基本信息:
- 专利标题： III族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法
- 专利标题（英）：Apparatus for production of crystal of group iii element nitride and process for producing crystal of group iii element nitride
- 专利标题（中）：用于生产III类元素氮化物的晶体的装置和用于生产III族元素的晶体的方法
- 申请号：PCT/JP2005/008072 申请日：2005-04-27
- 公开(公告)号：WO2005103341A1 公开(公告)日：2005-11-03
- 发明人： 森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 梅田英和 , 高橋康仁
- 申请人： 松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 峯本尚 , 北岡康夫 , 木戸口勲 , 川村史朗 , 佐々木孝友 , 梅田英和 , 高橋康仁
- 申请人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： 松下電器産業株式会社,森勇介,峯本尚,北岡康夫,木戸口勲,川村史朗,佐々木孝友,梅田英和,高橋康仁
- 当前专利权人： 松下電器産業株式会社,森勇介,峯本尚,北岡康夫,木戸口勲,川村史朗,佐々木孝友,梅田英和,高橋康仁
- 当前专利权人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
- 优先权： JP2004-130620 20040427
- 主分类号： C30B9/00
- IPC分类号： C30B9/00
摘要：
高品質の結晶が製造可能なIII族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法を提供する。 本発明の装置を用いた結晶成長は、例えば、以下のようにして行うことができる。反応容器（１２０）内に結晶原料（１３１）および窒素含有ガスを導入して加熱器（１１０）で加熱し、かつ加圧雰囲気下で結晶を成長させる。前記ガスは、ガス供給装置（１８０）から前記反応容器のガス導入口を通して前記反応容器（１２０）内に導入し、ついで、前記反応容器のガス排出口から耐圧容器（１０２）の内部に排出する。前記ガスが耐圧容器（１０２）を介さず反応容器（１２０）に直接導入するため、耐圧容器（１０２）等に付着した不純物の結晶成長の場への混入を防止できる。また、前記ガスが反応容器（１２０）内においてフローするため、蒸発したアルカリ金属等のガス導入口等での凝集やガス供給装置（１８０）等への流入等がない。これらの結果、得られるIII族元素窒化物結晶の品質を向上させることができる。
摘要（中）：
用于生产III族元素氮化物的晶体的装置和用于制造III族元素氮化物的晶体的方法，通过该晶体可以生产高质量的晶体。 通过该装置的晶体生长可以例如以下述方式进行。 将晶体（131）和含氮气体的原料引入反应容器（120）中并通过加热器（110）加热，并在加压气氛中生长晶体。 上述气体从气体供给单元（180）通过反应容器的气体入口输送到反应容器（120）中，从反应容器的气体出口排出到压力容器（102）的内部。 由于上述气体直接通过导入反应容器（120）的压力容器（102），粘附在压力容器（102）等上的杂质混入到晶体生长领域 避免。 此外，当上述气体流过反应容器（120）的内部时，可以避免例如在气体入口等处的蒸发的碱金属等的冷凝和其进入气体供应单元（ 180）等。结果，可以提高所获得的III族元素氮化物的晶体的质量。