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1. 发明专利

TWI690093B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI690093B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW106111396
申请日：2017-04-05
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU, CHEN , 許琪揚 , SHEU, CHYI-YANG , 賈逸平 , CHIA, YI-PING , 陳俊昌 , CHEN, CHUN-CHANG
IPC分类号： H01L33/38

2. 发明专利

TW202005115A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW202005115A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108135396
申请日：2018-01-18
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：張利銘 , CHANG, LI-MING , 葉宗勲 , YEH, TZUN-SHIUN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN-FU , 林育瑞 , LIN, YU-RUI , 歐震 , OU, CHEN , 王心盈 , WANG, HSIN-YING , 葉慧君 , YEH, HUI-CHUN
IPC分类号： H01L33/38
摘要：一種發光元件，包含：一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣以及一第四邊緣，其中第一邊緣和第三邊緣相對，且第二邊緣和第四邊緣相對；一半導體疊層，形成在一基板上，包含一第一半導體層、一第二半導體層以及一活性層形成在其間；一透明導電層，形成在第二半導體層上；一第一電極，形成在第一半導體層上，包含一第一焊盤電極以及一從第一焊盤電極延伸的第一指狀電極；以及一第二電極，形成在第二半導體層上，其中第二電極包含一第二焊盤電極以及一從第二焊盤電極延伸的第二指狀電極；其中第一指狀電極設置在第一邊緣處並沿第一邊緣延伸；由上視觀之，第二半導體層包括一輪廓，輪廓包含與第一指狀電極相鄰且平行的一第一子輪廓以及與第一子輪廓連接且與第一邊緣相鄰的一第二子輪廓；其中透明導電層與第一子輪廓之一間距小於透明導電層與第二子輪廓之一間距。
简体摘要：一种发光组件，包含：一第一边缘、一第二边缘、一第三边缘以及一第四边缘，其中第一边缘和第三边缘相对，且第二边缘和第四边缘相对；一半导体叠层，形成在一基板上，包含一第一半导体层、一第二半导体层以及一活性层形成在其间；一透明导电层，形成在第二半导体层上；一第一电极，形成在第一半导体层上，包含一第一焊盘电极以及一从第一焊盘电极延伸的第一指状电极；以及一第二电极，形成在第二半导体层上，其中第二电极包含一第二焊盘电极以及一从第二焊盘电极延伸的第二指状电极；其中第一指状电极设置在第一边缘处并沿第一边缘延伸；由上视观之，第二半导体层包括一轮廓，轮廓包含与第一指状电极相邻且平行的一第一子轮廓以及与第一子轮廓连接且与第一边缘相邻的一第二子轮廓；其中透明导电层与第一子轮廓之一间距小于透明导电层与第二子轮廓之一间距。

3. 发明专利

TW201836170A 具有複數個發光結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TW201836170A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107123850
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU,CHEN , 張峻瑋 , CHANG,CHUN-WEI , 吳致緯 , WU,CHIH-WEI , 王聖智 , WANG,SHENG-CHIH , 蔡欣玫 , TSAI,HSIN-MEI , 蔡佳珍 , TSAI,CHIA-CHEN , 張全成 , CHANG,CHUAN-CHENG
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一發光元件，包含︰一第一半導體層，包含一上表面以及與上表面相對的一下表面；一第一發光結構以及一第二發光結構，形成在第一半導體層上，其中第一半導體層是連續的；一第一溝槽，形成在第一發光結構和第二發光結構之間，包含一底部暴露第一半導體層的一表面；一第一電極，形成在第一半導體層上並與第一半導體層電連接；以及一第二電極，形成在第一發光結構上，包含一第二打線區以及從第二打線區延伸的複數個第二延伸部；其中，第二打線區形成在第一發光結構和第二發光結構之間，複數個第二延伸部分別延伸到第一發光結構和第二發光結構；其中，第一溝槽穿過第一半導體層的上表面但不延伸到第一半導體層的下表面；以及其中，第一溝槽由上視觀之具有一等寬的寬度。
简体摘要：一发光组件，包含︰一第一半导体层，包含一上表面以及与上表面相对的一下表面；一第一发光结构以及一第二发光结构，形成在第一半导体层上，其中第一半导体层是连续的；一第一沟槽，形成在第一发光结构和第二发光结构之间，包含一底部暴露第一半导体层的一表面；一第一电极，形成在第一半导体层上并与第一半导体层电连接；以及一第二电极，形成在第一发光结构上，包含一第二打线区以及从第二打线区延伸的复数个第二延伸部；其中，第二打线区形成在第一发光结构和第二发光结构之间，复数个第二延伸部分别延伸到第一发光结构和第二发光结构；其中，第一沟槽穿过第一半导体层的上表面但不延伸到第一半导体层的下表面；以及其中，第一沟槽由上视观之具有一等宽的宽度。

4. 发明专利

TWI633683B 具有複數個發光結構之發光元件有权
简体标题：具有复数个发光结构之发光组件
公开(公告)号：TWI633683B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106123904
申请日：2013-08-27
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU,CHEN , 張峻瑋 , CHANG,CHUN-WEI , 吳致緯 , WU,CHIH-WEI , 王聖智 , WANG,SHENG-CHIH , 蔡欣玫 , TSAI,HSIN-MEI , 蔡佳珍 , TSAI,CHIA-CHEN , 張全成 , CHANG,CHUAN-CHENG
IPC分类号： H01L33/36

5. 发明专利

TWI488250B 晶粒分類裝置有权
简体标题：晶粒分类设备
公开(公告)号：TWI488250B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW102106851
申请日：2009-07-23
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：徐宸科 , HSU, CHEN KE , 紀喨勝 , CHI, LIANG SHENG , 陳俊昌 , CHEN, CHUN CHANG , 蘇文正 , SU, WIN JIM , 林徐振 , LIN, HSU CHENG , 蔡美玲 , TSAI, MEI LING , 劉益龍 , LIU, YI LUNG , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L21/67 , B65G47/90

6. 发明专利

TW201334103A 晶粒分類裝置审中-公开
简体标题：晶粒分类设备
公开(公告)号：TW201334103A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102106851
申请日：2009-07-23
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：徐宸科 , HSU, CHEN KE , 紀喨勝 , CHI, LIANG SHENG , 陳俊昌 , CHEN, CHUN CHANG , 蘇文正 , SU, WIN JIM , 林徐振 , LIN, HSU CHENG , 蔡美玲 , TSAI, MEI LING , 劉益龍 , LIU, YI LUNG , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L21/67 , B65G47/90
摘要：一種晶粒分類裝置，包含一晶粒承載部，具有一第一面以及相對於第一面之第二面；一晶圓，包含一第一晶粒貼附於第一面之第一位置；一第一晶粒接收部，具有一第三面以及相對於第三面之第四面，第三面位於第一面之對側；一施壓器，藉由施壓器施壓於第二面對應於第一位置之處，使得第一晶粒與第三面互相貼附；以及一分離器，藉由分離器減弱第一晶粒與第一面之間的貼附力。
简体摘要：一种晶粒分类设备，包含一晶粒承载部，具有一第一面以及相对于第一面之第二面；一晶圆，包含一第一晶粒贴附于第一面之第一位置；一第一晶粒接收部，具有一第三面以及相对于第三面之第四面，第三面位于第一面之对侧；一施压器，借由施压器施压于第二面对应于第一位置之处，使得第一晶粒与第三面互相贴附；以及一分离器，借由分离器减弱第一晶粒与第一面之间的贴附力。

7. 发明专利

TWI517444B 光電半導體裝置有权
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TWI517444B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102105142
申请日：2009-06-03
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 葉慧君 , YEH, HUI CHEN , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 林安茹 , LIN, AN JU , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L31/00

8. 发明专利

TWI506163B 應用於氣相沉積的反應器及其承載裝置有权
简体标题：应用于气相沉积的反应器及其承载设备
公开(公告)号：TWI506163B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW101147714
申请日：2012-12-14
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：歐震 , OU, CHEN , 王韋涵 , WANG, WEI HAN , 翁健忠 , WENG, CHIEN TSUNG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/50

9. 发明专利

TW201519467A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201519467A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103104673
申请日：2014-02-12
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林植南 , LIN, CHI NAN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 楊於錚 , YANG, YU CHEN , 曾慶東 , TSENG, CHING TUNG , 何呈祥 , HO, CHENG HSIANG , 張峻瑋 , CHANG, CHUN WEI , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/02 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/002 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014
摘要：一發光元件，包含一發光疊層，包含一上表面，其中上表面包含一第一平坦部；一保護層包含一電流阻擋部位於第一平坦部之上；以及一覆蓋部位於上表面之上，其中電流阻擋部與覆蓋部空間上隔離；以及一第一電極包覆電流阻擋部。
简体摘要：一发光组件，包含一发光叠层，包含一上表面，其中上表面包含一第一平坦部；一保护层包含一电流阻挡部位于第一平坦部之上；以及一覆盖部位于上表面之上，其中电流阻挡部与覆盖部空间上隔离；以及一第一电极包复电流阻挡部。

10. 发明专利

TWI481074B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI481074B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW098146640
申请日：2009-12-31
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：徐宸科 , HSU, CHEN KE , 余學志 , YU, HSUEH CHIH , 蘇文正 , SU, WIN JIM , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/20

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