed, and is also to be operated in such a way, that there is no direct influence of the plasma on the silicon solar wafer surface and on the precursors that lead to layer formation, and it is exclusively the electromagnetic radiation emitted which acts.

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