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1. 发明申请

WO2011157422A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2011157422A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/002968
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , MACK, Sebastian , JÄGER, Ulrich , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , KÄSTNER, Gero
发明人： MACK, Sebastian , JÄGER, Ulrich , WOLF, Andreas , BIRO, Daniel , PREU, Ralf , KÄSTNER, Gero
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A. Texturieren einer Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates, welches dotiert ist mit einem Basisdotierungstyp, B. Erzeugen mindestens einer selektiven Dotierstruktur an der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Vorderseite (2) mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) mit einem ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich jeweils mit einem Emitterdotierungstyps, welcher entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, ausgebildet werden und der Hochdotierbereich mit einem niedrigeren Querleitungswiderstand ausgebildet wird als der Niedrigdotierungsbereich und C. Aufbringen mindestens einer metallischen Emitterkontaktstruktur auf der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, zumindest in den Bereichen lokaler Hochdotierung, wobei die Emitterkontaktstruktur elektrisch leitend mit dem Hochdotierbereich verbunden wird und Aufbringen mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur auf der Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktstruktur mit einem Bereich des Halbleitersubstrates der Basisdotierung elektrisch leitend verbunden wird. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B. und C., gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte, in einem Verfahrensschritt B1 auf Vorder- und Rückseite des Halbleitersubstrates gleichzeitig jeweils eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation erzeugt wird, wobei zumindest die Vorderseitensiliziumoxidschicht mit einer Dicke kleiner 150 nm erzeugt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池，包括以下步骤：A.纹理掺杂有一个基本的掺杂类型的半导体衬底的前侧（2），B。产生至少一个选择性Dotierstruktur的前侧（2）形成在半导体衬底的由至少一个平坦Niedrigdotierbereich（4），其具有在所述前侧（2）在所述半导体衬底和至少一个本地Hochdotierbereich的第二掺杂分布在第一Niedrigdotierbereiches内产生产生的第一掺杂分布，其中，所述Niedrigdotierbereich（4）和所述Hochdotierbereich每一个发射极掺杂类型，这是相反的基本掺杂类型，被形成和Hochdotierbereich以比低杂质区和C的下部横向线阻力施加至少一个金属Emitterkontaktst形成 STRU CTU再在前面（2）的半导体衬底，任选在其他中间层，至少在局部高掺杂的区域，与所述发射极接触结构的导电连接到Hochdotierbereich和施加在所述半导体基板的背面的至少一个金属基体接触结构，任选地在其他中间层，其中与所述基区掺杂的半导体衬底的区域中的基极接触结构导电连接。至关重要的是，之间的方法步骤B和C，任选地与进一步的中间步骤的方法中的步骤B1在同一时间上的前部和所述半导体基板各自具有氧化硅层的背面的插入（5A，5B）通过热氧化，由此至少所述Vorderseitensiliziumoxidschicht与产生的厚度产生小于150nm。

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