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1. 发明申请

WO2007066597A1 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのケイ素含有レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：基于膜层形成组合物的含硅耐腐蚀性用于形成根据层膜的光致交联固化电阻
公开(公告)号：WO2007066597A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/JP2006/324086
申请日：2006-12-01
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 堀口有亮 , 橋本圭祐 , 中島誠
发明人：竹井敏 , 堀口有亮 , 橋本圭祐 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02126 , G03F7/0752 , G03F7/11 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/312
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層で使用され、エッチングガス種によりフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、アスペクト比が大きいホールを有する半導体基板の表面を平坦化できる下層膜、及び該下層膜を形成するための下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層に使用される下層膜を光照射によって形成するための組成物であって、ケイ素原子を５ないし４５質量％含有する重合性化合物（Ａ）、光重合開始剤（Ｂ）及び溶媒（Ｃ）を含む下層膜形成組成物。
摘要翻译：为了提供在制造半导体器件的光刻工艺中用作光致抗蚀剂下面的层的下层膜比根据蚀刻气体的类型的光致抗蚀剂具有更高的干蚀刻速率，不是导致与光致抗蚀剂混合，并且可以用具有大纵横比的孔使半导体衬底的表面变平，并提供用于形成下层膜的下层成膜组合物。解决问题的手段用于在制造半导体器件的光刻工艺中通过光照射形成下层膜用作光致抗蚀剂中的下层的组合物，所述组合物包含可聚合化合物（A ）含有5〜45质量％的硅原子，光聚合引发剂（B）和溶剂（C）。

2. 发明申请

WO2009104643A1 光硬化膜形成組成物及び光硬化膜形成方法审中-公开
标题翻译：可成膜成膜组合物及形成光电膜的方法
公开(公告)号：WO2009104643A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/052798
申请日：2009-02-18
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 堀口有亮 , 大橋智也
发明人：竹井敏 , 堀口有亮 , 大橋智也
IPC分类号： C09D4/00 , C08F20/26 , C09D7/12 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/02118 , C09D4/00 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/094 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/312
摘要：【課題】　凹凸を有する面を平坦化するプロセスにおいて使用される平坦化膜を光照射によって形成するための膜形成組成物に関する。【解決手段】　凹凸を有する面を平坦化するプロセスにおいて使用される平坦化膜を光照射によって形成するための組成物であって、光重合性物質及び光重合開始剤を含む膜形成組成物。前記光重合性物質がカチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物あり、前記光重合開始剤が光カチオン重合開始剤である。また、前記光重合性物質がラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物であり、前記光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である。
摘要翻译：公开了用于通过光照射形成水平膜的成膜组合物，该水平膜用于使不平坦表面平整的过程。通过光照射形成用于使不平坦表面平整化的工序中的水平膜的成膜组合物，含有光聚合性材料的组合物和光聚合引发剂。所述光聚合材料是具有至少一个能够进行阳离子聚合的反应性基团的化合物，所述光聚合引发剂是光阳离子聚合引发剂。或者，所述可光聚合材料是具有至少一个可进行自由基聚合的反应性基团的化合物，并且所述光聚合引发剂是光自由基聚合引发剂。

3. 发明申请

WO2008047638A1 光架橋硬化によるレジスト下層膜を用いる半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用光阻胶片保护膜的半导体器件生产工艺
公开(公告)号：WO2008047638A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069740
申请日：2007-10-10
申请人：日産化学工業株式会社 , 堀口有亮 , 竹井敏 , 新城徹也
发明人：堀口有亮 , 竹井敏 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/10 , C08F220/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/09 , G03F7/091 , Y10S430/114 , Y10S430/128
摘要：半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。半導体基板上にポリマーと架橋剤と光酸発生剤とを含むレジスト下層膜形成組成物を塗布し塗膜を形成する工程、前記塗膜に光照射することにより下層膜を形成する工程、前記下層膜上にフォトレジスト用組成物を塗布し加熱することによってフォトレジストを形成する工程を含む半導体装置の製造方法。上記ポリマーが、ポリマーを構成する主鎖又は主鎖に結合した側鎖にベンゼン環、ヘテロ環を有するポリマーである。ポリマー中のベンゼン環の含有率が３０～７０質量％である。ポリマーが、ラクトン構造を含有するポリマーである。
摘要翻译：用于抗蚀剂成膜的组合物，其用于制造半导体器件的光刻工艺。还提供了一种半导体器件的制造方法，其包括：将包含聚合物，交联剂和光酸发生剂的抗光蚀剂成膜用组合物施加到半导体基板上以形成涂膜的步骤 ; 涂布膜用光照射以形成下层膜的步骤; 以及其中将用于光致抗蚀剂形成的组合物施加到下层膜并加热以形成光致抗蚀剂的步骤。聚合物是在构成聚合物的主链中或在与主链结合的侧链中具有苯环和杂环的聚合物。该聚合物可以具有30-70质量％的苯环含量。聚合物可以含有内酯结构。

4. 发明申请

WO2008026468A1 液状添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有液体添加剂的耐下层膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2008026468A1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/JP2007/066122
申请日：2007-08-20
申请人：日産化学工業株式会社 , 堀口有亮 , 新城徹也 , 竹井敏
发明人：堀口有亮 , 新城徹也 , 竹井敏
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F7/091 , H01L21/0271
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】樹脂（Ａ）、液状添加剤（Ｂ）及び溶剤（Ｃ）を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物。該液状添加剤（Ｂ）が、脂肪族ポリエーテル化合物である。該液状添加剤（Ｂ）が、ポリエーテルポリオール、ポリグリシジルエーテル又はそれらの組み合わせである。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、その下層膜上にフォトレジスト層を形成する工程、レジスト下層膜とフォトレジスト層で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像する工程を含む半導体装置の製造方法。
摘要翻译： [问题]提供用于半导体器件生产的光刻工艺中的用于光刻的抗蚀剂下层膜成膜组合物。解决问题的手段提供了含有树脂（A），液体添加剂（B）和溶剂（C）的半导体器件制造的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。液体添加剂（B）可以是脂肪族聚醚化合物。液体添加剂（B）可以是聚醚多元醇，聚缩水甘油醚或其组合。此外，提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：用抗蚀剂下层膜形成组合物涂覆半导体衬底并将其烧制成抗蚀剂下层膜; 在下层膜上形成光致抗蚀剂层; 暴露由抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层覆盖的半导体衬底; 并进行曝光后开发。

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