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1. 发明申请

WO2013030022A1 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER HONEYCOMB-TEXTUR AN EINER OBERFLÄCHE EINES SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：用于生产蜂巢纹理基材表面的
公开(公告)号：WO2013030022A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/EP2012/066168
申请日：2012-08-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , NIEVENDICK, Jan , SPECHT, Jan , ZAHNER, Lorenz , RENTSCH, Jochen , BIRO, Daniel , STÜWE, David
发明人： NIEVENDICK, Jan , SPECHT, Jan , ZAHNER, Lorenz , RENTSCH, Jochen , BIRO, Daniel , STÜWE, David
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/02366 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Honeycomb-Textur an einer Oberfläche eines Substrates, welches Substrat ein Halbleitersubstrat einer photovoltaische Solarzelle oder einer Vorstufe im Herstellungsprozess einer photovoltaischen Solarzelle oder ein Substrat zur Verbesserung der optischen Eigenschaften einer oder mehrere photovoltaischer Solarzellen ist, folgende Verfahrensschritte umfassend; A Bereitstellen des Substrates, B Erzeugen einer Maskierungsschicht auf der Oberfläche des Substrates, welche Maskierungsschicht eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist, C Ätzen des Substrates zumindest an den Öffnungsbereichen der Maskierungsschicht an der Oberfläche des Substrates zur Ausbildung einer Honeycomb-Textur und D Entfernen der Maskierungsschicht, Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B die Maskierungsschicht durch Aufbringen eines Maskierungsmaterials auf die Oberfläche des Substrates erzeugt wird, wobei eine Vielzahl einzelner Tropfen des Maskierungsmaterials derart aufgebracht werden, dass die Mittelpunkte der Tropfen die Eckpunkte eines Wabengitters bilden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在衬底上，该基底是一个光伏太阳能电池或光伏太阳能电池或以改善一种的光学性质或多个光伏太阳能电池的基板的制造方法的前体的半导体基板的一个表面上的蜂窝纹理，其步骤包括 ; 基板B制作衬底的表面上形成掩蔽层的规定具有掩膜层的多个开口C中的至少在所述基板的表面上的掩模层的开口部分蚀刻所述衬底以形成蜂窝状的质地和D除去掩模层，本发明的特征在于，所述掩蔽层是通过施加掩模材料，以在方法步骤B的基板，其中，多个所述掩蔽材料的单个液滴的施加，使得所述液滴的中心形成蜂窝晶格的角部的表面而形成。

2. 发明申请

WO2009071333A3 TEXTURING AND CLEANING MEDIUM FOR THE SURFACE TREATMENT OF WAFERS AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于表面处理晶片的纹理和清洁介质及其用途
公开(公告)号：WO2009071333A3
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/EP2008010402
申请日：2008-12-08
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , MAYER KUNO , SCHUMANN MARK , KRAY DANIEL , ORELLANA PERES TERESA , RENTSCH JOCHEN , ZIMMER MARTIN , KIRCHGAESSNER ELIAS , ZIMMER EVA , BIRO DANIEL , ROSTAS ARPAD MIHAI
发明人： MAYER KUNO , SCHUMANN MARK , KRAY DANIEL , ORELLANA PERES TERESA , RENTSCH JOCHEN , ZIMMER MARTIN , KIRCHGAESSNER ELIAS , ZIMMER EVA , BIRO DANIEL , ROSTAS ARPAD MIHAI
IPC分类号： C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D11/00
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
摘要： The invention relates to a fluid medium for the surface treatment of monocrystalline wafers, which contains an alkaline etching agent and at least one organic compound with low volatility. Systems of this type can be used either for cleaning, the removal of defects and the texturing of wafer surfaces in a single etching step or, exclusively, for the texturing of silicon wafers having different surface qualities, such as wafers which are cut by a wire saw and exhibit high surface degradation or chemically polished surfaces having a minimal number of defects.
摘要翻译：本发明涉及一种用于单晶晶片表面处理的液体介质，其含有碱性蚀刻剂和至少一种极易挥发的有机化合物。这样的系统既可以用于清洁，损失率和晶片表面的纹理化在单个蚀刻步骤中，只对具有不同表面质量，无论它们是与强的表面损坏或以最小的损伤密度，金属丝锯晶片进行化学抛光的表面上使用的硅晶片的纹理化。

3. 发明申请

WO2010081505A2 SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE AUS EINEM SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其方法从硅衬底制造太阳能电池
公开(公告)号：WO2010081505A2
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2009/008605
申请日：2009-12-03
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
发明人： BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer Vorder- und einer Rückseite aus einem Siliziumsubstrat (1), insbesondere einem Siliziumwafer, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturierung mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) zur Verbesserung der Absorption bei Beaufschlagung der Solarzelle mit elektromagnetischer Strahlung und/oder Entfernen des Sägeschadens an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), B Erzeugen zumindest eines Emitterbereiches (2) zumindest an Teilbereichen zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1 ) durch Eindiffundieren mindestens eines Dotierstoffes, zur Ausbildung mindestens eines pn-Überganges, C Entfernen einer Glasschicht auf mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Glasschicht den Dotierstoff enthält, D Aufbringen einer Maskierungsschicht (3) zumindest auf einem Teilbereich zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Maskierungsschicht (3) eine dielektrische Schicht ist, E Abtragen zumindest eines Teil des Materials des Siliziumsubstrates (1) an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) und/oder Konditionieren mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), F Aufbringen von Metallisierungsstrukturen (5, 6) auf Vorderseite (1a) und/oder Rückseite (1b) des Siliziumsubstrates (1), zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten E und F in einem Verfahrensschritt E2 eine thermische Oxidation durchgeführt wird, zur Ausbildung einer Oxidschicht (4) zumindest in einem Teilbereich der Vorder- und/oder Rückseite des Siliziumsubstrates (1), welcher nicht durch die in Schritt D aufgebrachte Maskierungsschicht (3) bedeckt ist und dass die Maskierungsschicht (3) und die Oxidschicht (4) im Wesentlichen in den nachfolgenden Prozessschritten auf dem Siliziumsubstrat (1) verbleiben.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造具有一个前侧和一个硅衬底（1）的背面侧的太阳能电池，特别是硅晶片，其步骤包括：一个纹理化的硅衬底（1）的至少一侧，以在施用时的太阳能电池的与提高吸收电磁辐射和/或在硅衬底的至少一个侧去除切割损伤的（1），B产生至少一个发射区（2）至少在硅衬底（1）的至少一侧的部分区域通过扩散至少一种掺杂剂，以形成至少一个pn结，C在硅衬底（1），其中，所述玻璃层中含有的掺杂剂的至少一个侧移除玻璃层，D至少在硅衬底（1）的至少一个侧面的一部分，其中，所述掩蔽层（3）介电施加一掩蔽层（3） IC层为E去除至少一个硅衬底（1）的材料的在硅衬底（1）和/或调节在硅衬底（1）的至少一个侧面的至少一个侧部，F施加的金属化（5，6）（在所述前 1a）和/或背面侧（1b）中的硅衬底（1），用于所述太阳能电池的电接触。至关重要的是，E和F在处理步骤之间的步骤E2对于其中未在工序中使用的硅衬底（1）的前侧和/或后侧的部分区域中形成至少一个氧化物层（4）进行热氧化 d应用掩蔽层（3）覆盖，并且所述掩模层（3）和氧化物层（4）基本上是在硅衬底上的随后的工艺步骤（1）保持。

4. 发明申请

WO2009071333A8 TEXTUR- UND REINIGUNGSMEDIUM ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON WAFERN UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2009071333A8
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/EP2008/010402
申请日：2008-12-08
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , MAYER, Kuno , SCHUMANN, Mark , KRAY, Daniel , ORELLANA PERES, Teresa , RENTSCH, Jochen , ZIMMER, Martin , KIRCHGÄSSNER, Elias , ZIMMER, Eva , BIRO, Daniel , ROSTAS, Arpad, Mihai
发明人： MAYER, Kuno , SCHUMANN, Mark , KRAY, Daniel , ORELLANA PERES, Teresa , RENTSCH, Jochen , ZIMMER, Martin , KIRCHGÄSSNER, Elias , ZIMMER, Eva , BIRO, Daniel , ROSTAS, Arpad, Mihai
IPC分类号： C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D11/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein flüssiges Medium für die Oberflächenbehandlung von monokristallinen Wafern, das ein alkalisches Ätzmittel sowie mindestens eine schwer flüchtige organische Verbindung enthält. Derartige Systeme können sowohl für die Reinigung, Schadensätze und Texturierung von Waferoberflächen in einem einzigen Ätzschritt als auch ausschließlich für die Texturierung von Silizium-Wafern mit unterschiedlicher Oberflächenqualität, seien es nun drahtgesägte Wafer mit starker Oberflächenschädigung oder chemisch polierte Oberflächen mit minimaler Schädigungsdichte, eingesetzt werden.

5. 发明申请

WO2008028625A3 METHOD FOR SIMULTANEOUSLY DOPING AND OXIDIZING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND ITS USE 审中-公开
标题翻译：同时掺杂和氧化半导体衬底及其使用的方法
公开(公告)号：WO2008028625A3
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/EP2007007703
申请日：2007-09-04
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , BIRO DANIEL , PREU RALF , RENTSCH JOCHEN
发明人： BIRO DANIEL , PREU RALF , RENTSCH JOCHEN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for simultaneously doping and oxidizing semiconductor substrates and to doped and oxidized semiconductor substrates which have been produced in this manner. The invention also relates to the use of this method for producing solar cells.
摘要翻译：本发明涉及用于同时掺杂和氧化半导体衬底的方法以及以这种方式生产的掺杂和氧化的半导体衬底。此外，本发明涉及该方法用于生产太阳能电池的用途。

6. 发明申请

WO2012069208A9 SUBSTRATHALTER FÜR DIE OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN UND VERWENDUNG DES SUBSTRATHALTERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2012069208A9
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/EP2011/005948
申请日：2011-11-25
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , REINWAND, Dirk , HOFMANN, Marc , TROGUS, Daniel , HARTMANN, Philip , NEKARDA, Jan-Frederik , RENTSCH, Jochen , PREU, Ralf
发明人： REINWAND, Dirk , HOFMANN, Marc , TROGUS, Daniel , HARTMANN, Philip , NEKARDA, Jan-Frederik , RENTSCH, Jochen , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/677
摘要： Die Erfindung betrifft einen Substrathalter für die Oberflächenbeschichtung von Substraten, der in Rahmenform ausgebildet ist. Beim erfindungsgemäßen Substrathalter ist eine schräge Kantenfläche vorgesehen, auf dem das Substrat aufliegt, so dass eine vollständige Beschichtung der Oberfläche ohne Umgriff auf nicht erwünschte Bereiche des Substrates erfolgt. Die Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung eines derartigen Substrathalters.

7. 发明申请

WO2012069208A1 SUBSTRATE HOLDER FOR THE SURFACE TREATMENT OF SUBSTRATES, AND USE OF THE SUBSTRATE HOLDER 审中-公开
标题翻译：用于表面处理基材和使用基材支架的基材支架
公开(公告)号：WO2012069208A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/EP2011005948
申请日：2011-11-25
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , REINWAND DIRK , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , HARTMANN PHILIP , NEKARDA JAN-FREDERIK , RENTSCH JOCHEN , PREU RALF
发明人： REINWAND DIRK , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , HARTMANN PHILIP , NEKARDA JAN-FREDERIK , RENTSCH JOCHEN , PREU RALF
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/68707 , H01L21/67346 , H01L21/6776 , H01L21/68721 , H01L21/68735
摘要： The invention relates to a substrate holder for the surface coating of substrates which is in frame form. The substrate holder according to the invention is provided with an oblique edge face on which the substrate rests, so that the surfaces is coated completely without any spread to unwanted regions of the substrate. The invention also relates to the use of such a substrate holder.
摘要翻译：本发明涉及一种用于基板表面涂层的基板支架，其形成为框架形状。在根据本发明的衬底保持器的情况下，提供倾斜的边缘表面，衬底搁置在该倾斜的边缘表面上，使得表面的完整涂层发生而不包含衬底的不需要的区域。本发明还涉及这种衬底保持器的用途。

8. 发明申请

WO2009071333A2 TEXTURING AND CLEANING MEDIUM FOR THE SURFACE TREATMENT OF WAFERS AND USE THEREOF 审中-公开
公开(公告)号：WO2009071333A2
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/EP2008010402
申请日：2008-12-08
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , MAYER KUNO , SCHUMANN MARK , KRAY DANIEL , ORELLANA PERES TERESA , RENTSCH JOCHEN , ZIMMER MARTIN , KIRCHGAESSNER ELIAS , ZIMMER EVA , BIRO DANIEL , ROSTAS ARPAD MIHAI
发明人： MAYER KUNO , SCHUMANN MARK , KRAY DANIEL , ORELLANA PERES TERESA , RENTSCH JOCHEN , ZIMMER MARTIN , KIRCHGAESSNER ELIAS , ZIMMER EVA , BIRO DANIEL , ROSTAS ARPAD MIHAI
IPC分类号： C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D11/00
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
摘要： The invention relates to a fluid medium for the surface treatment of monocrystalline wafers, which contains an alkaline etching agent and at least one organic compound with low volatility. Systems of this type can be used either for cleaning, the removal of defects and the texturing of wafer surfaces in a single etching step or, exclusively, for the texturing of silicon wafers having different surface qualities, such as wafers which are cut by a wire saw and exhibit high surface degradation or chemically polished surfaces having a minimal number of defects.

9. 发明申请

WO2008028625A2 VERFAHREN ZUR SIMULTANEN DOTIERUNG UND OXIDATION VON HALBLEITERSUBSTRATEN UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：程序对同时掺杂氧化性和半导体衬底及其用途
公开(公告)号：WO2008028625A2
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/EP2007/007703
申请日：2007-09-04
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , RENTSCH, Jochen
发明人： BIRO, Daniel , PREU, Ralf , RENTSCH, Jochen
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten sowie derart hergestellte dotierte und oxidierte Halbleitersubstrate. Weiterhin betrifft die Erfindung die Verwendung dieses Verfahrens zur Herstellung von Solarzellen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于同时掺杂和半导体衬底的氧化，由此制备和氧化掺杂半导体基板的方法。此外，本发明涉及使用该方法的用于生产太阳能电池。

10. 发明申请

WO2010081505A3 SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL FROM A SILICON SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其方法从硅衬底制造太阳能电池
公开(公告)号：WO2010081505A3
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/EP2009008605
申请日：2009-12-03
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , BIRO DANIEL , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , LEMKE ANKE , RENTSCH JOCHEN , CLEMENT FLORIAN , HOFMANN MARC , WOLF ANDREAS , GAUTERO LUCA , MACK SEBASTIAN , PREU RALF
发明人： BIRO DANIEL , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , LEMKE ANKE , RENTSCH JOCHEN , CLEMENT FLORIAN , HOFMANN MARC , WOLF ANDREAS , GAUTERO LUCA , MACK SEBASTIAN , PREU RALF
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a solar cell from a silicon wafer, comprising the following process steps: A) texturizing one side of the silicon substrate (1) for improving the absorption or removing saw damage on one side of the silicon substrate (1); B) generating an emitter area (2) on one side of the silicon substrate (1) by diffusing in a doping material for forming a pn transition; C) removing a glass layer which comprises the doping material; D) applying a masking layer (3) which is a dielectric layer; E) removing one part of the material of the silicon substrate (1); F) applying metal structures (5, 6) for electrically contacting the solar cell. It is significant that thermal oxidation is performed between the process steps E and F for forming an oxide layer (4) and that the masking layer (3) and the oxide layer (4) remain on the silicon substrate (1) in the subsequent process steps.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于从硅晶片制造太阳能电池，其步骤包括：在硅衬底的纹理一侧（1），以改善切割损伤的吸收或去除，以在硅衬底（1）的一侧，B形成发射极区域（2）上通过扩散掺杂剂来形成pn结的硅衬底（1）的一侧，C除去玻璃层，其中，所述玻璃层中含有的掺杂剂，D施加掩模层（3），其中，所述掩蔽层（3）是介电层，例如烧蚀硅衬底（1）的材料的一部分，F施加的金属化（5,6），用于所述太阳能电池的电接触。至关重要的是，E和F是在工艺步骤之间用于形成氧化物层（4），并且进行热氧化，在掩模层（3）和在所述硅衬底上的后续工艺步骤的氧化物层（4）（1）保持。

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