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1. 发明申请

WO2011157422A3 METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：一种用于生产光伏太阳能电池
公开(公告)号：WO2011157422A3
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2011002968
申请日：2011-06-16
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , MACK SEBASTIAN , JAEGER ULRICH , WOLF ANDREAS , BIRO DANIEL , PREU RALF , KAESTNER GERO
发明人： MACK SEBASTIAN , JAEGER ULRICH , WOLF ANDREAS , BIRO DANIEL , PREU RALF , KAESTNER GERO
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a photovoltaic solar cell, comprising the following steps: A. texturising a front (2) of a semiconductor substrate; B. generating a selective emitter doping on the front (2) of the semiconductor substrate by generating on the front (2) a flat low-doped region (4) and a local high-doped region (3) within the first low-doped region; and C. applying at least one metal emitter contact structure to the front (2) of the semiconductor substrate, at least in the regions of local high doping, wherein, between method steps B and C, a respective silicon oxide layer (5a, 5b) is generated in a method step B1 simultaneously on the front and back of the semiconductor substrate by means of thermal oxidation.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池，包括以下方法步骤：A.纹理化半导体衬底的前侧（2）; B.生成上的前侧的选择性发射极的掺杂（2）通过施加到前侧的半导体基板（2）形成的平面Niedrigdotierbereich（4）和在其内的本地Hochdotierbereich（3）; 和C.施加至少一个金属发射极接触结构上的前侧（2）的半导体衬底，至少在局部高掺杂的区域，其中所述方法之间同时步骤B和C在前面和在半导体衬底各自具有氧化硅层（在步骤B1图5a，5b的背面的）通过热氧化产生的。

2. 发明专利

DE102010024309A1 Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle 未知
公开(公告)号：DE102010024309A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：DE102010024309
申请日：2010-06-18
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： MACK SEBASTIAN DIPL PHYS , JAEGER ULRICH DIPL PHYS , WOLF ANDREAS DR , BIRO DANIEL DR ING , PREU RALF DR ING , KAESTNER GERO
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturieren einer Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates, welches dotiert ist mit einem Basisdotierungstyp, B Erzeugen mindestens einer selektiven Dotierstruktur an der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Vorderseite (2) mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) mit einem ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich jeweils mit einem Emitterdotierungstyps, welcher entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, ausgebildet werden und der Hochdotierbereich mit einem niedrigeren Querleitungswiderstand ausgebildet wird als der Niedrigdotierungsbereich und C Aufbringen mindestens einer metallischen Emitterkontaktstruktur auf der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, zumindest in den Bereichen lokaler Hochdotierung, wobei die Emitterkontaktstruktur elektrisch leitend mit dem Hochdotierbereich verbunden wird und Aufbringen mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur auf der Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktstruktur mit einem Bereich des Halbleitersubstrates der Basisdotierung elektrisch leitend verbunden wird. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B und C, gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte, in einem Verfahrensschritt B1 auf Vorder- und Rückseite des Halbleitersubstrates gleichzeitig jeweils eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation erzeugt wird, wobei zumindest die Vorderseitensiliziumoxidschicht mit einer Dicke kleiner 150 nm erzeugt wird.

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