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1. 外观设计

TWD167978S 發光二極體元件之部分有权
简体标题：发光二极管组件之部分
公开(公告)号：TWD167978S
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW103304293
申请日：2014-07-21
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 黃鈺婷 , HUANG, YU TING , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI

2. 发明专利

TWI453908B 發光結構有权
简体标题：发光结构
公开(公告)号：TWI453908B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW100133033
申请日：2011-09-13
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 許生杰 , HSU, SHENG JIE , 郭得山 , KUO, DE SHAN , 王心盈 , WANG, HSIN YING , 姚久琳 , YAO, CHIU LIN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 鍾健凱 , CHUN, CHIEN KAI
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201415667A 光電元件审中-公开
简体标题：光电组件
公开(公告)号：TW201415667A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102138855
申请日：2008-07-29
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：楊雅蘭 , YANG, YA LAN , 王心盈 , WANG, HSIN YING , 林錦源 , LIN, CHIN YUEN
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/40
摘要：一種光電元件，包含一半導體發光疊層，具有一第一半導體層、一主動層與一第二半導體層，其中第一半導體層之表面，具有許多凹陷；一透明導電層，形成於第一半導體層之表面，使得凹陷形成內含空氣的孔洞；更設置一金屬反射層於透明導電層之上，以形成一具有高反射率之全方向性反射層。
简体摘要：一种光电组件，包含一半导体发光叠层，具有一第一半导体层、一主动层与一第二半导体层，其中第一半导体层之表面，具有许多凹陷；一透明导电层，形成于第一半导体层之表面，使得凹陷形成内含空气的孔洞；更设置一金属反射层于透明导电层之上，以形成一具有高反射率之全方向性反射层。

4. 发明专利

TW202005115A 發光二極體元件审中-公开
简体标题：发光二极管组件
公开(公告)号：TW202005115A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108135396
申请日：2018-01-18
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：張利銘 , CHANG, LI-MING , 葉宗勲 , YEH, TZUN-SHIUN , 沈建賦 , SHEN, CHIEN-FU , 林育瑞 , LIN, YU-RUI , 歐震 , OU, CHEN , 王心盈 , WANG, HSIN-YING , 葉慧君 , YEH, HUI-CHUN
IPC分类号： H01L33/38
摘要：一種發光元件，包含：一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣以及一第四邊緣，其中第一邊緣和第三邊緣相對，且第二邊緣和第四邊緣相對；一半導體疊層，形成在一基板上，包含一第一半導體層、一第二半導體層以及一活性層形成在其間；一透明導電層，形成在第二半導體層上；一第一電極，形成在第一半導體層上，包含一第一焊盤電極以及一從第一焊盤電極延伸的第一指狀電極；以及一第二電極，形成在第二半導體層上，其中第二電極包含一第二焊盤電極以及一從第二焊盤電極延伸的第二指狀電極；其中第一指狀電極設置在第一邊緣處並沿第一邊緣延伸；由上視觀之，第二半導體層包括一輪廓，輪廓包含與第一指狀電極相鄰且平行的一第一子輪廓以及與第一子輪廓連接且與第一邊緣相鄰的一第二子輪廓；其中透明導電層與第一子輪廓之一間距小於透明導電層與第二子輪廓之一間距。
简体摘要：一种发光组件，包含：一第一边缘、一第二边缘、一第三边缘以及一第四边缘，其中第一边缘和第三边缘相对，且第二边缘和第四边缘相对；一半导体叠层，形成在一基板上，包含一第一半导体层、一第二半导体层以及一活性层形成在其间；一透明导电层，形成在第二半导体层上；一第一电极，形成在第一半导体层上，包含一第一焊盘电极以及一从第一焊盘电极延伸的第一指状电极；以及一第二电极，形成在第二半导体层上，其中第二电极包含一第二焊盘电极以及一从第二焊盘电极延伸的第二指状电极；其中第一指状电极设置在第一边缘处并沿第一边缘延伸；由上视观之，第二半导体层包括一轮廓，轮廓包含与第一指状电极相邻且平行的一第一子轮廓以及与第一子轮廓连接且与第一边缘相邻的一第二子轮廓；其中透明导电层与第一子轮廓之一间距小于透明导电层与第二子轮廓之一间距。

5. 外观设计

TWD190563S 發光二極體陣列之部分有权
简体标题：发光二极管阵列之部分
公开(公告)号：TWD190563S
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106303566
申请日：2017-06-23
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：王心盈 , WANG, HSIN-YING , 葉宗勳 , YEH, TZUNG-SHIUN , 李承育 , LI, CHENG-YU , 沈建賦 , SHEN, CHIEN-FU

6. 发明专利

TWI532161B 發光結構有权
简体标题：发光结构
公开(公告)号：TWI532161B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103125629
申请日：2011-09-13
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 許生杰 , HSU, SHENG JIE , 郭得山 , KUO, DE SHAN , 王心盈 , WANG, HSIN YING , 姚久琳 , YAO, CHIU LIN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 鍾健凱 , CHUN, CHIEN KAI
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI557934B 半導體光電元件有权
简体标题：半导体光电组件
公开(公告)号：TWI557934B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100112126
申请日：2011-04-06
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳吉興 , CHEN, CHI HSING , 張湘苓 , CHANG, HSIANG LING , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 姚久琳 , YAO, CHIU LIN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/042
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 外观设计

TWD169525S 發光二極體元件之部分有权
简体标题：发光二极管组件之部分
公开(公告)号：TWD169525S
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103304292
申请日：2014-07-21
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 黃鈺婷 , HUANG, YU TING , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI

9. 发明专利

TW201421732A 一種半導體光電元件及其製作方法审中-公开
简体标题：一种半导体光电组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201421732A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102147698
申请日：2010-07-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳吉興 , CHEN, CHI HSING , 張湘苓 , CHANG, HSIANG LING
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01L27/15
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明關於一種半導體光電元件，包括一操作基板；一半導體磊晶疊層單元，設置於操作基板上；半導體磊晶疊層單元包括一設置於操作基板上，具有第一導電特性之第一半導體材料層，以及一設置於第一半導體材料層上，具有第二導電特性之第二半導體材料層；一透明導電層，設置於第二半導體材料層上，透明導電層包括一第一表面、一直接接觸部，設置於第一表面上，與第二半導體材料層直接接觸、一第二表面，實質平行第一表面、一直接接觸對應部，設置於第二表面相對於直接接觸部上；以及一第一電極，設置於操作基板上，藉由透明導電層與半導體磊晶疊層電性連結；其中，第一電極與透明導電層藉由直接接觸部與直接接觸對應部之外的區域相互電性連結。
简体摘要：本发明关于一种半导体光电组件，包括一操作基板；一半导体磊晶叠层单元，设置于操作基板上；半导体磊晶叠层单元包括一设置于操作基板上，具有第一导电特性之第一半导体材料层，以及一设置于第一半导体材料层上，具有第二导电特性之第二半导体材料层；一透明导电层，设置于第二半导体材料层上，透明导电层包括一第一表面、一直接接触部，设置于第一表面上，与第二半导体材料层直接接触、一第二表面，实质平行第一表面、一直接接触对应部，设置于第二表面相对于直接接触部上；以及一第一电极，设置于操作基板上，借由透明导电层与半导体磊晶叠层电性链接；其中，第一电极与透明导电层借由直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性链接。

10. 发明专利

TWI427829B 一種半導體光電元件及其製作方法有权
简体标题：一种半导体光电组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI427829B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099124637
申请日：2010-07-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：王心盈 , WANG, HSIN YING , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 陳吉興 , CHEN, CHI HSING , 張湘苓 , CHANG, HSIANG LING
IPC分类号： H01L33/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01L27/15
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/14636 , H01L27/156 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/42

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