专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI625868B 光電元件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI625868B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103123102
申请日：2014-07-03
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 王佳琨 , WANG, JIA KUEN , 廖健智 , LIAO, CHIEN CHIH , 曾咨耀 , TSENG, TZU YAO , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 沈建賦 , SHEN, CHIEN FU
IPC分类号： H01L33/36

2. 发明专利

TWI601280B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI601280B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105130564
申请日：2011-02-25
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 沈建賦 , SHEN,CHIEN-FU , 洪詳竣 , HON,SCHANG-JING , 柯淙凱 , KO,TSUN-KAI , 王希維 , WANG,ALEXANDER-CHAN , 韓政男 , HAN,CHENG-NAN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/50 , H01L25/16

3. 发明专利

TW201733162A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201733162A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106121372
申请日：2013-10-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：柯竣騰 , KO,CHUN-TENG , 郭得山 , KUO,DE-SHAN , 塗均祥 , TU,CHUN-HSIANG , 邱柏順 , CHIU,PO-SHUN , 鍾健凱 , CHUNG,CHIEN-KAI , 葉慧君 , YEH,HUI-CHUN , 蔡旻諺 , TSAI,MIN-YEN , 柯淙凱 , KO,TSUN-KAI , 陳俊揚 , CHEN,JUIN-YANG
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一發光元件，包含一第一半導體層；以及一透明導電氧化層，其包含一具有一第一金屬材料之擴散區域及一不具有第一金屬材料之非擴散區域，其中非擴散區域比擴散區域更靠近第一半導體層。
简体摘要：一发光组件，包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料之扩散区域及一不具有第一金属材料之非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。

4. 发明专利

TW201717352A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW201717352A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW106106006
申请日：2011-08-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳昭興 , CHEN,CHAO HSING , 沈建賦 , SHEN,CHIEN FU , 柯淙凱 , KO,TSUN KAI , 洪詳竣 , HON,SCHANG JING
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/15
CPC分类号： H01L23/60 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/089 , Y02B20/341 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體元件，包含一串聯式連接的發光二極體元件陣列，具有複數發光二極體單元置於單一基板上，彼此電性串聯，包含一第一發光二極體單元、一第二發光二極體單元、以及一子發光二極體單元陣列包含至少三個子發光二極體單元，介於第一與第二發光二極體單元之間；其中，第一與第二發光二極體單元各具有一第一側與一第二側，第一及/或第二發光二極體單元的第一側鄰近子發光二極體單元陣列，第一發光二極體單元的第二側鄰近該第二發光二極體單元的第二側，第一與第二發光二極體單元的第一半導體層位於兩相鄰第二側之間的距離介於15-50微米；以及複數傳導金屬，分別位於相鄰發光二極體單元之間，傳導金屬分別包含一延伸部，延伸部之末端具有大於傳導金屬線寬的曲率半徑。
简体摘要：一种发光二极管组件，包含一串联式连接的发光二极管组件数组，具有复数发光二极管单元置於单一基板上，彼此电性串联，包含一第一发光二极体单元、一第二发光二极管单元、以及一子发光二极管单元数组包含至少三个子发光二极管单元，介于第一与第二发光二极管单元之间；其中，第一与第二发光二极管单元各具有一第一侧与一第二侧，第一及/或第二发光二极管单元的第一侧邻近子发光二极管单元数组，第一发光二极管单元的第二侧邻近该第二发光二极管单元的第二侧，第一与第二发光二极管单元的第一半导体层位于两相邻第二侧之间的距离介于15-50微米；以及复数传导金属，分别位于相邻发光二极管单元之间，传导金属分别包含一延伸部，延伸部之末端具有大于传导金属线宽的曲率半径。

5. 外观设计

TWD175295S 發光二極體陣列之部分有权
简体标题：发光二极管阵列之部分
公开(公告)号：TWD175295S
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104300858
申请日：2015-02-16
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：葉慧君 , YEH, HUI-CHUN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN-FU , 柯淙凱 , KO, TSUN-KAI

6. 发明专利

TWI525849B 發光二極體裝置有权
简体标题：发光二极管设备
公开(公告)号：TWI525849B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW100108640
申请日：2011-03-14
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING
IPC分类号： H01L33/00

7. 发明专利

TWI495155B 光電元件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI495155B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW102138040
申请日：2010-12-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：郭得山 , KUO, DE SHAN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI
IPC分类号： H01L33/14

8. 外观设计

TWD169525S 發光二極體元件之部分有权
简体标题：发光二极管组件之部分
公开(公告)号：TWD169525S
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103304292
申请日：2014-07-21
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 黃鈺婷 , HUANG, YU TING , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI

9. 发明专利

TW201419583A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201419583A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102138857
申请日：2013-10-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：柯竣騰 , KO, CHUN TENG , 郭得山 , KUO, DE SHAN , 塗均祥 , TU, CHUN HSIANG , 邱柏順 , CHIU, PO SHUN , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 葉慧君 , YEH, HUI CHUN , 蔡旻諺 , TSAI, MIN YEN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 陳俊揚 , CHEN, JUIN YANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/40 , H01L33/405
摘要：一發光元件，包含一第一半導體層；以及一透明導電氧化層，其包含一具有一第一金屬材料之擴散區域及一不具有第一金屬材料之非擴散區域，其中非擴散區域比擴散區域更靠近第一半導體層。
简体摘要：一发光组件，包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料之扩散区域及一不具有第一金属材料之非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。

10. 发明专利

TWI419367B 光電元件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI419367B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW099142035
申请日：2010-12-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：郭得山 , KUO, DE SHAN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/30 , H01L31/035227 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/145 , H01L51/5275 , H01S2304/12

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式