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2. 发明专利

TW202027298A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW202027298A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW107147868
申请日：2018-12-28
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN
IPC分类号： H01L33/12
摘要：本發明內容提供一種半導體元件，其包括基層以及緩衝結構。基層包含第一半導體化合物。第一半導體化合物具有第一晶格常數並包含複數元素，且各複數元素中原子半徑最大者之原子半徑定義為第一原子半徑。緩衝結構包含第二半導體化合物以及第一添加物，第二半導體化合物具有第二晶格常數，且第一添加物具有第二原子半徑。第二晶格常數大於第一晶格常數，且第二原子半徑大於第一原子半徑。
简体摘要：本发明内容提供一种半导体组件，其包括基层以及缓冲结构。基层包含第一半导体化合物。第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含复数元素，且各复数元素中原子半径最大者之原子半径定义为第一原子半径。缓冲结构包含第二半导体化合物以及第一添加物，第二半导体化合物具有第二晶格常数，且第一添加物具有第二原子半径。第二晶格常数大于第一晶格常数，且第二原子半径大于第一原子半径。

3. 发明专利

TW202027294A 半導體疊層、半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体叠层、半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202027294A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW107147857
申请日：2018-12-28
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳孟揚 , CHEN, MENG-YANG , 李榮仁 , LEE, RONG-REN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/30
摘要：本發明內容提供一種半導體疊層、半導體元件及其製造方法。半導體元件包含第一半導體層以及發光結構。第一半導體層包含第一III-V族半導體材料、第一摻雜物及第二摻雜物。發光結構位於第一半導體層上且包含活性結構。在第一半導體層中，第二摻雜物的濃度大於第一摻雜物的濃度，且第一摻雜物為碳，第二摻雜物為氫。
简体摘要：本发明内容提供一种半导体叠层、半导体组件及其制造方法。半导体组件包含第一半导体层以及发光结构。第一半导体层包含第一III-V族半导体材料、第一掺杂物及第二掺杂物。发光结构位于第一半导体层上且包含活性结构。在第一半导体层中，第二掺杂物的浓度大于第一掺杂物的浓度，且第一掺杂物为碳，第二掺杂物为氢。

4. 发明专利

TW202027110A 儲能元件及其製造方法审中-公开
简体标题：储能组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202027110A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW107147670
申请日：2018-12-28
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：郭家泰 , KUO, JAI-TAI , 吳長協 , WU, CHANG-HSIEH , 王聖博 , WANG, SHENG-BO , 謝明勳 , HSIEH, MIN-HSUN
IPC分类号： H01G11/36
摘要：一種儲能元件，包含圖形化基板、位於該圖形化基板之上的石墨烯層以及位於石墨烯層之上的隔離膜，且圖形化基板包含一突出部。
简体摘要：一种储能组件，包含图形化基板、位于该图形化基板之上的石墨烯层以及位于石墨烯层之上的隔离膜，且图形化基板包含一突出部。

5. 发明专利

TWI697941B 基板晶圓以及Ⅲ族氮化物半導體元件之製造方法有权
简体标题：基板晶圆以及Ⅲ族氮化物半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI697941B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105112210
申请日：2016-04-20
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳凱欣 , CHEN, KAI-SHEN , 黃信雄 , HUANG, HSIN-HSIUNG , 李宛蓉 , LEE, WAN-JUNG , 陳佩佳 , CHEN, PEI-CHIA , 戴永信 , DAI, YONG-XIN
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/30

6. 发明专利

TWI695061B 螢光材料及包含螢光材料之發光裝置有权
简体标题：萤光材料及包含萤光材料之发光设备
公开(公告)号：TWI695061B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105102406
申请日：2016-01-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林欣穎 , LIN, SHIN-YING , 林群哲 , LIN, CHUN CHE , 劉如熹 , LIU, RU-SHI , 許明祺 , HSU, MING-CHI , 劉埃森 , LIU, AI-SEN
IPC分类号： C09K9/00 , C09K11/80 , H01L33/50

7. 发明专利

TW202018979A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW202018979A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108140812
申请日：2019-11-11
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：張永富 , CHANG, YUNG-FU , 高慧芳 , KAO, HUI-FANG , 賴易堂 , LAI, YI-TANG , 李世昌 , LEE, SHIH-CHANG , 廖文祿 , LIAO, WEN-LUH , 劉美君 , LIU, MEI CHUN , 張耀儒 , CHANG, YAO-RU , 蕭翊 , HSIAO, YI
IPC分类号： H01L33/62
摘要：一種半導體元件包含一導電層、一半導體疊層、一第一接觸結構、一中間結構、一第二接觸結構、一第一電極以及一第二電極。半導體疊層位於導電層上且第一接觸結構位於半導體疊層上。中間結構包覆第一接觸結構。第二接觸結構位於導電層和半導體疊層之間。第一電極位於導電層上且與半導體疊層相隔開。第二電極位於中間結構上。
简体摘要：一种半导体组件包含一导电层、一半导体叠层、一第一接触结构、一中间结构、一第二接触结构、一第一电极以及一第二电极。半导体叠层位于导电层上且第一接触结构位于半导体叠层上。中间结构包覆第一接触结构。第二接触结构位于导电层和半导体叠层之间。第一电极位于导电层上且与半导体叠层相隔开。第二电极位于中间结构上。

8. 发明专利

TWI692120B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI692120B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105129229
申请日：2014-09-23
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳譽云 , CHEN,YU-YUN , 林永鑫 , LIN,YUNG-HSIN , 李芳儀 , LI,FANG-I , 潘錫明 , PAN,SHYI-MING
IPC分类号： H01L33/36

9. 外观设计

TWD204010S 發光裝置之部分有权
简体标题：发光设备之部分
公开(公告)号：TWD204010S
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108305359
申请日：2019-03-22
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：謝明勳 , HSIEH, MIN-HSUN , 王子翔 , WANG, TZU-HSIANG , 蒲計志 , PU, CHI-CHIH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN

10. 外观设计

TWD204009S 發光裝置之部分有权
简体标题：发光设备之部分
公开(公告)号：TWD204009S
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW108305358
申请日：2019-03-22
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
设计人：謝明勳 , HSIEH, MIN-HSUN , 王子翔 , WANG, TZU-HSIANG , 蒲計志 , PU, CHI-CHIH , 林雅雯 , LIN, YA-WEN

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