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1. 发明申请

WO2002025742A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-METALLKONTAKTES DURCH EINE DIELEKTRISCHE SCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2002025742A3
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/EP2001/010029
申请日：2001-08-30
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , PREU, Ralf , SCHNEIDERLÖCHNER, Eric , GLUNZ, Stefan , LÜDEMANN, Ralf
发明人： PREU, Ralf , SCHNEIDERLÖCHNER, Eric , GLUNZ, Stefan , LÜDEMANN, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur elektrischen Kontaktierung einer, mit wenigstens einer dielektrischen Schicht (12) überzogenen Halbleiterschicht (13). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Metallschicht (11) auf die dielektrische Schicht (12) aufgebracht wird und mittels einer Strahlungsquelle (9) diese Metallschicht (11) kurzzeitig lokal punkt- oder linienförmig derart kontrolliert erhitzt wird, so dass sich eine lokale Schmelzmischung ausschliesslich aus der Metallschicht (11), der dielektrischen Schicht (12) sowie der unmittelbar unter der dielektrischen Schicht (12) befindlichen Halbleiterschicht (13) ausbildet, die nach dem Erstarren zu einem elektrischen Kontakt zwischen der Halbleiterschicht (13) und der Metallschicht (11) führt.

2. 发明申请

WO2008025392A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON ELEKTRISCHEN KONTAKTEN AUF HALBLEITENDE SUBSTRATE, HALBLEITENDES SUBSTRAT UND VERWENDUNG DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译：申请的程序的电接触半导电基材，半导体过程的基底和使用
公开(公告)号：WO2008025392A1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/EP2007/005658
申请日：2007-06-26
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ALEMÁN, Mónica , METTE, Ansgar , GLUNZ, Stefan , PREU, Ralf
发明人： ALEMÁN, Mónica , METTE, Ansgar , GLUNZ, Stefan , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L23/482
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/76838 , H01L24/03 , H01L31/18 , H01L2224/0401 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/3025 , Y02E10/50
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von mindestens einem elektrischen Kontakt auf ein halbleitendes Substrat, insbesondere Solarzellen, durch ein Lasersinterverfahren. Weiterhin betrifft vorliegende Erfindung ein derart hergestelltes halbleitendes Substrat, insbesondere eine Solarzelle sowie eine Verwendung des Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及用于施加半导电衬底上的至少一个电接触，尤其是太阳能电池，通过激光烧结法的方法。此外，本发明涉及一种如此制造半导体衬底，特别是太阳能电池和使用该方法。

3. 发明申请

WO2008107194A3 VERFAHREN ZUR PRÄZISIONSBEARBEITUNG VON SUBSTRATEN UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2008107194A3
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2008/001807
申请日：2008-03-06
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , MAYER, Kuno , ALEMAN, Monica , KRAY, Daniel , GLUNZ, Stefan , METTE, Ansgar , PREU, Ralf , GROHE, Andreas
发明人： MAYER, Kuno , ALEMAN, Monica , KRAY, Daniel , GLUNZ, Stefan , METTE, Ansgar , PREU, Ralf , GROHE, Andreas
IPC分类号： C23C18/16 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/311 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Präzisionsbearbeitung von Substraten, insbesondere zur Mikrostrukturierung von dünnen Schichten, der lokalen Dotierstoffeinbringung sowie der lokalen Aufbringung einer Metallkeimschicht, bei dem ein flüssigkeitsunterstützter Laser, d.h. eine Laserbestrahlung eines Substrats, das in den zu bearbeitenden Bereichen von einer geeigneten reaktiven Flüssigkeit bedeckt ist, durchgeführt wird.

4. 发明申请

WO2009071145A2 VERFAHREN ZUR METALLISIERUNG VON SOLARZELLEN, HOTMELT-AEROSOL-TINTE UND AEROSOL-JET-DRUCKSYSTEM 审中-公开
标题翻译：太阳能电池金属化，热熔气溶胶墨水和气溶胶喷射印刷系统的方法
公开(公告)号：WO2009071145A2
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/EP2008/008648
申请日：2008-10-13
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , HÖRTEIS, Matthias , RICHTER, Philipp , GLUNZ, Stefan
发明人： HÖRTEIS, Matthias , RICHTER, Philipp , GLUNZ, Stefan
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , C09D11/34 , C09D11/52 , Y02E10/50
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein neuartiges Verfahren zum Aufbringen von leitfähigen Strukturen auf Solarzellen, wobei mittels eines Aerosol-Jet-Drucksystems eine Hotmelt -Aerosol -Tinte zerstäubt und in Richtung der Solarzelle aus dem Drucksystem ausgetragen wird, wobei das Drucksystem mindestens teilweise beheizt wird, um die Viskosität der eingesetzten Tinte niedrig zu halten. Beim Auf treffen auf das nicht beheizte Substrat (Solarzelle) erstarrt die Tinte.
摘要翻译：本发明涉及一种新的方法，用于在太阳能电池上施加导电图案，通过气溶胶喷射印刷系统的装置被雾化，热熔-Aerosol -Tinte和朝向从打印系统中的太阳能电池放电时，所述打印系统至少部分地加热到保持使用的低油墨的粘度。当在非加热的基板（太阳能电池）扑来固化油墨。

5. 发明申请

WO2011141142A1 HALBLEITERBAUTEIL MIT DEFEKTREICHER SCHICHT ZUR OPTIMALEN KONTAKTIERUNG VON EMITTERN SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：用以制定以获得最佳接触的发射器和方法BROKEN富集层半导体部件
公开(公告)号：WO2011141142A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2011/002244
申请日：2011-05-05
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHMICH, Evelyn , HÖRTEIS, Matthias , GLUNZ, Stefan
发明人： SCHMICH, Evelyn , HÖRTEIS, Matthias , GLUNZ, Stefan
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil aus einem Halbleitermaterial, das eine an einer Oberfläche des Halbleiterbauteils angeordnete defektreiche Halbleiterschicht mit einer Defekt konzentration von mindestens 10 3 Defekten pro cm 2 aufweist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des vorgenannten Halbleiterbauteils, bei dem eine Halbleiterschicht durch physikalische oder chemische Gasphasenabscheidung auf das Halbleitermaterial aufgetragen und in einem weiteren Arbeitsschritt, z.B. während der Gasphasenabscheidung oder im Anschluss daran, versintert wird. Im Anschluss daran wird die gewünschte Defekt konzentration in der aufgetragenen Halbleiterschicht eingestellt.
摘要翻译：本发明涉及由具有半导体器件的表面上的设置的半导体材料的半导体器件是具有每平方厘米至少103个缺陷的缺陷浓度缺陷富半导体层。另外，本发明涉及一种方法，用于在其中半导体层是通过物理或化学气相沉积施加在半导体材料中，上述半导体装置的制造，并且在进一步的加工步骤，例如气相沉积期间或之后进行烧结。在此之后，所希望的缺陷浓度所施加的半导体层中设置。

6. 发明申请

WO2007085448A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER METALLISCHEN KONTAKTSTRUKTUR EINER SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产太阳能电池的金属接触结构
公开(公告)号：WO2007085448A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/EP2007/000630
申请日：2007-01-25
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , METTE, Ansgar , SCHETTER, Christian , GLUNZ, Stefan , RICHTER, Philipp
发明人： METTE, Ansgar , SCHETTER, Christian , GLUNZ, Stefan , RICHTER, Philipp
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , B23K26/146 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktstruktur einer Solarzelle, umfassend die Verfahrensschritte: - Aufbringen einer metallischen Kontaktstruktur auf eine Oberfläche der Solarzelle, Verstärken der metallischen Kontaktstruktur in einem elektrolytischen Bad. Wesentlich ist, dass die metallische Kontaktstruktur dadurch aufgebracht wird, dass eine metallhaltige Tinte mittels mindestens einer Druckdüse auf die Oberfläche der Solarzelle aufgebracht wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造太阳能电池的金属接触结构，其包括以下步骤： - 在太阳能电池的一个表面上施加金属接触结构，在电解槽中放大所述金属接触结构。至关重要的是，金属接触结构被应用在该含金属的油墨是通过至少一个印刷喷嘴的手段施加到太阳能电池的表面。

7. 发明申请

WO2010025809A9 HETEROSOLARZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HETEROSOLARZELLEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2010025809A9
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/EP2009/005855
申请日：2009-08-12
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , PYSCH, Damian , GLUNZ, Stefan
发明人： PYSCH, Damian , GLUNZ, Stefan
IPC分类号： H01L31/0747
摘要： Die Erfindung betrifft eine Heterosolarzelle, die Silizium, dotierte Siliziumschichten und Tunnelpassi- vierungsschichten enthält. Diese ist durch eine Indium-Zinn-Oxid Schicht auf der Vorderseite und durch eine Aluminiumschicht auf der Rückseite abgeschlossen. Weiterhin umfasst die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Heterosolarzellen.

8. 发明申请

WO2010003619A1 METALLHALTIGE ZUSAMMENSETZUNG, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ELEKTRISCHEN KONTAKTSTRUKTUREN AUF ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN SOWIE ELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：含金属的组合物，工艺用于生产电接触结构于电子元器件及电子零件
公开(公告)号：WO2010003619A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/EP2009/004877
申请日：2009-07-06
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , HÖRTEIS, Matthias , WOEHL, Robert , GLUNZ, Stefan , FILIPOVIC, Aleksander , SCHMIDT, Daniel
发明人： HÖRTEIS, Matthias , WOEHL, Robert , GLUNZ, Stefan , FILIPOVIC, Aleksander , SCHMIDT, Daniel
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/00
CPC分类号： H01L31/022425 , H01B1/22 , H05K1/092 , Y02E10/50
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine metallhaltige Zusammensetzung, ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontaktstrukturen auf elektronischen Bauteilen sowie ein mit einer derartigen Kontaktierung versehenes elektronisches Bauteil.
摘要翻译：本发明涉及一种含金属的组合物，用于制造电接触结构的电子部件的方法，以及设置有这种电子部件的接触。

9. 发明申请

WO2010022922A1 VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER ÜBERSCHUSSLADUNGSTRÄGERLEBENSDAUER IN EINER HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：方法用于确定过负荷CARRIERS LIFE在半导体层中
公开(公告)号：WO2010022922A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/006166
申请日：2009-08-26
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , ROSENITS, Philipp , ROTH, Thomas , GLUNZ, Stefan
发明人： ROSENITS, Philipp , ROTH, Thomas , GLUNZ, Stefan
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2648
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Überschussladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A) Beaufschlagen der Halbleiterschicht mit Anregungsstrahlung zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Hableiterschicht und B) Messen der Intensität der Lumineszenzstrahlung der Halbleiterschicht mittels eines Detektors. Wesentlich ist, dass die Verfahrensschritte A und B an einer ersten Messprobe, umfassend eine erste Halbleiterschicht mit einer ersten Schichtdicke D 1 zur Messung einer ersten Lumineszenzintensität l M,1 und zusätzlich mindestens an einer zweiten Messprobe, umfassend eine zweite Halbleiterschicht mit einer zweiten Schichtdicke D 2 zur Messung einer zweiten Lumineszenzintensität I M,2 durchgeführt werden, wobei die Schichtdicken D 1 und D 2 unterschiedlich sind, die erste und die zweite Halbleiterschicht im Wesentlichen gleiche Überschussladungsträgerlebensdauern und die gleichen Rekombinationseigenschaften an den jeweiligen Oberflächen der Halbleiterschichten aufweisen und die Überschussladungsträgerlebensdauer der Halbleiterschichten durch Vergleich des Verhältnisses der gemessenen Lumineszenzintensitäten mit einem theoretischen Modell bestimmt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于确定过量载流子寿命在半导体层中，下面的方法步骤，其包括：A）使用激发辐射照射所述半导体层，以产生在Hableiterschicht发光和B）通过一个检测器来测量所述半导体层的发光的强度。至关重要的是，该方法在第一测定试样步骤A和B，其包括至少在第二测定试样具有用于测量第一发光强度L M，1的第一层厚度D 1和另外的第一半导体层，其包括具有第二层厚度D的第二半导体层 2，用于测量的第二发光强度IM，2，其中，所述层厚度进行D1和D2 2是不同的，所述第一和具有基本在半导体层的各自表面和由所述半导体层的过剩电荷载流子寿命相同的过剩电荷载流子的寿命，并且在同一重组所述第二半导体层比较所测量的发光的比例通过理论模型来确定。

10. 发明公开

EP2062299A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON ELEKTRISCHEN KONTAKTEN AUF HALBLEITENDE SUBSTRATE, HALBLEITENDES SUBSTRAT UND VERWENDUNG DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译：申请的程序的电接触半导电基材，半导体过程的基底和使用
公开(公告)号：EP2062299A1
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：EP07726161.8
申请日：2007-06-26
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. , Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
发明人： ALEMÁN, Mónica , METTE, Ansgar , GLUNZ, Stefan , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L23/482
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/76838 , H01L24/03 , H01L31/18 , H01L2224/0401 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/3025 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for applying at least one electric contact to a semi-conductor substrate, in particular solar cells, by means of a laser sintering method. The invention also relates to a semi-conductor substrate produced according to said method, in particular a solar cell, and to the use of said method.

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