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1. 发明申请

WO2009072254A1 III族窒化物結晶、その結晶成長方法および結晶成長装置审中-公开
标题翻译：第III组氮化物晶体，用于生长III族氮化物晶体的方法，以及用于生长晶体的装置
公开(公告)号：WO2009072254A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2008/003483
申请日：2008-11-27
申请人：パナソニック株式会社 , 峯本尚 , 山田修 , 畑山健 , 星河浩介 , 得能保典
发明人：峯本尚 , 山田修 , 畑山健 , 星河浩介 , 得能保典
IPC分类号： C30B9/06 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/063 , C30B29/406 , Y10T117/1096
摘要： III 族元素と窒素とアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属とを少なくとも含む融液５０から窒素含有ガスの加圧雰囲気でIII 族窒化物結晶を成長させるに際し、前記融液５０を保持する融液保持容器１６０を互いに方向が異なる２軸、たとえばＸ軸，Ｙ軸の周りで揺動させる。これにより、融液５０を容器底面（あるいは種結晶）との界面の全面にわたって十分な流速で流動させる攪拌が可能となり、結晶内部にマクロ欠陥の少ない結晶を成長させることが可能となる。また、融液保持容器１６０全体にわたって均一な融液５０の流れを作ることが可能となり、このことによってもマクロ欠陥を低減できるとともに、結晶厚みの不均一が小さく、面内均一性に優れた結晶を成長させることが可能となる。
摘要翻译：当III族氮化物晶体在含有至少III族元素，氮，碱金属或碱土金属的熔体（50）的含氮气体的加压气氛下生长时，熔融保持容器（160）保持熔体（50）在例如X轴和Y轴方向上彼此不同的两个轴上摇动。根据上述结构，可以将熔体（50）以足够的流速在熔体（50）和容器的底面（或晶种）的整个界面上流动。因此，可以生长晶体内几乎没有宏观缺陷的晶体。此外，熔体（50）的均匀流动可以在整个熔融保持容器（160）中形成。这也可以减少宏观缺陷，并且可以生长没有显着的不均匀厚度和具有优异的面内均匀性的晶体。

2. 发明申请

WO2005095681A1 III族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子审中-公开
标题翻译：用于生产III族元素氮化物晶体的方法，其使用的生产装置和生产的半导体元件
公开(公告)号：WO2005095681A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006365
申请日：2005-03-31
申请人：松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 高橋康仁
发明人：森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 高橋康仁
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
摘要：　成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるIII族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子を提供する。　アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素と窒素とを含む原料液中において、窒素含有ガス雰囲気下、加圧加熱して前記原料液中の窒素とIII族元素とを反応させ結晶を成長させる結晶成長工程を有するIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記結晶成長工程に先立ち、さらに、原料調製工程を有し、前記原料調製工程は、窒素含有ガス雰囲気下、雰囲気温度および雰囲気圧力の少なくとも一方を前記結晶成長工程の条件よりも高く設定して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素とを含む融液中に窒素を溶解させて前記原料液を調製する工程である。本発明の方法は、例えば、図７に示す製造装置により行うことができる。
摘要翻译：一种生产III族元素氮化物晶体的方法，其具有晶体生长步骤，在压力下加热含有碱金属和碱土金属，III族元素和氮气中的至少一种的原料流体，所述气体含有从而使上述原料流体中的氮和III族元素反应，并且生长晶体，其进一步包括原料制备步骤，在上述晶体生长步骤之前，将氮溶解在含有至少一种的碱金属和碱土金属在含氮气体的气氛中，其中将气氛的温度和压力中的至少一个设定在比上述晶体生长步骤高的水平的条件下，制备以上原料液; 实施上述方法的制造装置，例如图1所示。 7; 以及由上述制造的半导体元件。该方法允许在短时间内生产具有高质量和大尺寸的III族元素氮化物的晶体，并具有改善的生长速率。

3. 发明申请

WO2004083498A1 III族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれに用いる装置审中-公开
标题翻译：用于生产III类氮化物单晶的方法及其使用的装置
公开(公告)号：WO2004083498A1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：PCT/JP2004/003391
申请日：2004-03-15
申请人：財団法人大阪産業振興機構 , 佐々木孝友 , 森勇介 , 吉村政志 , 川村史朗 , 梅田英和
发明人：佐々木孝友 , 森勇介 , 吉村政志 , 川村史朗 , 梅田英和
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
摘要：透明で転位密度が少なく均一厚みで高品位であり、かつバルク状の大きなIII族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法を提供する。　アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素と、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素とを入れた反応容器を加熱して前記金属元素のフラックスを形成し、前記反応容器に窒素含有ガスを導入して、前記フラックス中でIII族元素と窒素とを反応させてIII族元素窒化物の単結晶を成長させるIII族元素窒化物単結晶の製造方法において、前記単結晶の成長を、前記反応容器を揺動させること等により、前記フラックスを攪拌した状態で行う。
摘要翻译：公开了一种以高产率生产大体积III族氮化物单晶的方法，通过该方法可以获得具有低位错密度和均匀厚度的透明，高质量III族氮化物晶体。在制造III族氮化物单晶的方法中，保持选自碱金属和碱土金属中的至少一种金属元素的反应容器和选自镓（Ga），将铝（Al）和铟（In）加热以形成金属元素的焊剂，然后将含氮的气体引入反应容器中，使III族元素与助熔剂中的氮反应，从而生长III族氮化物单晶。在这方面，通过例如摇动/摇摆反应容器来搅拌焊剂，生长III族氮化物单晶。

4. 发明申请

WO2013063070A1 USE OF ALKALINE-EARTH METALS TO REDUCE IMPURITY INCORPORATION INTO A GROUP-III NITRIDE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：使用碱性金属矿物将减少成本减少到III类氮化物晶体
公开(公告)号：WO2013063070A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/US2012/061628
申请日：2012-10-24
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , PIMPUTKAR, Siddha , VON DOLLEN, Paul M. , SPECK, James S. , NAKAMURA, Shuji
发明人： PIMPUTKAR, Siddha , VON DOLLEN, Paul M. , SPECK, James S. , NAKAMURA, Shuji
IPC分类号： C01B21/06 , C30B7/00 , B01D9/00
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , Y10T117/1096
摘要： Alkaline-earth metals are used to reduce impurity incorporation into a III nitride crystal grown using the ammonothermal method.
摘要翻译：使用碱土金属来减少掺入使用氨热法生长的III族氮化物晶体中的杂质。

5. 发明申请

WO2012016033A1 APPARATUS FOR PROCESSING MATERIALS AT HIGH TEMPERATURES AND PRESSURES 审中-公开
标题翻译：用于在高温和压力下加工材料的装置
公开(公告)号：WO2012016033A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/US2011/045708
申请日：2011-07-28
申请人： MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS INC. , AFIMIWALA, Kirsh , ZENG, Larry
发明人： AFIMIWALA, Kirsh , ZENG, Larry
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B7/105 , C30B7/14 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1096
摘要： An apparatus for processing materials at high temperatures comprises a high strength enclosure; a plurality of high strength radial segments disposed adjacent to and radially inward from the high strength enclosure; a liner disposed adjacent to and radially inward from the radical segments; a chamber defined interior to the liner; a heating device disposed within the chamber; and a capsule disposed within the chamber, the capsule configured to hold a supercritical fluid. The apparatus may be used for growing crystals, e.g., GaN, under high temperature and pressure conditions.
摘要翻译：用于在高温下处理材料的装置包括高强度外壳; 多个高强度径向段，与高强度外壳相邻并径向向内设置; 邻近并沿径向向内从基部段排出的衬垫; 限定在衬里内部的腔室; 设置在所述室内的加热装置; 以及设置在所述室内的胶囊，所述胶囊构造成保持超临界流体。该设备可用于在高温和高压条件下生长晶体，例如GaN。

6. 发明申请

WO2005103341A1 III族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产III类元素氮化物的晶体的装置和用于生产III族元素的晶体的方法
公开(公告)号：WO2005103341A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/008072
申请日：2005-04-27
申请人：松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 梅田英和 , 高橋康仁
发明人：森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 梅田英和 , 高橋康仁
IPC分类号： C30B9/00
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
摘要：　高品質の結晶が製造可能なIII族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法を提供する。　本発明の装置を用いた結晶成長は、例えば、以下のようにして行うことができる。反応容器（１２０）内に結晶原料（１３１）および窒素含有ガスを導入して加熱器（１１０）で加熱し、かつ加圧雰囲気下で結晶を成長させる。前記ガスは、ガス供給装置（１８０）から前記反応容器のガス導入口を通して前記反応容器（１２０）内に導入し、ついで、前記反応容器のガス排出口から耐圧容器（１０２）の内部に排出する。前記ガスが耐圧容器（１０２）を介さず反応容器（１２０）に直接導入するため、耐圧容器（１０２）等に付着した不純物の結晶成長の場への混入を防止できる。また、前記ガスが反応容器（１２０）内においてフローするため、蒸発したアルカリ金属等のガス導入口等での凝集やガス供給装置（１８０）等への流入等がない。これらの結果、得られるIII族元素窒化物結晶の品質を向上させることができる。
摘要翻译：用于生产III族元素氮化物的晶体的装置和用于制造III族元素氮化物的晶体的方法，通过该晶体可以生产高质量的晶体。通过该装置的晶体生长可以例如以下述方式进行。将晶体（131）和含氮气体的原料引入反应容器（120）中并通过加热器（110）加热，并在加压气氛中生长晶体。上述气体从气体供给单元（180）通过反应容器的气体入口输送到反应容器（120）中，从反应容器的气体出口排出到压力容器（102）的内部。由于上述气体直接通过导入反应容器（120）的压力容器（102），粘附在压力容器（102）等上的杂质混入到晶体生长领域避免。此外，当上述气体流过反应容器（120）的内部时，可以避免例如在气体入口等处的蒸发的碱金属等的冷凝和其进入气体供应单元（ 180）等。结果，可以提高所获得的III族元素氮化物的晶体的质量。

7. 发明申请

WO2010079814A1 窒化物結晶の製造方法、窒化物結晶およびその製造装置审中-公开
标题翻译：氮化物晶体制造方法，氮化物晶体及其制造装置
公开(公告)号：WO2010079814A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/JP2010/050118
申请日：2010-01-07
申请人：三菱化学株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 三川豊 , 清見真紀子 , 鏡谷勇二 , 石黒徹
发明人：三川　豊 , 清見　真紀子 , 鏡谷　勇二 , 石黒　徹
IPC分类号： C30B9/06 , B01J3/00 , C30B7/10 , C30B7/14
CPC分类号： B01J19/02 , B01J2219/0236 , C30B7/105 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , Y10T117/1096
摘要：　酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させること。　反応容器内または反応容器に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、前記アンモニアと前記鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって窒化物結晶を成長させることを特徴とする窒化物結晶の製造方法。
摘要翻译：目的是通过氨热法有效地生长具有低氧浓度的高纯氮化物晶体。该氮化物晶体制造方法的特征在于，与氨反应产生矿化剂的反应性气体和氨与反应室或连接到反应室的闭路反应，生成矿化剂，并在通过氨热法生长上述氨和上述矿化剂的氮化物晶体。

8. 发明申请

WO2010045567A1 REACTOR DESIGN FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTALS AND METHOD OF GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：用于生长III族氮化物晶体的反应器设计及其生长III族氮化物晶体的方法
公开(公告)号：WO2010045567A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/US2009/061022
申请日：2009-10-16
申请人： SIXPOINT MATERIALS, INC. , HASHIMOTO, Tadao , IKARI, Masanori , LETTS, Edward
发明人： HASHIMOTO, Tadao , IKARI, Masanori , LETTS, Edward
IPC分类号： C30B7/10 , C30B29/40 , C30B35/00
CPC分类号： C30B7/105 , C30B7/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10T117/1096
摘要： The present disclosure proves for new design of reactors used for ammonothermal growth of III nitride crystals. The reactors include a region intermediate a source dissolution region and a crystal growth region configured to provide growth of high quality crystals at rates greater than 100 m/day. In one embodiment, multiple baffle plates having openings whose location is designed so that there is no direct path through the intermediate region, or with multiple baffle plates having differently sized openings on each plate so that the flow is slowed down and/or exhibit greater mixing are described. The disclosed designs enables obtaining high temperature difference between the dissolution region and the crystallization region without decreasing conductance through the device.
摘要翻译：本公开内容证明了用于III族氮化物晶体的氨热生长的反应器的新设计。反应器包括源溶解区域和晶体生长区域之间的区域，晶体生长区域被配置为以大于100m /天的速率提供高质量晶体的生长。在一个实施例中，具有开口的多个挡板具有位置被设计成使得不存在通过中间区域的直接路径，或者在每个板上具有不同尺寸的开口的多个挡板，使得流动减慢和/或显示更大的混合被描述。所公开的设计使得能够在不降低通过该装置的电导的情况下获得溶解区域和结晶区域之间的高温差。

9. 发明申请

WO2006052114A1 COOLING SYSTEM FOR CHAMBER OF INGOT GROWTH ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：生长装置室的冷却系统
公开(公告)号：WO2006052114A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/KR2005/003854
申请日：2005-11-14
申请人： QUALIFLOWNARATECH CO., LTD. , LEE, Jong, Gu
发明人： LEE, Jong, Gu
IPC分类号： C03B15/00
CPC分类号： C30B35/002 , C30B15/14 , Y10T117/10 , Y10T117/1008 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
摘要： Disclosed herein is a cooling system for a chamber of an ingot growth apparatus. In the present invention, guide blades (180) are provided in a base plate (100) at positions adjacent to unevenly curved parts of a guide line (170), which is the base plate (100), and along which cooling water flows. Furthermore, guide blades (360) are provided in a lid (300) at positions adjacent to ports, which are provided in the lid (300) and interfere with the flow of cooling water. As such, in the present invention, the guide blades are provided in the base plate (100) and the lid (300), which define the chamber, at positions at which cooling water creates stationary vortices, thus solving a problem of water stagnation, thereby increasing a cooling effect.
摘要翻译：本文公开了一种用于锭生长装置的室的冷却系统。在本发明中，引导叶片（180）在与作为基板（100）的引导线（170）的不均匀弯曲部分相邻的位置处设置在基板（100）中，并且冷却水沿着其流动。此外，导向叶片（360）设置在与邻近端口的位置处的盖（300）中，所述端口设置在盖（300）中并干扰冷却水的流动。因此，在本发明中，在冷却水产生固定涡流的位置的基板（100）和限定室的盖（300）上设置有引导叶片，从而解决了水滞留的问题，从而增加冷却效果。

10. 发明申请

WO03083187A8 HIGH PRESSURE HIGH TEMPERATURE GROWTH OF CRYSTALLINE GROUP III METAL NITRIDES 审中-公开
标题翻译：晶体组III金属氮化物的高压高温生长
公开(公告)号：WO03083187A8
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/US0305114
申请日：2003-02-21
申请人： GEN ELECTRIC
发明人： D EVELYN MARK PHILIP , WEBB STEVEN WILLIAM , VAGARALI SURESH SHANKARAPPA , KADIOGLU YAVUZ , PARK DONG-SIL , CHEN ZHENG
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/403 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/406 , Y10T117/1052 , Y10T117/1096
摘要： A method of forming at least one single crystal of a Group III metal nitride. The method includes the steps of: providing a flux material (106) and a source material (102) comprising at least one Group III metal selected from the group consisting of aluminum, indium, and gallium, to a reaction vessel (100); sealing the reaction vessel (100); heating the reaction vessel (100) to a predetermined temperature and applying a predetermined pressure to the vessel. The pressure is sufficient to suppress decomposition of the Group III metal nitride at the temperature. Group III metal nitrides, as well as electronic devices having a Group III metal nitride substrate formed by the method are also disclosed.
摘要翻译：一种形成III族金属氮化物的至少一种单晶的方法。该方法包括以下步骤：向反应容器（100）提供包含至少一种选自铝，铟和镓的III族金属的焊剂材料（106）和源材料（102）; 密封反应容器（100）; 将反应容器（100）加热至预定温度并向容器施加预定压力。该压力足以在该温度下抑制第III族金属氮化物的分解。还公开了III族金属氮化物，以及通过该方法形成的具有III族金属氮化物衬底的电子器件。

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