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1. 发明申请

WO2009074211A1 ILLUMINATION OPTICS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于微结构的照明光学
公开(公告)号：WO2009074211A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/EP2008/009786
申请日：2008-11-20
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ENDRES, Martin , STÜTZLE, Ralf , OSSMANN, Jens
发明人： ENDRES, Martin , STÜTZLE, Ralf , OSSMANN, Jens
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70075 , G03F7/70083 , G03F7/70191
摘要： An illumination optics for microlithography comprises an optical assembly for guiding illumination light to an object field (19) to be illuminated in an object plane. According to a first aspect of the invention, the illumination optics (26) divides an illumination light radiation bundle (3) into a plurality of radiation sub-bundles (28 to 30) which are assigned to different illumination angles of the object field illumination. The illumination optics (26) is configured in such a way that at least some of the radiation sub-bundles (28 to 30) are superimposed in a superposition plane (16) which is spaced from the object plane and which is not imaged into the object plane in which superposition takes place. This superposition is such that edges (32) of the superimposed radiation sub-bundles (28 to 30) coincide at least partially. According to another aspect of the invention, a field intensity setting device (24) comprises a plurality of adjacent individual diaphragms (27) which at least attenuate illumination light (3) when exposed thereto. These individual diaphragms (27) are insertable into an illumination light radiation bundle (3) in a direction parallel to an object displacement direction (y). All individual diaphragms (27) of the field intensity setting device (24) are insertable into the illumination light radiation bundle (3) from one and the same side.
摘要翻译：用于微光刻的照明光学器件包括用于将照明光引导到要在物平面中照明的物场（19）的光学组件。根据本发明的第一方面，照明光学器件（26）将照明光辐射束（3）划分成被分配给物场照明的不同照明角度的多个辐射子束（28至30）。照明光学器件（26）被配置成使得辐射子束（28至30）中的至少一些被叠加在叠加平面（16）中，该叠加平面（16）与物平面间隔开并且不被成像到物体平面，其中发生叠加。这种叠加使得叠加的辐射子束（28至30）的边缘（32）至少部分地重合。根据本发明的另一方面，一种场强设定装置（24）包括多个相邻的各个隔膜（27），当暴露在其上时至少使照明光（3）衰减。这些单独的隔膜（27）可以在与物体位移方向（y）平行的方向上插入到照明光辐射束（3）中。场强设定装置（24）的各个隔膜（27）可从同一侧插入照明光辐射束（3）。

2. 发明申请

WO2009132756A1 ILLUMINATION OPTICS FOR EUV MICROLITHOGRAPHY AND ILLUMINATION SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS COMPRISING AN ILLUMINATION OPTICS OF THIS TYPE 审中-公开
标题翻译：用于EUV微结构和照明系统的照明光学和包含这种类型的照明光学的投影曝光装置
公开(公告)号：WO2009132756A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/EP2009/002584
申请日：2009-04-08
申请人： CARL ZEISS SMT AG , FIOLKA, Damian , WARM, Berndt , STEIGERWALD, Christian , ENDRES, Martin , STÜTZLE, Ralf , OSSMANN, Jens , SCHARNWEBER, Ralf , HAUF, Markus , DINGER, Udo , WALDIS, Severin , KIRCH, Marc , HARTJES, Joachim
发明人： FIOLKA, Damian , WARM, Berndt , STEIGERWALD, Christian , ENDRES, Martin , STÜTZLE, Ralf , OSSMANN, Jens , SCHARNWEBER, Ralf , HAUF, Markus , DINGER, Udo , WALDIS, Severin , KIRCH, Marc , HARTJES, Joachim
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70083
摘要： An illumination optics for EUV microlithography serves for guiding an illumination light bundle from a radiation source to an object field with an extension ratio between a longer field dimension (x) and a shorter field dimension (y), the ratio being considerably greater than 1. A field facet mirror (13) has a plurality of field facets (19) for setting defined illumination conditions in the object field. A following optics downstream of the field facet mirror (13) serves for transmitting the illumination light into the object field (5). The following optics comprises a pupil facet mirror (14) with a plurality of pupil facets (27). The field facets (19) are in each case individually allocated to the pupil facets (27) so that portions of the illumination light bundle (10) impinging upon in each case one of the field facets (19) are guided on to the object field (5) via the associated pupil facet (27). The field facet mirror (13) not only comprises a plurality of basic illumination field facets (19 G ) which provide a basic illumination of the object field (5) via associated basic illumination pupil facets (27 G ) but also a plurality of correction illumination field facets (19 K ) which provide for a correction of the illumination of the object field (5) via associated correction illumination pupil facets (27 K ). The result is an illumination optics which allows unwanted variations of illumination parameters, for instance an illumination intensity distribution or an illumination angle distribution, to be corrected across the object field.
摘要翻译：用于EUV微光刻的照明光学器件用于将照明光束从辐射源引导到物场，其具有在较长场尺寸（x）和较短场尺寸（y）之间的延伸比，该比率远大于1。场面反射镜（13）具有多个场面（19），用于在对象场中设定定义的照明条件。场面反射镜（13）下游的跟随光学器件用于将照明光发射到物场（5）中。以下光学器件包括具有多个光瞳面（27）的光瞳小面镜（14）。场分面（19）在每种情况下分别被分配给光瞳面（27），使得照射光束（10）中的每一个场景面（19）中的一个照射的部分被引导到物场（5）通过相关联的光瞳面（27）。场面反射镜（13）不仅包括通过相关联的基本照明光瞳（27G）提供对象场（5）的基本照明的多个基本照明场面（19G），而且还包括多个校正照明场面（19K），其经由相关联的校正照明光瞳面（27K）提供对物场（5）的照明的校正。结果是照明光学元件允许在整个对象场校正照明参数的不期望的变化，例如照明强度分布或照明角度分布。

3. 发明申请

WO2008071305A1 BELEUCHTUNGSOPTIK UND PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：照明的光学元件和投射曝光系统，微光刻
公开(公告)号：WO2008071305A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/EP2007/010234
申请日：2007-11-24
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , STÜTZLE, Ralf
发明人： ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , STÜTZLE, Ralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G02B27/0905 , G02B27/0977
摘要： Eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie hat ein Beleuchtungssystem (2) mit einer EUV-Lichtquelle (3) und einer Beleuchtungsoptik (6) zur Belichtung eines Objektfeldes in einer Objektebene (5). Zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld in einer Bildebene (7) dient eine Projektionsoptik (6). Ein in einer Ebene der Beleuchtungsoptik (4), die mit einer Pupillenebene der Projektionsoptik (6) zusammenfällt oder zu dieser optisch konjugiert ist, angeordneter Pupillenfacettenspiegel (15) hat eine Mehrzahl von mit Beleuchtungslicht (8) beaufschlagbaren Einzelfacetten. Eine Korrekturblende (17) ist in oder benachbart zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik (6) oder in einer hierzu konjugierten Ebene angeordnet. Die Korrekturblende (17) deckt die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik derart ab, dass zumindest einige den Einzelfacetten des Pupillenfacettenspiegels (15) zugeordnete Quellbilder in der Eintrittspupille der Projektionsoptik (6) von ein und demselben Blendenrand teilweise abgeschattet werden. Die Form des Blendenrandes ist zur teilweisen Abschattung der den Pupillenfacetten zugeordneten Quellbildern in der Eintrittspupille der Projektionsoptik zur Korrektur der Telezentrie und der Elliptizität der Beleuchtung vorgegeben. Beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) kann eine erste Beleuchtungsgeometrie (21) gegen eine zweite Beleuchtungsgeometrie (22, 22', 22") ausgewechselt werden. In diesem Fall wird die Korrekturblende (17) gegen eine Austausch-Blende (17) ausgetauscht, deren Blendenrand entsprechend angepasst an das Austausch-Beleuchtungsmodul (22, 22', 22") zur Korrektur der Telezentrie und Elliptizität der Beleuchtung mit dem zweiten Beleuchtungsmodul angepasst ist.
摘要翻译：对于具有（2）与EUV光源（3）和照明光学器件（6），用于在物平面（5）将物体曝光场的照明系统微光刻的投射曝光设备（1）。一个投影光学装置（6）被用于在图像平面（7）的物场成像到像场。甲在照明光学部件的一个面（4），其与投影光学装置（6）或光学共轭此的光瞳平面一致，设置光瞳分面镜（15）具有多个通过照明光（8）单独的面采取行动。校正隔膜（17）被布置在或邻近于所述投影光学系统的光瞳平面（6）或在与其结合的平面。校正隔膜（17）覆盖所述投影光学系统的入射光瞳的距离这样的方式使得至少一些与所述源图像中一个的投影光学装置（6），并且在同一隔板边缘的入射光瞳相关联的光瞳分面镜（15）的单个面的被部分遮挡的照明。所述孔边缘的形状是考虑到在投影光学系统的入射光瞳相关联的源的图像来校正远心性和照明的椭圆率的光瞳面的部分遮蔽。在投射曝光系统（1），第一照明几何形状（21）相对于第二照明几何形状（22，22”，22“）的操作，以被取代。在这种情况下，校正隔膜（17）对一个交换孔（17）被置换，则隔膜边缘相应地适合于发光模块（22，22”，22“）适于照明的远心性和椭圆率校正到第二照明模块的交换。

4. 发明申请

WO2008149178A1 CATOPTRIC ILLUMINATION SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY TOOL 审中-公开
标题翻译：用于微型工具的电子照明系统
公开(公告)号：WO2008149178A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/IB2007/003547
申请日：2007-06-07
申请人： CARL ZEISS SMT AG , OSSMANN, Jens , ENDRES, Martin , STUETZLE, Ralf
发明人： OSSMANN, Jens , ENDRES, Martin , STUETZLE, Ralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70075 , G03F7/70083
摘要： In general, in one aspect, the invention features a system that includes an illumination system of a microlithography tool, the illumination system including a first component (400) having a plurality of elements (401). During operation of the system, the elements direct radiation from a source along an optical path to an arc-shaped object field at an object plane of a projection objective, and at least one of the elements (410) has a curved shape that is different from the arc-shape of the object field.
摘要翻译：通常，一方面，本发明的特征在于包括微光刻工具的照明系统的系统，所述照明系统包括具有多个元件（401）的第一部件（400）。在系统的操作期间，元件将来自源的光源沿着光路引导到投影物镜的物平面处的弧形物场，并且至少一个元件（410）具有不同的弯曲形状从对象字段的弧形。

5. 发明申请

WO2010049020A1 BELEUCHTUNGSOPTIK FÜR DIE EUV-MIKROLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：照明光学系统微EUV光刻
公开(公告)号：WO2010049020A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/EP2009/005113
申请日：2009-07-14
申请人： CARL ZEISS SMT AG , DENGEL, Guenther , WITTICH, Gero , DINGER, Udo , STUETZLE, Ralf , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , WARM, Berndt
发明人： DENGEL, Guenther , WITTICH, Gero , DINGER, Udo , STUETZLE, Ralf , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , WARM, Berndt
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/70141 , G03F7/702 , G03F7/70558
摘要： Eine Beleuchtungsoptik (47) für die EUV-Mikrolithographie dient zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (19) mit einem EUV-Nutzstrahlungsbündel (3). Zur Vorgabe von Beleuchtungsparametern dienen Vorgabeeinrichtungen (6, 10). Zur Korrektur der Intensitätsverteilung und/oder der Winkelverteilung der Objektfeldbeleuchtung dient eine Beleuchtungs-Korrektureinrichtung. Diese hat eine zumindest teilweise mit dem Nutzstrahlungsbündel (3) vor dem Objektfeld (19) beaufschlagte und gesteuert angetrieben verlagerbare optische Komponente (13). Ein Detektor (50, 53) dient zur Erfassung eines der Beleuchtungsparameter. Eine Auswerteeinrichtung (31) dient zur Auswertung der Detektordaten und zur Umsetzung von diesen in Steuersignale. Mindestens ein Aktor (61, 62) dient zur Verlagerung der optischen Komponente (13). Während Belichtungen werden die Stellelemente so mit den Detektorsignalen geregelt, dass während der Dauer einer Projektionsbelichtung eines maximale Verlagerung von Rändern des Objektfeldes (19) zu einem zu belichtenden Objekt (18) von unter 8 μm gewährleistet ist. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der die Einhaltung vorgegebener Beleuchtungsparameter auch bei höchsten Präzisionsanforderungen gewährleistet
摘要翻译：用于EUV微光刻的照明光学部件（47）用于与EUVNutzstrahlungsbündel（3）照明物场（19）。用于指定照明参数指示装置用作（6，10）。照明校正装置用于校正的强度分布和/或物场照明的角度分布。这已作用于至少部分与所述物场（19）和控制驱动可移动光学部件（13）的Nutzstrahlungsbündel（3）的上游。的检测器（50，53）用于检测所述照明参数中的一个。的评估装置（31），用于将检测器数据的评估并将其转换成控制信号。至少一个致动器（61，62）用于将光学部件（13）的位移。在曝光被控制以便与被保证在物场（19）的边缘的最大位移的投影曝光的持续时间的对象的检测器信号中的调节元件，以小于8微米（18）被暴露。其结果是与即使在最高的精度要求具有特定照明参数确保符合的照明光学部件

6. 发明申请

WO2009135576A1 COMPONENT FOR SETTING A SCAN-INTEGRATED ILLUMINATION ENERGY IN AN OBJECT PLANE OF A MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：用于在微观投影曝光装置的对象平面中设置扫描一体化照明能量的组件
公开(公告)号：WO2009135576A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/EP2009/002465
申请日：2009-04-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , STUETZLE, Ralf , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , LAYH, Michael
发明人： STUETZLE, Ralf , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , LAYH, Michael
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70066 , G03F7/70083 , G03F7/70558
摘要： The present invention relates to a component for setting a scanintegrated illumination energy in an object plane of a microlithography projection exposure apparatus. In this case, the component comprises a plurality of diaphragms which are arranged alongside one another with respect to a direction perpendicular to the scan movement and differ in their form and the position of which can be altered approximately in the scan direction, such that a portion of the illumination energy can be vignetted by at least one diaphragm. In this case, the form of the individual diaphragm is specifically adapted to the form of the illumination in a diaphragm plane in which the component is arranged. This has the effect that at least parts of the delimiting edges of two diaphragms always differ in the case of an arbitrary displacement of the diaphragms.
摘要翻译：本发明涉及一种用于设置微光刻投影曝光装置的物平面中的扫描积分照明能量的部件。在这种情况下，该部件包括多个隔膜，它们相对于垂直于扫描移动的方向彼此并排布置，并且其形状不同，并且其位置可以在扫描方向上大致改变，的照明能量可以被至少一个隔膜遮挡。在这种情况下，单个隔膜的形式特别适用于其中布置有该部件的隔膜平面中的照明形式。这具有以下效果：在隔膜的任意位移的情况下，两个隔膜的至少一部分限界边缘总是不同。

7. 发明申请

WO2007128407A1 ILLUMINATION SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY AS WELL AS A FIRST AND SECOND OPTICAL ELEMENT FOR USE IN AN ILLUMINATION SYSTEM OF THIS TYPE 审中-公开
标题翻译：用于EUV光刻的照明系统，作为在该类型的照明系统中使用的第一和第二光学元件
公开(公告)号：WO2007128407A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/EP2007/003609
申请日：2007-04-25
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens
发明人： ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B26/0833 , G02B5/09 , G02B17/06 , G03F7/70075 , G03F7/70116
摘要： An illumination system for EUV lithography is used for illuminating a predetermined illumination field (2) of an object surface with EUV radiation (4). The illumination system has a source for the EUV radiation (4). A first optical element (7) is used to generate secondary light sources in the illumination system. A surface, impacted by EUV radiation (4), of the first optical element (7) is divided into a plurality of first facet elements (8 to 11). The latter are each associated with partial beams (12 to 15) of the EUV radiation (4). A second optical element (20) at the location of the secondary light sources is impacted by EUV radiation (4) over an impactable area via the first optical element (7), which impactable surface is divided into a plurality of second facet elements (21 to 24). The latter are each associated with at least one of the first facet elements (8 to 11) impacting the respective second facet element (21 to 24) to generate the secondary light sources. The second optical element (20) is at least part of an optical arrangement which images the first optical element (8 to 11) in a plane predetermined by the object surface. At least selections of the first facet elements (8 to 11) are configured and oriented in such a way that they are imaged in one of at least two partial fields (31, 32) of the illumination field (2) by the optical arrangement. The partial fields (31, 32) make up the entire illumination field (2), and intersection between the partial fields, if it exists at all, is always smaller than each of the partial fields contributing to the intersection. An illumination system is produced in which changing between various illumination settings is possible even when a second optical element is used which has fewer facet elements compared to the prior art.
摘要翻译：用于EUV光刻的照明系统用于用EUV辐射（4）照射物体表面的预定照明场（2）。照明系统具有EUV辐射源（4）。第一光学元件（7）用于在照明系统中产生二次光源。受第一光学元件（7）的EUV辐射（4）影响的表面被分成多个第一小面元件（8至11）。后者各自与EUV辐射（4）的部分光束（12至15）相关联。在次级光源的位置处的第二光学元件（20）经由第一光学元件（7）在可冲击区域上被EUV辐射（4）撞击，该可冲击表面被分成多个第二小面元件（21 到24）。后者各自与影响相应的第二小面元件（21至24）的第一面元件（8至11）中的至少一个相关联，以产生次级光源。第二光学元件（20）是在由物体表面预定的平面中对第一光学元件（8至11）进行成像的光学装置的至少一部分。第一小面元件（8至11）的至少选择被配置和定向成使得它们通过光学装置成像为照明场（2）的至少两个部分场（31,32）之一。部分场（31,32）构成整个照明场（2），部分场的交点如果存在，总是小于有助于交点的每个局部场。制造照明系统，其中即使使用与现有技术相比具有较少的小面元件的第二光学元件，也可以在各种照明设置之间进行变化。

8. 发明申请

WO2012076454A1 ILLUMINATION OPTICAL SYSTEM FOR PROJECTION LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于投影光刻的照明光学系统
公开(公告)号：WO2012076454A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/EP2011/071714
申请日：2011-12-05
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , OSSMANN, Jens , ENDRES, Martin , STÜTZLE, Ralf
发明人： OSSMANN, Jens , ENDRES, Martin , STÜTZLE, Ralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70141 , G03F7/70058
摘要： An illumination optical system for projection lithography has an optical assembly for guiding illumination light to an object field (19) to be illuminated in an object plane (17). The illumination optical system divides a bundle of the illumination light into a plurality of part bundles, which are allocated to various illumination directions of the object field illumination. The illumination optical system is configured in such a way that at least some of the part bundles are superimposed on one another in a first superimposition plane (31) according to a first superimposition specification and in a second superimposition plane (16), which is spaced apart from the first superimposition plane (31), according to a second superimposition specification. The result is an illumination optical system, in which an influencing and/or a monitoring of an illumination intensity distribution over the object field is made possible, as far as possible without influencing an illumination angle distribution.
摘要翻译：用于投影光刻的照明光学系统具有用于将照明光引导到在物平面（17）中被照明的物场（19）的光学组件。照明光学系统将一束照明光分成分配给物场照明的各种照明方向的多个部分束。照明光学系统被配置成使得至少一些部分束根据第一叠加指示在第一叠加平面（31）中彼此重叠，并且在第二叠加平面（16）中被间隔开除了第一叠加平面（31）之外，根据第二重叠规格。结果是在不影响照明角度分布的情况下尽可能地使对物场的照明强度分布的影响和/或监视成为可能的照明光学系统。

9. 发明申请

WO2008022683A1 BELEUCHTUNGSSYSTEM MIT EINEM DETEKTOR ZUR AUFNAHME EINER LICHTINTENSITÄT 审中-公开
标题翻译：用检测照明系统，用于接收光强
公开(公告)号：WO2008022683A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/EP2007/006520
申请日：2007-07-23
申请人： CARL ZEISS SMT AG , OSSMANN, Jens
发明人： OSSMANN, Jens
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70725 , G03F7/70108 , G03F7/70358 , G03F7/70558
摘要： Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithograhie-Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Beleuchtungssystem eine Lichtquelle, die Licht im Wellenlängenbereich
摘要翻译：本发明涉及一种用于Mikrolithograhie投射曝光设备的照明系统，其中所述照明系统包括在所述波长范围内发光的光源<=发射100纳米，特别是在EUV波长范围，对于出射光瞳平面（121）的照明，以及 - 与所述的至少一个元件在出射光瞳平面（121）的第一照明（22）可在第二照明（24）和用于检测光，其中其特征在于，所述照明系统包括一个装置（164）中的至少一个检测器（106.1,106.2）被改变，则检测器（106.1,106.2）的具有至少所接收的光强度信号的函数的至少一个的光强度信号，并且，控制信号（166），使提供给在微光刻投射曝光设备的像平面（221）中设置一个光敏感物体的扫描速度可以。

10. 发明公开

EP2064597A1 BELEUCHTUNGSSYSTEM MIT EINEM DETEKTOR ZUR AUFNAHME EINER LICHTINTENSITÄT 有权转让
标题翻译：用检测照明系统，用于接收光强
公开(公告)号：EP2064597A1
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：EP07786264.7
申请日：2007-07-23
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： OSSMANN, Jens
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70725 , G03F7/70108 , G03F7/70358 , G03F7/70558
摘要： The invention relates to an illumination system for a microlithography projection exposure apparatus, wherein the illumination system comprises a light source, which emits light in the wavelength range

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