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21. 发明专利

TWI353392B 感應耦合電漿反應器之熱管理 THERMAL MANAGEMENT OF INDUCTIVELY COPULED PLASMA REACTORS 失效
简体标题：感应耦合等离子反应器之热管理 THERMAL MANAGEMENT OF INDUCTIVELY COPULED PLASMA REACTORS
公开(公告)号：TWI353392B
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW095128929
申请日：2006-08-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路四清 , 梁奇偉 , 邱艾琳 , 金史帝芬H , 李永S , 葉怡利Y , 拉許德幕哈瑪德M
IPC分类号： C23F , H05B , H01L
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/321
摘要：本發明揭示一種用於在製程室中提供來源以感應地產生電漿的RF線圈組合。該RF線圈組合包含一置於處理室周邊附近的RF線圈，及一置於該處理室周邊附近的框架。該框架適於將RF線圈支撐在定位。一介面材料係置於該框架及一處理室之側壁間且與其熱接觸。該介面材料具有4.0W/mK或更多之熱導率。
简体摘要：本发明揭示一种用于在制程室中提供来源以感应地产生等离子的RF线圈组合。该RF线圈组合包含一置于处理室周边附近的RF线圈，及一置于该处理室周边附近的框架。该框架适于将RF线圈支撑在定位。一界面材料系置于该框架及一处理室之侧壁间且与其热接触。该界面材料具有4.0W/mK或更多之热导率。

22. 发明专利

TW201123302A 遠端電漿源的陳化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING 审中-公开
简体标题：远程等离子源的陈化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING
公开(公告)号：TW201123302A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099127602
申请日：2010-08-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：朴書南 , 全洙 , 崔恩托恩Q , 楊章喬 , 梁奇偉 , 路布米斯基德米崔
IPC分类号： H01L , H01J , C23C
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/401 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y10S438/905
摘要：在此描述陳化(seasoning)遠端電漿系統的方法。該等方法包括以下步驟：將含矽前驅物流進遠端電漿區域，以沉積含矽膜於遠端電漿系統的內部表面上。該等方法減少沉積製程期間與陳化壁的反應，造成沉積速率改善、沉積均勻性改善並且減少後續沉積期間的缺陷度。
简体摘要：在此描述陈化(seasoning)远程等离子系统的方法。该等方法包括以下步骤：将含硅前驱物流进远程等离子区域，以沉积含硅膜于远程等离子系统的内部表面上。该等方法减少沉积制程期间与陈化壁的反应，造成沉积速率改善、沉积均匀性改善并且减少后续沉积期间的缺陷度。

23. 发明专利

TW201029523A 清潔腔室及製程所用的電漿源 PLASMA SOURCE FOR CHAMBER CLEANING AND PROCESS 审中-公开
简体标题：清洁腔室及制程所用的等离子源 PLASMA SOURCE FOR CHAMBER CLEANING AND PROCESS
公开(公告)号：TW201029523A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098135634
申请日：2009-10-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 楊章喬 , 梁奇偉 , 米勒馬修L , 聖圖薩詹姆士 , 陳興隆 , 史密斯保羅F
IPC分类号： H05H
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/32036 , H01J37/32045 , H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01J37/32357
摘要：在此提出處理基板及處理處理腔室的設備和方法。在一實施例中,用以處理基板的設備包括功率源、耦接功率源的切換箱且切換箱設有可交換第一位置與第二位置的開關、耦接切換箱的第一匹配箱、耦接第一匹配箱的電漿產生器、耦接切換箱的第二匹配箱、以及耦接第二匹配箱的遠端電漿源。
简体摘要：在此提出处理基板及处理处理腔室的设备和方法。在一实施例中,用以处理基板的设备包括功率源、耦接功率源的切换箱且切换箱设有可交换第一位置与第二位置的开关、耦接切换箱的第一匹配箱、耦接第一匹配箱的等离子产生器、耦接切换箱的第二匹配箱、以及耦接第二匹配箱的远程等离子源。

24. 发明专利

TW201010518A 用於具流動性之介電質的製造設備及製程 FLOWABLE DIELECTRIC EQUIPMENT AND PROCESSES 审中-公开
简体标题：用于具流动性之介电质的制造设备及制程 FLOWABLE DIELECTRIC EQUIPMENT AND PROCESSES
公开(公告)号：TW201010518A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098115335
申请日：2009-05-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：露波默斯基德米翠 , 梁奇偉 , 楊章喬
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45574 , C23C16/507 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244
摘要：在此揭露多種基材製程系統，此系統可包含一製程腔室，其具有一內部空間，該內部空間可將內腔壓與外腔壓保持不同。上述系統亦可包含遠端電漿系統，其可操作以在製程腔室的內部空間之外產生電漿。此外，上述系統可包含一第一製程氣體通道，其可操作以將第一製程氣體由遠端電漿系統輸送至製程腔室內部空間中；以及一第二製程氣體通道，其可操作以輸送未經遠端電漿系統處裡的第二製程氣體。上述第二製程氣體通道具有一末端，其開口朝向上述製程腔室的內部空間中，且該末端至少部分由該第一製程氣體通道所圍繞。
简体摘要：在此揭露多种基材制程系统，此系统可包含一制程腔室，其具有一内部空间，该内部空间可将内腔压与外腔压保持不同。上述系统亦可包含远程等离子系统，其可操作以在制程腔室的内部空间之外产生等离子。此外，上述系统可包含一第一制程气体信道，其可操作以将第一制程气体由远程等离子系统输送至制程腔室内部空间中；以及一第二制程气体信道，其可操作以输送未经远程等离子系统处里的第二制程气体。上述第二制程气体信道具有一末端，其开口朝向上述制程腔室的内部空间中，且该末端至少部分由该第一制程气体信道所围绕。

25. 发明专利

TWI701357B 用於膜沉積的脈衝化電漿有权
简体标题：用于膜沉积的脉冲化等离子
公开(公告)号：TWI701357B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105108164
申请日：2016-03-16
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛君 , XUE, JUN , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼史林尼法斯 , NEMANI SRINIVAS , 史托威爾麥克W , STOWELL, MICHAEL W. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR., DOUGLAS A.
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/52

26. 发明专利

TWI641043B 用於半導體設備的密封槽方法有权
简体标题：用于半导体设备的密封槽方法
公开(公告)号：TWI641043B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103128127
申请日：2014-08-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： H01L21/3065

27. 发明专利

TW201732926A 晶圓處理設備中的化學物質控制特徵审中-公开
简体标题：晶圆处理设备中的化学物质控制特征
公开(公告)号：TW201732926A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106117934
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG,QIWEI , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 祝基恩 , CHUC,KIEN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 朴書南 , PARK,SOONAM , 楊章喬 , YANG,JANG-GYOO , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 崔恩托恩 , TRAN,TOAN , 辛克里金柏利 , HINCKLEY,KIMBERLY , 賈格沙魯巴 , GARG,SAURABH
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
摘要：茲描述氣體分配組合件，包括環形主體、上板材及下板材。該上板材可以界定第一複數孔，並且該下板材可以界定第二和第三複數孔。該上板材和該下板材可以彼此耦接並與該環形主體耦接，使得該第一和第二孔形成通過該氣體分配組合件的通道，並且該上板材和該下板材之間界定一容積。
简体摘要：兹描述气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一复数孔，并且该下板材可以界定第二和第三复数孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的信道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

29. 发明专利

TW201546871A 具有旋轉微波電漿源之工件處理腔室审中-公开
简体标题：具有旋转微波等离子源之工件处理腔室
公开(公告)号：TW201546871A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104116842
申请日：2015-05-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史托威爾麥克W , STOWELL, MICHAEL W. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H05B6/80 , H05B6/6402 , H05B6/642 , H05B6/707 , H05B6/725 , H05B6/806
摘要：在具有微波電漿源的處理反應器中，微波輻射器係安裝於旋轉微波耦合上，以連續地旋轉。
简体摘要：在具有微波等离子源的处理反应器中，微波辐射器系安装于旋转微波耦合上，以连续地旋转。

30. 发明专利

TW201320220A 用於處理晶圓及清潔腔室之感應電漿源审中-公开
简体标题：用于处理晶圆及清洁腔室之感应等离子源
公开(公告)号：TW201320220A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101127247
申请日：2012-07-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32577 , H01J37/32633
摘要：本發明描述用於在基板上沉積材料之方法及系統。一種方法可包括以下步驟：提供處理腔室，該處理腔室分隔成第一電漿區域及第二電漿區域。方法可進一步包括以下步驟：將基板輸送至處理腔室，其中該基板可佔據第二電漿區域之一部分。方法可額外包括以下步驟：在第一電漿區域中形成第一電漿，其中該第一電漿可能未直接接觸基板，且該第一電漿可藉由啟動第一電漿區域上方的至少一個成形的射頻(「RF」)線圈形成。此外，方法可包括以下步驟：在基板上沉積材料以形成層，其中受第一電漿激發的一或更多種反應物可用於沉積該材料。
简体摘要：本发明描述用于在基板上沉积材料之方法及系统。一种方法可包括以下步骤：提供处理腔室，该处理腔室分隔成第一等离子区域及第二等离子区域。方法可进一步包括以下步骤：将基板输送至处理腔室，其中该基板可占据第二等离子区域之一部分。方法可额外包括以下步骤：在第一等离子区域中形成第一等离子，其中该第一等离子可能未直接接触基板，且该第一等离子可借由启动第一等离子区域上方的至少一个成形的射频(“RF”)线圈形成。此外，方法可包括以下步骤：在基板上沉积材料以形成层，其中受第一等离子激发的一或更多种反应物可用于沉积该材料。

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