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1. 发明申请

WO2013070511A1 HYBRID PHOTORESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD USING THEREOF 审中-公开
标题翻译：混合光电组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：WO2013070511A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/US2012/063234
申请日：2012-11-02
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人： CHEN, Kuang-jung , HUANG, Wu-song , LIU, Sen , HOLMES, Steven, J. , BREYTA, Gregory
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/26 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0045 , G03F7/028 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/095 , Y10S430/114 , Y10S430/128
摘要： The present invention relates to a hybrid photoresist composition for improved resolution and a pattern forming method using the photoresist composition. The photoresist composition includes a radiation sensitive acid generator, a crosslinking agent and a polymer having a hydrophobic monomer unit and a hydrophilic monomer unit containing a hydroxyl group. At least some of the hydroxyl groups are protected with an acid labile moiety having a low activation energy. The photoresist is capable of producing a hybrid response to a single exposure. The patterning forming method utilizes the hybrid response to form a patterned structure in the photoresist layer. The photoresist composition and the pattern forming method of the present invention are useful for printing small features with precise image control, particularly spaces of small dimensions.
摘要翻译：本发明涉及一种用于改进分辨率的混合光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。光致抗蚀剂组合物包括辐射敏感酸产生剂，交联剂和具有疏水性单体单元的聚合物和含有羟基的亲水性单体单元。至少一些羟基被具有低活化能的酸不稳定部分保护。光致抗蚀剂能够产生对单次曝光的混合响应。图案形成方法利用混合响应在光致抗蚀剂层中形成图案化结构。本发明的光致抗蚀剂组合物和图案形成方法可用于打印具有精确图像控制的特征，特别是小尺寸的空间。

2. 发明申请

WO2005036261A1 NEGATIVE RESIST COMPOSITION WITH FLUOROSULFONAMIDE-CONTAINING POLYMER 审中-公开
标题翻译：含氟磺酰胺聚合物的负极性组合物
公开(公告)号：WO2005036261A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/US2004/017114
申请日：2004-06-02
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , LI, Wenjie , VARANASI, Pushkara, Rao
发明人： LI, Wenjie , VARANASI, Pushkara, Rao
IPC分类号： G03C1/675
CPC分类号： C09D133/14 , C08F214/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08K5/0025 , C09D133/16 , C09D145/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , Y10S430/107 , Y10S430/108 , Y10S430/128
摘要： A negative resist composition is disclosed, wherein the resist composition includes a polymer having at least one fluorosulfonamide monomer unit having one of the following two formulae: wherein: M is a polymerizable backbone moiety; Z is a linking moiety selected from the group consisting of -C(O)O-, -C(O)-, -OC(O)-, -O-C(O)-C(O)-O-, or alkyl; P is 0 or 1; R, is a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; R 2 is hydrogen, fluorine, a linear or branched alkyl group of 1 to 6 carbons, or a semior perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 6 carbons; and n is an integer from 1 to 6. A method of forming a patterned material layer on a substrate is also disclosed, wherein the method includes applying the fluorosulfonamide-containing resist composition to the substrate to form a resist layer on the material layer; pattemwise exposing the resist layer to imaging radiation; removing portions of the resist layer not exposed to the imaging radiation to create spaces in the resist layer corresponding to the pattern; and removing portions of the material layer at the spaces formed in the resist layer, thereby forming a patterned material layer.
摘要翻译：公开了一种负性抗蚀剂组合物，其中抗蚀剂组合物包括具有至少一个具有以下两个式之一的氟磺酰胺单体单元的聚合物：其中：M是可聚合主链部分; Z是选自-C（O）O-，-C（O） - ， - OC（O） - ， - O-C（O）-C（O）-O-或烷基的连接部分。 P为0或1; R为碳原子数为1〜20的直链状或支链状的烷基， R2是氢，氟，1至6个碳的直链或支链烷基，或1至6个碳的半全氟直链或支链烷基; 并且n是1至6的整数。还公开了在基板上形成图案化材料层的方法，其中所述方法包括将含氟磺酰胺的抗蚀剂组合物施加到所述基材上以在所述材料层上形成抗蚀剂层; 将抗蚀层图案曝光成像辐射; 除去未暴露于成像辐射的抗蚀剂层的部分，以在对应于图案的抗蚀剂层中产生空间; 并且在形成在抗蚀剂层中的空间处去除材料层的部分，从而形成图案化材料层。

3. 发明申请

WO03102692A8 RADIATION-SENSITIVE COMPOSITIONS CONTAINING POLYMERIC SULFONATE ACID GENERATORS AND THEIR USE IN IMAGING 审中-公开
标题翻译：含有聚合硫酸发生器的辐射敏感组合物及其在成像中的应用
公开(公告)号：WO03102692A8
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：PCT/US0317063
申请日：2003-05-29
申请人： KODAK POLYCHROME GRAPHICS LLC
发明人： TAO TING
IPC分类号： B41C1/10 , C08F12/30 , C08G8/28 , G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/038
CPC分类号： B41C1/1008 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/262 , G03F7/0045 , G03F7/038 , Y10S430/115 , Y10S430/118 , Y10S430/128
摘要： A radiation-sensitive patterning composition comprising: (1) at least one acid generating compound selected from compounds of formula (I) and formula (II) wherein: R1, R2, R3, R4, R5, and R6, are independently selected from the group consisting of hydrogen, nitro, hydroxyl, carbonyl, halogen, cyano, unsubstituted and substituted alkyl groups, unsubstituted and substituted cycloalkyl groups; unsubstituted and substituted alkoxy groups, and unsubstituted and substituted aryl groups; wherein: X is an onium ion selected from the group consisting of diazonium, iodonium, sulfonium, phosphonium, bromonium, chloronium, oxysulfoxonium, oxysulfonium, sulfoxonium, selenium, tellurium and arsenium; and n is an integer from 4 to 100; (2) at least one cross-linking agent cross-linkable by an acid; (3) at least one polymer compound capable of reacting with the cross-linking agent; and (4) at least one infrared absorbing compound.
摘要翻译：一种辐射敏感性图案化组合物，其包含：（1）至少一种选自式（I）和式（II）的化合物的产酸化合物，其中：R 1，R 2，R 3，R 4，R 5和R 6独立地选自由氢，硝基，羟基，羰基，卤素，氰基，未取代和取代的烷基，未取代和取代的环烷基组成的基团; 未取代和取代的烷氧基，以及未取代和取代的芳基; 其中：X +是选自重氮，碘鎓，锍，鏻，溴鎓，氯鎓，氧硫氧基鎓，氧锍，氧化锍，硒，碲和砷的鎓离子; n为4〜100的整数。（2）至少一种可被酸交联的交联剂; （3）能够与交联剂反应的至少一种高分子化合物; 和（4）至少一种红外吸收化合物。

4. 发明申请

WO2003029900A1 NEGATIVE-ACTING AQUEOUS PHOTORESIST COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：负面作用的水性光刻胶组合物
公开(公告)号：WO2003029900A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/EP2002/010026
申请日：2002-09-07
申请人： CLARIANT INTERNATIONAL LTD , CLARIANT FINANCE (BVI) LIMITED
发明人： LU, Ping-Hung , NEISSER, Mark, O. , DAMMEL, Ralph, R. , WU, Hengpeng
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/128
摘要： The invention relates to a novel negative, aqueous photoresist composition comprising a polyvinylacetal polymer, a water-soluble photoactive compound and a crosslinking agent. The water-soluble photoactive compound is preferably a sulfonium salt. The invention also relates to forming a negative image from the novel photoresist composition.
摘要翻译：本发明涉及包含聚乙烯醇缩醛聚合物，水溶性光敏化合物和交联剂的新型负性水性光致抗蚀剂组合物。水溶性光活性化合物优选为锍盐。本发明还涉及从新型光致抗蚀剂组合物形成负像。

5. 发明申请

WO2012036090A1 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜审中-公开
标题翻译：化学方法，化学稳定组分和抗蚀膜
公开(公告)号：WO2012036090A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/JP2011/070623
申请日：2011-09-09
申请人：富士フイルム株式会社 , 岩戸薫
发明人：岩戸　薫
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , C07C2604/00 , C07D209/70 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/32 , G03F7/325 , H01L21/027 , H01L21/0274 , H01L21/0275 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/128
摘要：　高感度、高解像性、優れたラフネス性能、及び、優れたドライエッチング耐性を同時に満足するとともに、更には、現像時間依存性に優れたパターン形成方法として、（ア）（Ａ）酸分解性基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むネガ型パターン形成方法を提供する。
摘要翻译：提供了负图案化方法作为满足所有高灵敏度，高分辨率，优异的粗糙性能和优异的耐干蚀刻性的图案化方法，并且还对显影时间具有优异的依赖性，该负图案形成方法包括：（a）形成步骤具有含有（A）具有酸可降解基团的富勒烯衍生物的化学增幅抗蚀剂组合物的膜，（B）当用活化的光线或辐射照射时产生酸的化合物和（C）溶剂; （b）曝光胶片的步骤; 和（c）使用含有有机溶剂的显影剂的显影步骤。

6. 发明申请

WO2011087144A1 PATTERN FORMING METHOD, PATTERN, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM 审中-公开
标题翻译：图案形成方法，图案，化学放大电阻组合物和电阻膜
公开(公告)号：WO2011087144A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/JP2011/050905
申请日：2011-01-13
申请人： FUJIFILM Corporation , IWATO, Kaoru , TARUTANI, Shinji , ENOMOTO, Yuichiro , KAMIMURA, Sou , KATO, Keita
发明人： IWATO, Kaoru , TARUTANI, Shinji , ENOMOTO, Yuichiro , KAMIMURA, Sou , KATO, Keita
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10S430/114 , Y10S430/128 , Y10T428/24802
摘要： A pattern forming method comprising (i) a step of forming a film from a chemical amplification resist composition (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the chemical amplification resist composition contains (A) a resin containing a repeating unit having two or more hydroxyl groups, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (C) a crosslinking agent and (D) a solvent; a pattern formed by the pattern forming method; a chemical amplification resist composition used in the pattern forming method; and a resist film formed using the chemical amplification resist composition.
摘要翻译：一种图案形成方法，包括（i）从化学放大抗蚀剂组合物形成膜的步骤（ii）暴露所述膜的步骤，和（iii）通过使用含有机溶剂的显影剂显影所述曝光的膜的步骤，其中，所述化学增幅抗蚀剂组合物含有（A）含有具有2个以上羟基的重复单元的树脂，（B）能够在光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，（C）交联剂和（ D）溶剂; 由图案形成方法形成的图案; 用于图案形成方法的化学放大抗蚀剂组合物; 以及使用该化学放大抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂膜。

7. 发明申请

WO2008047638A1 光架橋硬化によるレジスト下層膜を用いる半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用光阻胶片保护膜的半导体器件生产工艺
公开(公告)号：WO2008047638A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069740
申请日：2007-10-10
申请人：日産化学工業株式会社 , 堀口有亮 , 竹井敏 , 新城徹也
发明人：堀口有亮 , 竹井敏 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/10 , C08F220/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/09 , G03F7/091 , Y10S430/114 , Y10S430/128
摘要：半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。半導体基板上にポリマーと架橋剤と光酸発生剤とを含むレジスト下層膜形成組成物を塗布し塗膜を形成する工程、前記塗膜に光照射することにより下層膜を形成する工程、前記下層膜上にフォトレジスト用組成物を塗布し加熱することによってフォトレジストを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。上記ポリマーが、ポリマーを構成する主鎖又は主鎖に結合した側鎖にベンゼン環、ヘテロ環を有するポリマーである。ポリマー中のベンゼン環の含有率が３０～７０質量％である。ポリマーが、ラクトン構造を含有するポリマーである。
摘要翻译：用于抗蚀剂成膜的组合物，其用于制造半导体器件的光刻工艺。还提供了一种半导体器件的制造方法，其包括：将包含聚合物，交联剂和光酸发生剂的抗光蚀剂成膜用组合物施加到半导体基板上以形成涂膜的步骤 ; 涂布膜用光照射以形成下层膜的步骤; 以及其中将用于光致抗蚀剂形成的组合物施加到下层膜并加热以形成光致抗蚀剂的步骤。聚合物是在构成聚合物的主链中或在与主链结合的侧链中具有苯环和杂环的聚合物。该聚合物可以具有30-70质量％的苯环含量。聚合物可以含有内酯结构。

8. 发明申请

WO1998007575A1 LASER INDUCED FILM TRANSFER SYSTEM 审中-公开
标题翻译：激光诱导膜转移系统
公开(公告)号：WO1998007575A1
公开(公告)日：1998-02-26
申请号：PCT/US1997013670
申请日：1997-06-04
申请人： MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY
发明人： MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY , PATEL, Ranjan, C. , CHAMBERS, Mark, R., I. , STEVENSON, Dian, E. , VOGEL, Jonathan, C. , KIDNIE, Kevin , SOUTER, John , ZWADLO, Gregory, L.
IPC分类号： B41M05/40
CPC分类号： B41M7/00 , B41M5/38257 , B41M5/3854 , B41M5/392 , B41M5/395 , B41M5/46 , B41M5/465 , B41M5/5227 , B41M7/0027 , Y10S430/121 , Y10S430/128 , Y10S430/145 , Y10S430/165
摘要： A laser-induced thermal imaging system having a donor element and a receptor element. The donor element includes a substrate on which is coated transfer material that includes: a binder including a hydroxylic resin; a fluorocarbon additive; a cationic infrared absorbing dye; a dihydropyridine latent cross-linking agent; and a dispersible material. The receptor element comprises a texturized surface.
摘要翻译：具有供体元件和受体元件的激光诱导热成像系统。供体元件包括基底，其上涂覆有转印材料，其包括：包含羟基树脂的粘合剂; 氟碳添加剂; 阳离子红外吸收染料; 二氢吡啶潜在交联剂; 和可分散材料。受体元件包括一个纹理化的表面。

9. 发明申请

WO2013115521A1 신규한 화합물, 이를 포함하는 감광성 조성물 및 감광재 审中-公开
标题翻译：新型化合物和含有相同的光敏组合物和光敏剂
公开(公告)号：WO2013115521A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/KR2013/000567
申请日：2013-01-24
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 이건우 , 곽상규 , 이창순 , 김혜현 , 김세희
IPC分类号： C07D487/04 , G03F7/027 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/004 , C07C275/00 , C07D487/04 , G03F7/027 , G03F7/029 , G03F7/031 , Y10S430/128
摘要： 본 출원은 신규한 화합물과 이를 포함하는 감광성 조성물 및 감광재에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种新型化合物和一种感光性组合物和含有该化合物的光敏剂。

10. 发明申请

WO2008118634A3 AMINE-ARRESTING ADDITIVES FOR MATERIALS USED IN PHOTOLITHOGRAPHIC PROCESSES 审中-公开
标题翻译：在光刻胶工艺中使用的材料的胺添加剂
公开(公告)号：WO2008118634A3
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/US2008056536
申请日：2008-03-11
申请人： BREWER SCIENCE INC , WEIMER MARC W
发明人： WEIMER MARC W
IPC分类号： H01L21/4763 , C08G18/80 , H01L21/027 , H01L21/31
CPC分类号： G03F7/091 , C08G18/8074 , G03F7/11 , Y10S430/128 , Y10T428/3154 , Y10T428/31551 , Y10T428/31554 , Y10T428/31601
摘要： Novel, poison-blocking compositions and methods of using those compositions to form poison-blocking layers are provided. The compositions comprise a typical composition used in micralithographic processes, but with a poison-blocking additive included in that composition. The preferred additive is a compound comprising one or more blocked isocyanates. Upon heating to certain temperatures, the blocking group is released from the isocyanatc, leaving behind a moiety that is highly reactive with the poisonous amines generated by typical dielectric layers.
摘要翻译：提供了新的毒物阻断组合物和使用这些组合物形成毒物阻断层的方法。该组合物包含用于微拉伸工艺中的典型组合物，但该组合物中包含毒物阻断添加剂。优选的添加剂是包含一种或多种封端的异氰酸酯的化合物。加热到一定温度后，封闭基团从异氰酸酯中释放，留下与典型电介质层产生的有毒胺高度反应的部分。

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