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    • 4. 发明申请
    • 液状添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
    • 含有液体添加剂的耐下层膜成膜组合物
    • WO2008026468A1
    • 2008-03-06
    • PCT/JP2007/066122
    • 2007-08-20
    • 日産化学工業株式会社堀口 有亮新城 徹也竹井 敏
    • 堀口 有亮新城 徹也竹井 敏
    • G03F7/11H01L21/027
    • H01L21/31144G03F7/091H01L21/0271
    • 【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】樹脂(A)、液状添加剤(B)及び溶剤(C)を含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物。該液状添加剤(B)が、脂肪族ポリエーテル化合物である。該液状添加剤(B)が、ポリエーテルポリオール、ポリグリシジルエーテル又はそれらの組み合わせである。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、その下層膜上にフォトレジスト層を形成する工程、レジスト下層膜とフォトレジスト層で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に現像する工程を含む半導体装置の製造方法。
    • [问题]提供用于半导体器件生产的光刻工艺中的用于光刻的抗蚀剂下层膜成膜组合物。 解决问题的手段提供了含有树脂(A),液体添加剂(B)和溶剂(C)的半导体器件制造的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。 液体添加剂(B)可以是脂肪族聚醚化合物。 液体添加剂(B)可以是聚醚多元醇,聚缩水甘油醚或其组合。 此外,提供了一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:用抗蚀剂下层膜形成组合物涂覆半导体衬底并将其烧制成抗蚀剂下层膜; 在下层膜上形成光致抗蚀剂层; 暴露由抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层覆盖的半导体衬底; 并进行曝光后开发。