专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010149294A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EWT-SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产EWT太阳能电池
公开(公告)号：WO2010149294A2
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/EP2010/003583
申请日：2010-06-15
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , MINGIRULLI, Nicola , BIRO, Daniel , PREU, Ralf
发明人： MINGIRULLI, Nicola , BIRO, Daniel , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L31/022458 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer EWT-Solarzelle aus einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Dotierungstyps mit einer Vorder- und einer Rückseite und einer Mehrzahl von Ausnehmungen, welche sich jewei ls von der Vorder- zu der Rückseite des Hal bleitersubstrates erstrecken, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen zumindest folgender Emitterbereiche eines zweiten, zum ersten Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyps in dem Halbleitersubstrat (1): ein Vorderseitenemitter, welcher die Vorderseite des Halbleitersubstrates zumindest teilweise bedeckt, ein Rückseitenemitter, welcher die Rückseite des Halbleitersubstrates teilweise bedeckt und eine Mehrzahl von Verbindungsemittern, welche jeweils die Wand einer Ausnehmung zumindest teilweise bedecken, sodass der Vorderseitenemitter über die Verbindungsemitter elektrisch leitend mit dem Rückseitenem itter verbunden ist, wobei die Emitterbereiche jeweils einen pn-Übergang zu dem Halbleitersubstrat (1) ausbilden, B Aufbringen mindestens einer Basiskontaktierungsstruktur und mindestens einer Emitterkontaktierungsstruktur jeweils auf die Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls nach Aufbringen weiterer Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktierungsstruktur mit mindestens einem nicht durch Emitter bedeckten Bereich des Halbleitersubstrates und die Emitterkontaktierungsstruktur mit dem Rückseitenemitter elektrisch leitend verbunden sind. Wesentlich ist, dass vor Verfahrensschritt A eine Vorderseitenschichtstruktur auf die Vorderseite des Halbleitersubstrates aufgebracht wird, wobei die Vorderseitenschichtstruktur mindestens eine den Durchtritt von Dotierstoffen hemmende Diffusionsbarrierenschicht, welche keinen Dotierstoff des zweiten Dotierungstyps enthält und/oder mindestens eine den Dotierstoff des zweiten Dotierungstyps enthaltende Vorderseitendotierschicht umfasst und dass in Verfahrenschritt A eine Diffusion mittels mindestens eines Dotierstoffes des zweiten Dotierungstyps aus der Gasphase zur Erzeugung zumindest des Rückseitenemitters und der Mehrzahl von Verbindungsemittern durchgeführt wird, wobei diese Diffusion aus der Gasphase und die Erzeugung des Vorderseitenemitters in situ in einem Diffusionsofen ausgeführt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备由第一掺杂类型与前和后侧和多个凹部，其bleitersubstrates从前哈尔的背面延伸jewei LS的半导体衬底（1）的EWT太阳能电池中，以下一个产生至少一个第二的下面发射极区域，相反的在半导体衬底中的第一掺杂类型的掺杂类型（1）：的方法，包括以下步骤的前发射器，其中所述半导体衬底的前侧上至少部分地覆盖的后侧发射器，其在半导体基板的背面侧部分地覆盖和多个连接的发射器的其分别覆盖凹部的壁至少部分地，这样的发射极连接在发射极的前侧导电地与所述itterRückseitenem连接，其中每个所述发射极区具有pn结的Halbleitersubstra T（1）的形式，B施加至少一个Basiskontaktierungsstruktur和至少一个Emitterkontaktierungsstruktur每种情况下在半导体衬底的背面，任选的另外的中间层应用程序之后，Basiskontaktierungsstruktur导电与至少一种不包括在半导体基板的发射极区和与后侧面发射的Emitterkontaktierungsstruktur连接是。重要的是，一个前层结构被应用到处理步骤A中，前表面层结构的至少一个掺杂剂抑制不含有第二掺杂类型的掺杂剂和/或包括至少一个包含所述第二掺杂类型Vorderseitendotierschicht的掺杂扩散阻挡层的通道和现有的半导体衬底的前侧至少发射极的后侧和所述多个的扩散是在方法步骤a通过从气相中的第二掺杂类型，以产生通过连接的发射器执行的至少一种掺杂剂，所述从气相和原位前侧发射器的生成扩散是在扩散炉中进行。

2. 发明申请

WO2009153048A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLSTRUKTUR AUF EINER OBERFLÄCHE EINES HALBLEITERSUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：一种用于生产金属结构上的半导体衬底的表面
公开(公告)号：WO2009153048A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009/004424
申请日：2009-06-19
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , MINGIRULLI, Nicola , BIRO, Daniel , SCHMIGA, Christian , SPECHT, Jan , STÜWE, David
发明人： MINGIRULLI, Nicola , BIRO, Daniel , SCHMIGA, Christian , SPECHT, Jan , STÜWE, David
IPC分类号： C09D11/00 , H01L21/3213 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022441 , C09D11/34 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates, folgende Schritte umfassend: A Aufbringen einer Metallschicht, B Aufbringen einer Strukturierungsschicht und C Entfernen der Strukturierungsschicht, wobei entweder in einem Maskierungsverfahren Schritt B nach Schritt A und Schritt C nach Schritt B ausgeführt wird, so dass die Strukturierungsschicht die Metallschicht zumindest teilweise bedeckt und nach Ausführung von Schritt B die Metallschicht an den nicht von der Strukturierungsschicht bedeckten Bereichen entfernt wird, bevor Schritt C ausgeführt wird oder in einem Lift-Off-Verfahren Schritt A nach Schritt B und Schritt C nach Schritt A ausgeführt wird, so dass die Strukturierungsschicht im Wesentlichen von der Metallschicht bedeckt ist und zumindest in den Bereichen, in denen die Metallschicht die Strukturierungsschicht bedeckt, bei Ausführung von Schritt C die Metallschicht abgelöst wird. Wesentlich ist, dass die Strukturierungsschicht in Schritt B mittels einer HotMelt-Tinte erzeugt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在半导体衬底的表面上制备金属结构的方法，包括以下步骤：A沉积金属层，B施加图案化层和图案化层的Ç去除，利用根据任一掩蔽工艺步骤B向步骤A和步骤C至步骤乙使得结构化层，所述金属层，所述金属层至少部分地覆盖，并且步骤C中进行之前在未包括的图案化层区域的区域除去步骤B的执行之后执行或剥离工艺步骤a到步骤B和步骤C被步骤A之后执行，使得所述结构化层基本上的金属层的被覆盖，至少在其中金属层覆盖图案化层，用步骤C的执行的区域中，金属层被剥离。重要的是，在步骤B中通过一热熔油墨的装置形成的结构化层。

3. 发明申请

WO2010081505A2 SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE AUS EINEM SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其方法从硅衬底制造太阳能电池
公开(公告)号：WO2010081505A2
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2009/008605
申请日：2009-12-03
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
发明人： BIRO, Daniel , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver , LEMKE, Anke , RENTSCH, Jochen , CLEMENT, Florian , HOFMANN, Marc , WOLF, Andreas , GAUTERO, Luca , MACK, Sebastian , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer Vorder- und einer Rückseite aus einem Siliziumsubstrat (1), insbesondere einem Siliziumwafer, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturierung mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) zur Verbesserung der Absorption bei Beaufschlagung der Solarzelle mit elektromagnetischer Strahlung und/oder Entfernen des Sägeschadens an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), B Erzeugen zumindest eines Emitterbereiches (2) zumindest an Teilbereichen zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1 ) durch Eindiffundieren mindestens eines Dotierstoffes, zur Ausbildung mindestens eines pn-Überganges, C Entfernen einer Glasschicht auf mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Glasschicht den Dotierstoff enthält, D Aufbringen einer Maskierungsschicht (3) zumindest auf einem Teilbereich zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Maskierungsschicht (3) eine dielektrische Schicht ist, E Abtragen zumindest eines Teil des Materials des Siliziumsubstrates (1) an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) und/oder Konditionieren mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), F Aufbringen von Metallisierungsstrukturen (5, 6) auf Vorderseite (1a) und/oder Rückseite (1b) des Siliziumsubstrates (1), zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten E und F in einem Verfahrensschritt E2 eine thermische Oxidation durchgeführt wird, zur Ausbildung einer Oxidschicht (4) zumindest in einem Teilbereich der Vorder- und/oder Rückseite des Siliziumsubstrates (1), welcher nicht durch die in Schritt D aufgebrachte Maskierungsschicht (3) bedeckt ist und dass die Maskierungsschicht (3) und die Oxidschicht (4) im Wesentlichen in den nachfolgenden Prozessschritten auf dem Siliziumsubstrat (1) verbleiben.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造具有一个前侧和一个硅衬底（1）的背面侧的太阳能电池，特别是硅晶片，其步骤包括：一个纹理化的硅衬底（1）的至少一侧，以在施用时的太阳能电池的与提高吸收电磁辐射和/或在硅衬底的至少一个侧去除切割损伤的（1），B产生至少一个发射区（2）至少在硅衬底（1）的至少一侧的部分区域通过扩散至少一种掺杂剂，以形成至少一个pn结，C在硅衬底（1），其中，所述玻璃层中含有的掺杂剂的至少一个侧移除玻璃层，D至少在硅衬底（1）的至少一个侧面的一部分，其中，所述掩蔽层（3）介电施加一掩蔽层（3） IC层为E去除至少一个硅衬底（1）的材料的在硅衬底（1）和/或调节在硅衬底（1）的至少一个侧面的至少一个侧部，F施加的金属化（5，6）（在所述前 1a）和/或背面侧（1b）中的硅衬底（1），用于所述太阳能电池的电接触。至关重要的是，E和F在处理步骤之间的步骤E2对于其中未在工序中使用的硅衬底（1）的前侧和/或后侧的部分区域中形成至少一个氧化物层（4）进行热氧化 d应用掩蔽层（3）覆盖，并且所述掩模层（3）和氧化物层（4）基本上是在硅衬底上的随后的工艺步骤（1）保持。

4. 发明申请

WO2010022889A1 VERFAHREN ZUR LOKALEN KONTAKTIERUNG UND LOKALEN DOTIERUNG EINER HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：方法的局部接触和局部掺杂的半导体层
公开(公告)号：WO2010022889A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/006037
申请日：2009-08-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V , PREU, Ralf , GROHE, Andreas , BIRO, Daniel , RENTSCH, Jochen , HOFMANN, Marc , NEKARDA, Jan-Frederik , WOLF, Andreas
发明人： PREU, Ralf , GROHE, Andreas , BIRO, Daniel , RENTSCH, Jochen , HOFMANN, Marc , NEKARDA, Jan-Frederik , WOLF, Andreas
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/2254 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02E10/52
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lokalen Kontaktierung und lokalen Dotierung einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Schichtstruktur auf der Halbleiterschicht durch i. Aufbringen mindestens einer Zwischenschicht auf eine Seite der Halbleiterschicht und ii. Aufbringen mindestens einer Metallschicht auf die in Schritt i. zuletzt aufgebrachte Zwischenschicht, wobei die Metallschicht die zuletzt aufgebrachte Zwischenschicht zumindest teilweise bedeckt, B lokales Erhitzen der Schichtstruktur, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest Teilbereichen zumindest der Schichten: Metallschicht, Zwischenschicht und Halbleiterschicht, bildet und nach Erstarren der Schmelzmischung eine Kontaktierung zwischen Metallschicht und Halbleiterschicht besteht. Wesentlich ist, dass in Schritt A, i. mindestens eine als Dotierungsschicht ausgeführte Zwischenschicht aufgebracht wird, welche einen Dotierstoff beinhaltet, wobei der Dotierstoff eine größere Löslichkeit in der Halbleiterschicht aufweist als das Metall der Metallschicht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体层的局部接触和局部掺杂的方法，包括以下方法步骤：通过I A形成在半导体层上的层结构。在半导体层的一侧上，以及ii施加至少一个中间层。施加在其上的至少一个金属层，在步骤i。施加最后的中间层，所述金属层，最后施加的中间层至少部分地覆盖，B本地的层结构的加热，使得在短时间的局部区域，在至少所述层的至少一些部分的熔体共混物：金属层，中间层和半导体层被形成，并后的凝固熔融混合物中，在金属层和半导体层之间的接触。至关重要的是，在步骤A，I。在施加的掺杂层，其包括掺杂剂，其中掺杂剂具有比所述金属层的金属的半导体层中的更大的溶解度至少一个中间层被设计。

5. 发明申请

WO2012007143A3 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012007143A3
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/EP2011/003451
申请日：2011-07-11
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , WOLF, Andreas , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle mit einer zur Lichteinkopplung ausgebildeten Vorderseite, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Mehrzahl von Ausnehmungen in einem Halbleitersubstrat eines Basisdotierungstyps, B Erzeugen eines oder mehrerer Emitterbereiche eines Emitterdotierungstyps zumindest an der Vorderseite des Halbleitersubstrates, wobei der Emitterdotierungstyp entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, C Aufbringen einer elektrisch isolierenden Isolierungsschicht und D Erzeugen von metallischen Durchleitungsstrukturen in den Ausnehmungen, von mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat in einem Basisdotierbereich ausgebildet wird, von mindestens einer metallischen Vorderseitenkontaktstruktur an der Vorderseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Emitterbereich an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird und von mindestens einer Rückseitenkontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche mit der Durchleitungskontaktstruktur elektrisch leitend verbunden ausgebildet wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B und/oder einem weiteren Verfahrensschritt zusätzlich in dem Halbleitersubstrat an den Wänden der Ausnehmungen jeweils ein sich von der Vorder- zur Rückseite erstreckender Durchleitungsemitterbereich des Emitterdotierungstyps ausgebildet wird, dass in Verfahrensschritt C die Isolierungsschicht die Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls weitere zwischenliegende Zwischenschichten, bedeckend aufgebracht wird, dass in Verfahrensschritt D die Rückseitenkontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Rückseitenkontaktstruktur Bereiche des Halbleitersubstrates mit Basisdotierung erstreckt und in diesen Bereichen aufgrund der dazwischenliegenden Isolierungsschicht eine elektrische Isolierung zwischen Rückseitenkontaktstruktur und Halbleitersubstrat ausgebildet wird und die Basiskontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Basiskontaktstruktur die Isolierungsschicht zumindest Bereichsweise durchdringt, so dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Basiskontaktstruktur und Halbleitersubstrat erzeugt wird. Die Erfindung betrifft weiterhin eine photovoltaische Solarzelle.

6. 发明申请

WO2010022911A2 SOLARZELLE UND SOLARZELLENMODUL MIT EINSEITIGER VERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：太阳能电池和太阳能电池模块的一面接线
公开(公告)号：WO2010022911A2
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/006138
申请日：2009-08-25
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , MINIGIRULLI, Nicola , CLEMENT, Florian , PREU, Ralf , WOEHL, Robert
发明人： BIRO, Daniel , MINIGIRULLI, Nicola , CLEMENT, Florian , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0516 , H01L31/022441 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft eine Solarzelle insbesondere zur Verschaltung in einem Solarzellenmodul, umfassend mindestens einen metallischen Basiskontakt, mindestens einen metallischen Emitterkontakt (5) sowie eine Halbleiterstruktur, welche mindestens einen Basis- und mindestens einen Emitterbereich (3) aufweist, wobei Basis- und Emitterbereich (2,3) zumindest teilweise aneinander angrenzen, zur Ausbildung eines pn-Übergangs, der Basiskontakt (6) elektrisch leitend mit dem Basisbereich (2) und der Emitterkontakt (5) elektrisch leitend mit dem Emitterbereich (3) verbunden ist und sowohl Basis- als auch Emitterkontakt (6,5) an einer Kontaktierungsseite (1 ) der Solarzelle angeordnet sind. Wesentlich ist, dass die Solarzelle mehrere metallische Emitterkontakte, die jeweils elektrisch leitend mit dem Emitterbereich (3) verbunden sind und mehrere metallischen Basiskontakte, die jeweils elektrisch leitend mit dem Basisbereich (2) verbunden sind, aufweist, wobei die Emitterkontakte (5) untereinander auf der dem Emitterbereich (3) abgewandten Seite keine elektrisch leitende Verbindung aufweisen und die Basiskontakten auf der dem Basisbereich (2) abgewandten Seite keine elektrisch leitende Verbindung aufweisen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Solarzellenmodul, welches mindestens zwei erfindungsgemäße Solarzellen umfasst.
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池，尤其是用于太阳能电池组件中，其包括至少一个金属基极接触的互连，至少一个金属发射极接触（5）和包含至少一种碱和至少一个发射极区域的半导体结构（3），所述基极和发射极区（2 ，3）至少部分地彼此相邻，以形成pn结，基极接触（6）是导电的（与基区2）和发射极（5）接触导电连接到所述发射极区域（3）和基本的和发射极触点（6.5）在所述太阳能电池的接触侧（1）被布置。至关重要的是，所述太阳能电池包括多个金属发射极接触，其导电地连接到发射极区域（3）和多个金属基极触点，每个导电连接到基极区（2）连接，发射极触点（5）彼此上发射极区域（3）的背离不具有导电的连接侧，并且在所述基区的基极触点（2）由不具有导电的连接背向侧。本发明进一步涉及包含根据本发明的至少两个太阳能电池的太阳能电池模块。

7. 发明申请

WO2008028625A2 VERFAHREN ZUR SIMULTANEN DOTIERUNG UND OXIDATION VON HALBLEITERSUBSTRATEN UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：程序对同时掺杂氧化性和半导体衬底及其用途
公开(公告)号：WO2008028625A2
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/EP2007/007703
申请日：2007-09-04
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , RENTSCH, Jochen
发明人： BIRO, Daniel , PREU, Ralf , RENTSCH, Jochen
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten sowie derart hergestellte dotierte und oxidierte Halbleitersubstrate. Weiterhin betrifft die Erfindung die Verwendung dieses Verfahrens zur Herstellung von Solarzellen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于同时掺杂和半导体衬底的氧化，由此制备和氧化掺杂半导体基板的方法。此外，本发明涉及使用该方法的用于生产太阳能电池。

8. 发明申请

WO2009149841A3 SOLARZELLE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2009149841A3
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/003859
申请日：2009-05-29
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , BIRO, Daniel , CLEMENT, Florian , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver
发明人： BIRO, Daniel , CLEMENT, Florian , SCHULTZ-WITTMANN, Oliver
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068
摘要： Die Erfindung betrifft eine Solarzelle, umfassend ein Halbleitersubstrat mit einer Vorder- und einer im Wesentlichen dazu parallelen Rückseite, eine Vorderseitenmetallisierung und eine Rückseitenmetallisierung und mindestens drei Dotierbereiche mit mindestens zwei unterschiedlichen Leitfähigkeittypen, an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ist ein erster, sich im wesentlichen über die gesamte Vorderseite erstreckender Dotierbereich eines ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, an der Rückseite des Halbleitersubstrates ist ein zweiter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich eines zweiten, zu dem ersten Leitfähigkeittyps entgegengesetzten Leitfähigkeittyps angeordnet und an der Rückseite ist ein dritter, sich teilweise über die Rückseite erstreckender Dotierbereich des ersten Leitfähigkeittyps angeordnet, wobei die Vorderseitenmetallisierung mit dem ersten Dotierbereich und die Rückseitenmetallisierung mit dem zweiten Dotierbereich elektrisch leitend verbunden ist und die Solarzelle eine elektrisch leitende Verbindung aufweist, welche den dritten Dotierbereich mit der Vorderseitenmetallisierung und/oder dem ersten Dotierbereich elektrisch leitend verbindet.

9. 发明申请

WO2012104198A3 PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2012104198A3
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/EP2012/051243
申请日：2012-01-26
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel
发明人： THAIDIGSMANN, Benjamin , CLEMENT, Florian , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224
摘要： Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle zur Umwandlung einfallender elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie, umfassend mindestens einen in einem Siliziumsubstrat ausgebildeten Basisbereich eines Basisdotierungstyps; mindestens einen Emitterbereich eines Emitterdotierungstyps, welcher Emitterdotierungstyp ein zu dem Basisdotierungstyp entgegengesetzter Dotierungstyp ist; mindestens eine metallische Basiskontaktierungsstruktur, welche Basiskontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Basisbereich verbunden ist und mindestens eine metallische Emitterkontaktierungsstruktur, welche Emitterkontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Emitterbereich verbunden ist, wobei Basisbereich und Emitterbereich derart angeordnet sind, dass sich zwischen Basis- und Emitterbereich zumindest bereichsweise ein pn-Übergang ausbildet. Wesentlich ist, dass in einem Basisbypassbereich die Basiskontaktierungsstruktur den Emitterbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Basiskontaktierungsstruktur und Emitterbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist und/oder dass in einem Emitterbypassbereich die Emitterkontaktierungsstruktur den Basisbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Emitterkontaktierungsstruktur und Basisbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.

10. 发明申请

WO2010015310A2 SOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制备方法的太阳能电池
公开(公告)号：WO2010015310A2
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/EP2009/005040
申请日：2009-07-10
申请人： FRAUNHOFER- GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , MENKÖ, geb. LUTSCH Michael , KUBERA, Tim
发明人： CLEMENT, Florian , BIRO, Daniel , MENKÖ, geb. LUTSCH Michael , KUBERA, Tim
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0516 , H01L31/022441 , H01L31/02245 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft eine Solarzelle und ein Verfahren zur Herstellung dieser Solarzelle. Die Solarzelle umfasst ein Halbleitersubstrat mit dotierten Bereichen (2a, 2b). Auf einer Seite des Halbleitersubstrats befinden sich Kontaktstrukturen (3b, 3c), die mit den dotierten Bereichen (2a, 2b) verbunden sind, und Verbindungsstrukturen (4a, 4b) die übereinander angeordnet sind. Die Verbindungsstrukturen (4a, 4b) sind durch Öffnungen (9) in einer zwischenliegenden Isolierungsschicht (5) mit den Kontaktstrukturen (3b, 3c) verbunden.
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池及其制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括具有掺杂区域（2A，2B）的半导体衬底。在半导体基板的一侧被连接到掺杂区域的接触结构（3B，3C）（2A，2B）相连接，并且连接结构（4A，4B），其被布置在另一个之上。连接结构（4A，4B）通过的开口（9）中的中间绝缘层（5）与所述接触结构连接（3B，3C）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式