会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明申请
    • VOLTAGE-PROTECTED SEMICONDUCTOR BRIDGE IGNITER ELEMENTS
    • 电压保护半导体桥IGNITER元件
    • WO0079210A3
    • 2001-04-19
    • PCT/US0016275
    • 2000-06-14
    • ENSIGN BICKFORD CO
    • MARTINEZ-TOVAR BERNARDOFOSTER MARTIN CNOVOTNEY DAVID B
    • F42C19/12F42B3/13F42B3/18F42B3/12
    • F42B3/18F42B3/13
    • A semiconductor bridge igniter device (10) having integral voltage anti-fuse protection provides an electric circuit including a first firing leg and, optionally, a monitor leg. The first firing leg includes a first semiconductor bridge having semiconductor pads (14a, 14b) separated and connected by a bridge (14c) and having metallized lands (16a, 16b) disposed over the pads (14a, 14b) so that an electrical potential applied across the metallized lands (16a, 16b) will cause sufficient current to flow through the firing leg of the electric circuit to release energy at the bridge (14c). A dielectric layer (15) is interposed within the first firing leg and has a breakdown voltage equal to a selected threshold voltage (Vth) and therefore provides protection against the device functioning at voltages below the threshold voltage (Vth). A continuity monitor leg of the electric circuit is comprised of either a fusible link (34) or a resistor (36) disposed in parallel to the first firing leg. A second firing leg may be provided which includes a second semiconductor bridge formed similar to the first semiconductor bridge although being mounted to receive a reverse polarity voltage from that of the first semiconductor bridge in order to reduce variations in firing voltage. A capacitor may be employed in parallel with the first firing leg in order to, e.g., reduce the effects of static electricity.
    • 具有整体电压抗熔丝保护的半导体桥接点火装置(10)提供包括第一射击支路和任选的监视器支路的电路。 第一射击腿包括具有由桥(14c)分离并连接并且设置在焊盘(14a,14b)之上的金属化焊盘(16a,16b)的半导体焊盘(14a,14b)的第一半导体桥,使得施加电位 穿过金属化区域(16a,16b)将导致足够的电流流过电路的击发腿以释放桥(14c)处的能量。 电介质层(15)被置于第一击发腿内并且具有等于所选择的阈值电压(Vth)的击穿电压,因此在低于阈值电压(Vth)的电压下提供对器件的保护作用。 电路的连续性监视器支路由与第一发射支腿平行设置的可熔连接件(34)或电阻器(36)组成。 可以提供第二击发腿,其包括类似于第一半导体桥形成的第二半导体桥,虽然安装成接收与第一半导体电桥相反的极性电压,以便减小点火电压的变化。 为了例如减少静电的影响,可以使用电容器与第一射出支腿平行。
    • 8. 发明申请
    • 半導体電橋装置および半導体電橋装置を備える点火具
    • 半导体电路电路和IGNITER包括它们
    • WO2006038703A1
    • 2006-04-13
    • PCT/JP2005/018718
    • 2005-10-04
    • 日本化薬株式会社前田 繁椋木 大剛
    • 前田 繁椋木 大剛
    • F42B3/13
    • F42B3/14F42B3/13H01L2924/0002H01L2924/00
    • 火花発生までの反応時間が短く、かつ火花発生量も大きい半導体電橋装置を提供する。基板上に、一対のランド部分と該一対のランド部分を電気的に接続する電橋部を有し、該一対のランド部分の上面に配設した電極パッドを介して通電することにより、該電橋部において火花を発生させる半導体電橋装置であって、該一対のランド部分および該電橋部が、金属層と金属酸化物層を交互に複数組重ね合わせたラミネート層からなり、該ラミネート層の最上層を金属層にすると共に、該金属酸化物層として分解温度が1500℃超の金属酸化物を用いる。
    • 实现火花发射前反应时间短的半导体桥接电路装置,实现大量火花发射。 提供了一种半导体桥接电路装置,包括基板,并且叠加在其上,一对接地部分和用于电连接所述一对接地部分的桥接电路部分,所述半导体桥接电路装置适于在桥接电路部分发射火花 当电流通过设置在一对接地部分的上表面上的电极焊盘时,其中所述一对接地部分和桥接电路部分由层叠体构成,所述层叠体由彼此堆叠的多个金属层和金属氧化物 层,并且其中层压层的最上层是金属层,金属氧化物层的金属氧化物是> 1500℃分解温度之一。