专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201735399A 具有複數個發光結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TW201735399A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106123904
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU,CHEN , 張峻瑋 , CHANG,CHUN-WEI , 吳致緯 , WU,CHIH-WEI , 王聖智 , WANG,SHENG-CHIH , 蔡欣玫 , TSAI,HSIN-MEI , 蔡佳珍 , TSAI,CHIA-CHEN , 張全成 , CHANG,CHUAN-CHENG
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一發光元件，包含︰一第一半導體層；一第一發光結構、一第二發光結構以及一第三發光結構，位於第一半導體層之上，其中第一半導體層為連續的；一第一溝槽，位於第一發光結構與第二發光結構之間，曝露第一半導體層之一上表面；一第二溝槽，位於第二發光結構與第三發光結構之間，曝露第一半導體層之上表面；一第三溝槽，位於些發光結構其中之一之中，曝露第一半導體層，其中第三溝槽隨著一第一延伸方向延伸，第一延伸方向平行於第一半導體層；一絕緣橋接部，位於第一溝槽及第二溝槽中，連接些發光結構；一第一電極，位於第三溝槽中，且電性連接第一半導體層；以及一第二電極，包含一第二打線部，位於些發光結構其中之一之上，以及一第二延伸部，延伸自第二打線部；其中第二延伸部位於絕緣橋接部上，且延伸至些發光結構。
简体摘要：一发光组件，包含︰一第一半导体层；一第一发光结构、一第二发光结构以及一第三发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一半导体层为连续的；一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层之一上表面；一第二沟槽，位于第二发光结构与第三发光结构之间，曝露第一半导体层之上表面；一第三沟槽，位于些发光结构其中之一之中，曝露第一半导体层，其中第三沟槽随着一第一延伸方向延伸，第一延伸方向平行于第一半导体层；一绝缘桥接部，位于第一沟槽及第二沟槽中，连接些发光结构；一第一电极，位于第三沟槽中，且电性连接第一半导体层；以及一第二电极，包含一第二打线部，位于些发光结构其中之一之上，以及一第二延伸部，延伸自第二打线部；其中第二延伸部位于绝缘桥接部上，且延伸至些发光结构。

2. 发明专利

TW201618341A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201618341A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104137436
申请日：2015-11-13
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN-YING , 郭得山 , KUO, DE-SHAN , 莊文宏 , CHUANG, WEN-HUNG , 柯淙凱 , KO, TSUN-KAI , 蔡佳珍 , TSAI, CHIA-CHEN , 許琪揚 , SHEU, CHYI-YANG , 陳俊昌 , CHEN, CHUN-CHANG
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/387
摘要：一種發光元件，包含：一基板；一第一發光疊層位於基板上，包含一三角形上表面，與基板平行且具有三個邊及三個頂點；一第一電極位於第一發光疊層上，且位於鄰近三角形上表面三個邊中之一第一邊；以及一第二電極位於第一發光疊層上，包含：一第二電極打線墊位於鄰近三個頂點中之一第一頂點；以及一第二電極延伸部，自第二電極打線墊往兩方向延伸，沿三角形上表面之另兩個邊設置以圍繞第一電極，並停在第一邊上以形成一開口部。
简体摘要：一种发光组件，包含：一基板；一第一发光叠层位于基板上，包含一三角形上表面，与基板平行且具有三个边及三个顶点；一第一电极位于第一发光叠层上，且位于邻近三角形上表面三个边中之一第一边；以及一第二电极位于第一发光叠层上，包含：一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中之一第一顶点；以及一第二电极延伸部，自第二电极打线垫往两方向延伸，沿三角形上表面之另两个边设置以围绕第一电极，并停在第一边上以形成一开口部。

3. 发明专利

TW201508947A 具有複數個發光結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TW201508947A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102130742
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU, CHEN , 張峻瑋 , CHANG, CHUN WEI , 吳致緯 , WU, CHIH WEI , 王聖智 , WANG, SHENG CHIH , 蔡欣玫 , TSAI, HSIN MEI , 蔡佳珍 , TSAI, CHIA CHEN , 張全成 , CHANG, CHUAN CHENG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38
摘要：一發光元件，包含一第一半導體層；一第一發光結構與一第二發光結構，位於第一半導體層之上；一第一電極，位於第一半導體層之上；一第二電極，位於第一發光結構之上；以及一第一溝槽，位於第一發光結構與第二發光結構之間，曝露第一半導體層，其中第一電極與第二電極不位於第一溝槽之中。。
简体摘要：一发光组件，包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；一第一电极，位于第一半导体层之上；一第二电极，位于第一发光结构之上；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。。

4. 发明专利

TWI692116B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI692116B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106144622
申请日：2017-12-19
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：蔡佳珍 , TSAI, CHIA-CHEN , 郭得山 , KUO, DE-SHAN , 李奇霖 , LEE, CHI-LING , 卓亨穎 , CHO, HENG-YING , 歐震 , OU, CHEN , 陳俊揚 , CHEN, JUIN-YANG
IPC分类号： H01L33/02

5. 发明专利

TWI597864B 具有複數個發光結構之發光元件有权
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TWI597864B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW102130742
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU, CHEN , 張峻瑋 , CHANG, CHUN WEI , 吳致緯 , WU, CHIH WEI , 王聖智 , WANG, SHENG CHIH , 蔡欣玫 , TSAI, HSIN MEI , 蔡佳珍 , TSAI, CHIA CHEN , 張全成 , CHANG, CHUAN CHENG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38

6. 发明专利

TW201836170A 具有複數個發光結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TW201836170A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107123850
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU,CHEN , 張峻瑋 , CHANG,CHUN-WEI , 吳致緯 , WU,CHIH-WEI , 王聖智 , WANG,SHENG-CHIH , 蔡欣玫 , TSAI,HSIN-MEI , 蔡佳珍 , TSAI,CHIA-CHEN , 張全成 , CHANG,CHUAN-CHENG
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一發光元件，包含︰一第一半導體層，包含一上表面以及與上表面相對的一下表面；一第一發光結構以及一第二發光結構，形成在第一半導體層上，其中第一半導體層是連續的；一第一溝槽，形成在第一發光結構和第二發光結構之間，包含一底部暴露第一半導體層的一表面；一第一電極，形成在第一半導體層上並與第一半導體層電連接；以及一第二電極，形成在第一發光結構上，包含一第二打線區以及從第二打線區延伸的複數個第二延伸部；其中，第二打線區形成在第一發光結構和第二發光結構之間，複數個第二延伸部分別延伸到第一發光結構和第二發光結構；其中，第一溝槽穿過第一半導體層的上表面但不延伸到第一半導體層的下表面；以及其中，第一溝槽由上視觀之具有一等寬的寬度。
简体摘要：一发光组件，包含︰一第一半导体层，包含一上表面以及与上表面相对的一下表面；一第一发光结构以及一第二发光结构，形成在第一半导体层上，其中第一半导体层是连续的；一第一沟槽，形成在第一发光结构和第二发光结构之间，包含一底部暴露第一半导体层的一表面；一第一电极，形成在第一半导体层上并与第一半导体层电连接；以及一第二电极，形成在第一发光结构上，包含一第二打线区以及从第二打线区延伸的复数个第二延伸部；其中，第二打线区形成在第一发光结构和第二发光结构之间，复数个第二延伸部分别延伸到第一发光结构和第二发光结构；其中，第一沟槽穿过第一半导体层的上表面但不延伸到第一半导体层的下表面；以及其中，第一沟槽由上视观之具有一等宽的宽度。

7. 发明专利

TWI633683B 具有複數個發光結構之發光元件有权
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TWI633683B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106123904
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU,CHEN , 張峻瑋 , CHANG,CHUN-WEI , 吳致緯 , WU,CHIH-WEI , 王聖智 , WANG,SHENG-CHIH , 蔡欣玫 , TSAI,HSIN-MEI , 蔡佳珍 , TSAI,CHIA-CHEN , 張全成 , CHANG,CHUAN-CHENG
IPC分类号： H01L33/36

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式