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1. 发明申请

WO2008028625A3 METHOD FOR SIMULTANEOUSLY DOPING AND OXIDIZING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND ITS USE 审中-公开
标题翻译：同时掺杂和氧化半导体衬底及其使用的方法
公开(公告)号：WO2008028625A3
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/EP2007007703
申请日：2007-09-04
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , BIRO DANIEL , PREU RALF , RENTSCH JOCHEN
发明人： BIRO DANIEL , PREU RALF , RENTSCH JOCHEN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for simultaneously doping and oxidizing semiconductor substrates and to doped and oxidized semiconductor substrates which have been produced in this manner. The invention also relates to the use of this method for producing solar cells.
摘要翻译：本发明涉及用于同时掺杂和氧化半导体衬底的方法以及以这种方式生产的掺杂和氧化的半导体衬底。此外，本发明涉及该方法用于生产太阳能电池的用途。

2. 发明申请

WO2008025392A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON ELEKTRISCHEN KONTAKTEN AUF HALBLEITENDE SUBSTRATE, HALBLEITENDES SUBSTRAT UND VERWENDUNG DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译：申请的程序的电接触半导电基材，半导体过程的基底和使用
公开(公告)号：WO2008025392A1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/EP2007/005658
申请日：2007-06-26
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ALEMÁN, Mónica , METTE, Ansgar , GLUNZ, Stefan , PREU, Ralf
发明人： ALEMÁN, Mónica , METTE, Ansgar , GLUNZ, Stefan , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L23/482
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/76838 , H01L24/03 , H01L31/18 , H01L2224/0401 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/3025 , Y02E10/50
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von mindestens einem elektrischen Kontakt auf ein halbleitendes Substrat, insbesondere Solarzellen, durch ein Lasersinterverfahren. Weiterhin betrifft vorliegende Erfindung ein derart hergestelltes halbleitendes Substrat, insbesondere eine Solarzelle sowie eine Verwendung des Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及用于施加半导电衬底上的至少一个电接触，尤其是太阳能电池，通过激光烧结法的方法。此外，本发明涉及一种如此制造半导体衬底，特别是太阳能电池和使用该方法。

3. 发明申请

WO2006008080A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM AUF MINDESTENS EINER OBERFLÄCHE ANGEORDNETEN ELEKTRISCHEN KONTAKT 审中-公开
标题翻译：有至少表面安装的电接触用半导体COMPONENT
公开(公告)号：WO2006008080A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/EP2005/007711
申请日：2005-07-15
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , METTE, Ansgar , GLUNZ, Stephan , PREU, Ralf , SCHETTER, Christian
发明人： METTE, Ansgar , GLUNZ, Stephan , PREU, Ralf , SCHETTER, Christian
IPC分类号： H01L31/0248
CPC分类号： H01L33/38 , H01L31/0248 , H01L31/0352 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem auf mindestens einer Oberfläche angeordneten elektrischen Kontakt, bei welchem über diese Oberfläche sowohl elektrische als auch optische Leistung in das Halbleiterbauelement ein- und/oder auskoppelbar ist, wobei der Kontakt an mindestens einer auf der Oberfläche angeordneten Kante angeordnet und durch galvanische oder außenstromlose Abscheidung eines Metalls oder einer Legierung erhältlich ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, bei welchem zunächst eine Kante an einer Oberfläche des Halbleiters ausgebildet wird und nachfolgend ein Kontakt galvanisch oder außenstromlos bei gleichzeitiger Einstrahlung von Licht an der Kante abgeschieden wird.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件，其中设置在接触到至少一个布置在所述边缘表面上，并且在该半导体器件具有布置在至少一个表面电接触开关和/或可以被耦合出，其中该表面电和光功率，可以由金属或合金的电镀或无电沉积来获得。此外，本发明涉及一种用于制造半导体元件，其中在半导体和随后的一个表面上形成首先的边缘，接触是电或不与在边缘处的光的同时照射外部电流沉积。

4. 发明申请

WO2012000612A2 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER SELEKTIVEN DOTIERSTRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：方法产生选择性DOTIERSTRUKTUR在半导体衬底用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2012000612A2
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/002965
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , JÄGER, Ulrich , BIRO, Daniel , VOLK, Anne-Kristin , SEIFFE, Johannes , MACK, Sebastian , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
发明人： JÄGER, Ulrich , BIRO, Daniel , VOLK, Anne-Kristin , SEIFFE, Johannes , MACK, Sebastian , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer selektiven Dotierstruktur in einem Halbleitersubstrat zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, wobei die selektive Dotierstruktur mindestens an einer Dotierseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Dotierseite mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) eines ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich (3) eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich (3) mit demselben Dotierungstyp ausgebildet werden und der Hochdotierbereich (3) einen niedrigeren Querleitungswiderstand aufweist als der Niedrigdotierbereich (4). Wesentlich ist, dass das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A) Aufbringen einer Dotierstoffes haltenden Dotierschicht (2) auf die Emitterseite des Halbleitersubstrates, B) lokales Erhitzen eines Schmelzbereiches der Dotierschicht (2) und eines unterhalb der Dotierschicht (2) liegenden Schmelzbereiches des Halbleitersubstrates, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest dem Schmelzbereich der Dotierschicht (2) und dem Schmelzbereich des Halbleitersubstrates bildet, wobei mittels flüssig-flüssig Diffusion Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das aufgeschmolzene Halbleitersubstrat diffundiert, so dass nach Erstarren der Schmelzmischung der Hochdotierbereich (3) erzeugt ist, C) Erzeugen des flächigen Niedrigdotierbereiches, indem das Halbleitersubstrat global erwärmt wird, derart, dass Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das Halbleitersubstrat diffundiert, D) Entfernen der Dotierschicht (2), E) Entfernen und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite, derart, dass in einem Verfahrensschritt (E1) ein oberflächennaher Teil des Niedrigdotierungsbereiches und des Hochdotierungsbereiches entfernt wird und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite in eine elektrisch nicht leitende Schicht in einem Verfahrensschritt (E2), wobei die Verfahrensschritte in der Abfolge (A, B, C, D, E) oder (A, C, B, D, E) ausgeführt werden, jeweils gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在半导体衬底中产生的选择性Dotierstruktur用于制造光伏太阳能电池，其中通过在Dotierseite至少产生一个平面形成在半导体衬底中的至少一个Dotierseite选择性Dotierstruktur Niedrigdotierbereich（4）在该半导体衬底中的第一掺杂分布的和至少一个本地Hochdotierbereich（3）在第一Niedrigdotierbereiches内的第二掺杂分布，形成其中所述Niedrigdotierbereich（4）和所述Hochdotierbereich（3）与相同的掺杂类型和形成在Hochdotierbereich（3）具有比Niedrigdotierbereich下横向线电阻（4- ）。至关重要的是，该方法包括以下步骤：A）在半导体基板的发射极侧施加的掺杂剂保持掺杂层（2），B）的掺杂层（2）的熔融区域和（2）位于该半导体衬底的熔化范围内的下面的掺杂层的局部加热，使得形成至少在很短的时间的局部区域，所述掺杂层（2）和半导体基板的熔化区的熔化范围的熔体共混物中，从掺杂层通过液 - 液扩散的掺杂剂的装置（2）扩散到熔化的半导体衬底，使得固化后 C）生成到Hochdotierbereich（3）的熔融混合物中，通过对半导体衬底产生规模Niedrigdotierbereiches加热全球使得从掺杂层（2）的掺杂剂扩散到半导体衬底中，D）去除所述掺杂层（2）中，e）删除和/或加密 ELN上Dotierseite所述半导体衬底，使得在一个处理步骤（E1），低杂质区域和高杂质区域的表面附近部分被去除，和/或在处理步骤转换的Dotierseite所述半导体衬底的一个层中的非导电层（E2层），其中所述序列（A在方法步骤，被执行B C，D，E）或（A，C，B，D，E），其各自任选地进一步中间步骤的插入。

5. 发明申请

WO2011157422A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2011157422A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002968
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , MACK, Sebastian , JÄGER, Ulrich , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , KÄSTNER, Gero
发明人： MACK, Sebastian , JÄGER, Ulrich , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , KÄSTNER, Gero
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A. Texturieren einer Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates, welches dotiert ist mit einem Basisdotierungstyp, B. Erzeugen mindestens einer selektiven Dotierstruktur an der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Vorderseite (2) mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) mit einem ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich jeweils mit einem Emitterdotierungstyps, welcher entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, ausgebildet werden und der Hochdotierbereich mit einem niedrigeren Querleitungswiderstand ausgebildet wird als der Niedrigdotierungsbereich und C. Aufbringen mindestens einer metallischen Emitterkontaktstruktur auf der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, zumindest in den Bereichen lokaler Hochdotierung, wobei die Emitterkontaktstruktur elektrisch leitend mit dem Hochdotierbereich verbunden wird und Aufbringen mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur auf der Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktstruktur mit einem Bereich des Halbleitersubstrates der Basisdotierung elektrisch leitend verbunden wird. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B. und C., gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte, in einem Verfahrensschritt B1 auf Vorder- und Rückseite des Halbleitersubstrates gleichzeitig jeweils eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation erzeugt wird, wobei zumindest die Vorderseitensiliziumoxidschicht mit einer Dicke kleiner 150 nm erzeugt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池，包括以下步骤：A.纹理掺杂有一个基本的掺杂类型的半导体衬底的前侧（2），B。产生至少一个选择性Dotierstruktur的前侧（2）形成在半导体衬底的由至少一个平坦Niedrigdotierbereich（4），其具有在所述前侧（2）在所述半导体衬底和至少一个本地Hochdotierbereich的第二掺杂分布在第一Niedrigdotierbereiches内产生产生的第一掺杂分布，其中，所述Niedrigdotierbereich（4）和所述Hochdotierbereich每一个发射极掺杂类型，这是相反的基本掺杂类型，被形成和Hochdotierbereich以比低杂质区和C的下部横向线阻力施加至少一个金属Emitterkontaktst形成 STRU CTU再在前面（2）的半导体衬底，任选在其他中间层，至少在局部高掺杂的区域，与所述发射极接触结构的导电连接到Hochdotierbereich和施加在所述半导体基板的背面的至少一个金属基体接触结构，任选地在其他中间层，其中与所述基区掺杂的半导体衬底的区域中的基极接触结构导电连接。至关重要的是，之间的方法步骤B和C，任选地与进一步的中间步骤的方法中的步骤B1在同一时间上的前部和所述半导体基板各自具有氧化硅层的背面的插入（5A，5B）通过热氧化，由此至少所述Vorderseitensiliziumoxidschicht与产生的厚度产生小于150nm。

6. 发明申请

WO2010081505A2 SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE AUS EINEM SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其方法从硅衬底制造太阳能电池
公开(公告)号：WO2010081505A2
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2009/008605
申请日：2009-12-03
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
发明人： BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer Vorder- und einer Rückseite aus einem Siliziumsubstrat (1), insbesondere einem Siliziumwafer, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturierung mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) zur Verbesserung der Absorption bei Beaufschlagung der Solarzelle mit elektromagnetischer Strahlung und/oder Entfernen des Sägeschadens an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), B Erzeugen zumindest eines Emitterbereiches (2) zumindest an Teilbereichen zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1 ) durch Eindiffundieren mindestens eines Dotierstoffes, zur Ausbildung mindestens eines pn-Überganges, C Entfernen einer Glasschicht auf mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Glasschicht den Dotierstoff enthält, D Aufbringen einer Maskierungsschicht (3) zumindest auf einem Teilbereich zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Maskierungsschicht (3) eine dielektrische Schicht ist, E Abtragen zumindest eines Teil des Materials des Siliziumsubstrates (1) an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) und/oder Konditionieren mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), F Aufbringen von Metallisierungsstrukturen (5, 6) auf Vorderseite (1a) und/oder Rückseite (1b) des Siliziumsubstrates (1), zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten E und F in einem Verfahrensschritt E2 eine thermische Oxidation durchgeführt wird, zur Ausbildung einer Oxidschicht (4) zumindest in einem Teilbereich der Vorder- und/oder Rückseite des Siliziumsubstrates (1), welcher nicht durch die in Schritt D aufgebrachte Maskierungsschicht (3) bedeckt ist und dass die Maskierungsschicht (3) und die Oxidschicht (4) im Wesentlichen in den nachfolgenden Prozessschritten auf dem Siliziumsubstrat (1) verbleiben.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造具有一个前侧和一个硅衬底（1）的背面侧的太阳能电池，特别是硅晶片，其步骤包括：一个纹理化的硅衬底（1）的至少一侧，以在施用时的太阳能电池的与提高吸收电磁辐射和/或在硅衬底的至少一个侧去除切割损伤的（1），B产生至少一个发射区（2）至少在硅衬底（1）的至少一侧的部分区域通过扩散至少一种掺杂剂，以形成至少一个pn结，C在硅衬底（1），其中，所述玻璃层中含有的掺杂剂的至少一个侧移除玻璃层，D至少在硅衬底（1）的至少一个侧面的一部分，其中，所述掩蔽层（3）介电施加一掩蔽层（3） IC层为E去除至少一个硅衬底（1）的材料的在硅衬底（1）和/或调节在硅衬底（1）的至少一个侧面的至少一个侧部，F施加的金属化（5，6）（在所述前 1a）和/或背面侧（1b）中的硅衬底（1），用于所述太阳能电池的电接触。至关重要的是，E和F在处理步骤之间的步骤E2对于其中未在工序中使用的硅衬底（1）的前侧和/或后侧的部分区域中形成至少一个氧化物层（4）进行热氧化 d应用掩蔽层（3）覆盖，并且所述掩模层（3）和氧化物层（4）基本上是在硅衬底上的随后的工艺步骤（1）保持。

7. 发明申请

WO2010149294A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EWT-SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产EWT太阳能电池
公开(公告)号：WO2010149294A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/EP2010/003583
申请日：2010-06-15
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , MINGIRULLI, Nicola , BIRO, Daniel , PREU, Ralf
发明人： MINGIRULLI, Nicola , BIRO, Daniel , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L31/022458 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer EWT-Solarzelle aus einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Dotierungstyps mit einer Vorder- und einer Rückseite und einer Mehrzahl von Ausnehmungen, welche sich jewei ls von der Vorder- zu der Rückseite des Hal bleitersubstrates erstrecken, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen zumindest folgender Emitterbereiche eines zweiten, zum ersten Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyps in dem Halbleitersubstrat (1): ein Vorderseitenemitter, welcher die Vorderseite des Halbleitersubstrates zumindest teilweise bedeckt, ein Rückseitenemitter, welcher die Rückseite des Halbleitersubstrates teilweise bedeckt und eine Mehrzahl von Verbindungsemittern, welche jeweils die Wand einer Ausnehmung zumindest teilweise bedecken, sodass der Vorderseitenemitter über die Verbindungsemitter elektrisch leitend mit dem Rückseitenem itter verbunden ist, wobei die Emitterbereiche jeweils einen pn-Übergang zu dem Halbleitersubstrat (1) ausbilden, B Aufbringen mindestens einer Basiskontaktierungsstruktur und mindestens einer Emitterkontaktierungsstruktur jeweils auf die Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls nach Aufbringen weiterer Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktierungsstruktur mit mindestens einem nicht durch Emitter bedeckten Bereich des Halbleitersubstrates und die Emitterkontaktierungsstruktur mit dem Rückseitenemitter elektrisch leitend verbunden sind. Wesentlich ist, dass vor Verfahrensschritt A eine Vorderseitenschichtstruktur auf die Vorderseite des Halbleitersubstrates aufgebracht wird, wobei die Vorderseitenschichtstruktur mindestens eine den Durchtritt von Dotierstoffen hemmende Diffusionsbarrierenschicht, welche keinen Dotierstoff des zweiten Dotierungstyps enthält und/oder mindestens eine den Dotierstoff des zweiten Dotierungstyps enthaltende Vorderseitendotierschicht umfasst und dass in Verfahrenschritt A eine Diffusion mittels mindestens eines Dotierstoffes des zweiten Dotierungstyps aus der Gasphase zur Erzeugung zumindest des Rückseitenemitters und der Mehrzahl von Verbindungsemittern durchgeführt wird, wobei diese Diffusion aus der Gasphase und die Erzeugung des Vorderseitenemitters in situ in einem Diffusionsofen ausgeführt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备由第一掺杂类型与前和后侧和多个凹部，其bleitersubstrates从前哈尔的背面延伸jewei LS的半导体衬底（1）的EWT太阳能电池中，以下一个产生至少一个第二的下面发射极区域，相反的在半导体衬底中的第一掺杂类型的掺杂类型（1）：的方法，包括以下步骤的前发射器，其中所述半导体衬底的前侧上至少部分地覆盖的后侧发射器，其在半导体基板的背面侧部分地覆盖和多个连接的发射器的其分别覆盖凹部的壁至少部分地，这样的发射极连接在发射极的前侧导电地与所述itterRückseitenem连接，其中每个所述发射极区具有pn结的Halbleitersubstra T（1）的形式，B施加至少一个Basiskontaktierungsstruktur和至少一个Emitterkontaktierungsstruktur每种情况下在半导体衬底的背面，任选的另外的中间层应用程序之后，Basiskontaktierungsstruktur导电与至少一种不包括在半导体基板的发射极区和与后侧面发射的Emitterkontaktierungsstruktur连接是。重要的是，一个前层结构被应用到处理步骤A中，前表面层结构的至少一个掺杂剂抑制不含有第二掺杂类型的掺杂剂和/或包括至少一个包含所述第二掺杂类型Vorderseitendotierschicht的掺杂扩散阻挡层的通道和现有的半导体衬底的前侧至少发射极的后侧和所述多个的扩散是在方法步骤a通过从气相中的第二掺杂类型，以产生通过连接的发射器执行的至少一种掺杂剂，所述从气相和原位前侧发射器的生成扩散是在扩散炉中进行。

8. 发明申请

WO2002025742A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-METALLKONTAKTES DURCH EINE DIELEKTRISCHE SCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2002025742A3
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/EP2001/010029
申请日：2001-08-30
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , PREU, Ralf , SCHNEIDERLÖCHNER, Eric , GLUNZ, Stefan , LÜDEMANN, Ralf
发明人： PREU, Ralf , SCHNEIDERLÖCHNER, Eric , GLUNZ, Stefan , LÜDEMANN, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur elektrischen Kontaktierung einer, mit wenigstens einer dielektrischen Schicht (12) überzogenen Halbleiterschicht (13). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Metallschicht (11) auf die dielektrische Schicht (12) aufgebracht wird und mittels einer Strahlungsquelle (9) diese Metallschicht (11) kurzzeitig lokal punkt- oder linienförmig derart kontrolliert erhitzt wird, so dass sich eine lokale Schmelzmischung ausschliesslich aus der Metallschicht (11), der dielektrischen Schicht (12) sowie der unmittelbar unter der dielektrischen Schicht (12) befindlichen Halbleiterschicht (13) ausbildet, die nach dem Erstarren zu einem elektrischen Kontakt zwischen der Halbleiterschicht (13) und der Metallschicht (11) führt.

9. 发明申请

WO2011157422A3 METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2011157422A3
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2011002968
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , MACK SEBASTIAN , JAEGER ULRICH , WOLF ANDREAS , BIRO DANIEL , PREU RALF , KAESTNER GERO
发明人： MACK SEBASTIAN , JAEGER ULRICH , WOLF ANDREAS , BIRO DANIEL , PREU RALF , KAESTNER GERO
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a photovoltaic solar cell, comprising the following steps: A. texturising a front (2) of a semiconductor substrate; B. generating a selective emitter doping on the front (2) of the semiconductor substrate by generating on the front (2) a flat low-doped region (4) and a local high-doped region (3) within the first low-doped region; and C. applying at least one metal emitter contact structure to the front (2) of the semiconductor substrate, at least in the regions of local high doping, wherein, between method steps B and C, a respective silicon oxide layer (5a, 5b) is generated in a method step B1 simultaneously on the front and back of the semiconductor substrate by means of thermal oxidation.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池，包括以下方法步骤：A.纹理化半导体衬底的前侧（2）; B.生成上的前侧的选择性发射极的掺杂（2）通过施加到前侧的半导体基板（2）形成的平面Niedrigdotierbereich（4）和在其内的本地Hochdotierbereich（3）; 和C.施加至少一个金属发射极接触结构上的前侧（2）的半导体衬底，至少在局部高掺杂的区域，其中所述方法之间同时步骤B和C在前面和在半导体衬底各自具有氧化硅层（在步骤B1图5a，5b的背面的）通过热氧化产生的。

10. 发明申请

WO2012000612A3 METHOD FOR PRODUCING A SELECTIVE DOPING STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE IN ORDER TO PRODUCE A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：方法产生选择性DOTIERSTRUKTUR在半导体衬底用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2012000612A3
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2011002965
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , JAEGER ULRICH , BIRO DANIEL , VOLK ANNE-KRISTIN , SEIFFE JOHANNES , MACK SEBASTIAN , WOLF ANDREAS , PREU RALF
发明人： JAEGER ULRICH , BIRO DANIEL , VOLK ANNE-KRISTIN , SEIFFE JOHANNES , MACK SEBASTIAN , WOLF ANDREAS , PREU RALF
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2254 , H01L21/268 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： The invention relates to a method for producing a selective doping structure in a semiconductor substrate in order produce a photovoltaic solar cell. The method comprises the following steps: A) applying a doping layer (2) to the emitter side of the semiconductor substrate, B) locally heating a melting region of the doping layer (2) and a melting region of the semiconductor substrate lying under the doping layer (2) in such a way that dopant diffuses from the doping layer (2) into the melted semiconductor substrate by means of liquid-liquid diffusion, so that a high doping region (3) is produced after the melt mixture solidifies, C) producing the planar low doping region by globally heating the semiconductor substrate, D) removing the doping layer (2) and E) removing or converting a layer of the semiconductor substrate on the doping side in such a way that part of the low doping region and of the high doping region close to the surface is removed or is converted into an electrically non-conducting layer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在用于制造光生伏打太阳能电池的制造半导体衬底的选择性Dotierstruktur。该方法包括（A）沉积在半导体基板的发射极侧的掺杂层（2），（B）的掺杂层（2）的熔融区域的局部加热和（2）位于该半导体衬底的熔点范围的掺杂层的下方，从而使液 - 液的手段是从掺杂剂层（2）扩散的掺杂剂扩散到熔化的半导体衬底，从而使熔融共混物的固化后，一个Hochdotierbereich（3）产生的（C）通过在半导体基板产生二维Niedrigdotierbereiches加热全球性的，（（D）除去掺杂层 2）和（e）去除或在Dotierseite转换半导体衬底的层，使得所述Niedrigdotierungs-的和近表面部分的高杂质区域被去除或转化成非导电层。

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