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    • 1. 发明专利
    • 具有複數個發光結構之發光元件
    • 具有复数个发光结构之发光组件
    • TW201735399A
    • 2017-10-01
    • TW106123904
    • 2013-08-27
    • 晶元光電股份有限公司EPISTAR CORPORATION
    • 歐震OU,CHEN張峻瑋CHANG,CHUN-WEI吳致緯WU,CHIH-WEI王聖智WANG,SHENG-CHIH蔡欣玫TSAI,HSIN-MEI蔡佳珍TSAI,CHIA-CHEN張全成CHANG,CHUAN-CHENG
    • H01L33/36
    • 一發光元件,包含︰一第一半導體層;一第一發光結構、一第二發光結構以及一第三發光結構,位於第一半導體層之上,其中第一半導體層為連續的;一第一溝槽,位於第一發光結構與第二發光結構之間,曝露第一半導體層之一上表面;一第二溝槽,位於第二發光結構與第三發光結構之間,曝露第一半導體層之上表面;一第三溝槽,位於些發光結構其中之一之中,曝露第一半導體層,其中第三溝槽隨著一第一延伸方向延伸,第一延伸方向平行於第一半導體層;一絕緣橋接部,位於第一溝槽及第二溝槽中,連接些發光結構;一第一電極,位於第三溝槽中,且電性連接第一半導體層;以及一第二電極,包含一第二打線部,位於些發光結構其中之一之上,以及一第二延伸部,延伸自第二打線部;其中第二延伸部位於絕緣橋接部上,且延伸至些發光結構。
    • 一发光组件,包含︰一第一半导体层;一第一发光结构、一第二发光结构以及一第三发光结构,位于第一半导体层之上,其中第一半导体层为连续的;一第一沟槽,位于第一发光结构与第二发光结构之间,曝露第一半导体层之一上表面;一第二沟槽,位于第二发光结构与第三发光结构之间,曝露第一半导体层之上表面;一第三沟槽,位于些发光结构其中之一之中,曝露第一半导体层,其中第三沟槽随着一第一延伸方向延伸,第一延伸方向平行于第一半导体层;一绝缘桥接部,位于第一沟槽及第二沟槽中,连接些发光结构;一第一电极,位于第三沟槽中,且电性连接第一半导体层;以及一第二电极,包含一第二打线部,位于些发光结构其中之一之上,以及一第二延伸部,延伸自第二打线部;其中第二延伸部位于绝缘桥接部上,且延伸至些发光结构。
    • 2. 发明专利
    • 具有複數個發光結構之發光元件
    • 具有复数个发光结构之发光组件
    • TW201836170A
    • 2018-10-01
    • TW107123850
    • 2013-08-27
    • 晶元光電股份有限公司EPISTAR CORPORATION
    • 歐震OU,CHEN張峻瑋CHANG,CHUN-WEI吳致緯WU,CHIH-WEI王聖智WANG,SHENG-CHIH蔡欣玫TSAI,HSIN-MEI蔡佳珍TSAI,CHIA-CHEN張全成CHANG,CHUAN-CHENG
    • H01L33/36
    • 一發光元件,包含︰一第一半導體層,包含一上表面以及與上表面相對的一下表面;一第一發光結構以及一第二發光結構,形成在第一半導體層上,其中第一半導體層是連續的;一第一溝槽,形成在第一發光結構和第二發光結構之間,包含一底部暴露第一半導體層的一表面;一第一電極,形成在第一半導體層上並與第一半導體層電連接;以及一第二電極,形成在第一發光結構上,包含一第二打線區以及從第二打線區延伸的複數個第二延伸部;其中,第二打線區形成在第一發光結構和第二發光結構之間,複數個第二延伸部分別延伸到第一發光結構和第二發光結構;其中,第一溝槽穿過第一半導體層的上表面但不延伸到第一半導體層的下表面;以及其中,第一溝槽由上視觀之具有一等寬的寬度。
    • 一发光组件,包含︰一第一半导体层,包含一上表面以及与上表面相对的一下表面;一第一发光结构以及一第二发光结构,形成在第一半导体层上,其中第一半导体层是连续的;一第一沟槽,形成在第一发光结构和第二发光结构之间,包含一底部暴露第一半导体层的一表面;一第一电极,形成在第一半导体层上并与第一半导体层电连接;以及一第二电极,形成在第一发光结构上,包含一第二打线区以及从第二打线区延伸的复数个第二延伸部;其中,第二打线区形成在第一发光结构和第二发光结构之间,复数个第二延伸部分别延伸到第一发光结构和第二发光结构;其中,第一沟槽穿过第一半导体层的上表面但不延伸到第一半导体层的下表面;以及其中,第一沟槽由上视观之具有一等宽的宽度。