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1. 发明申请

WO2006117389A1 VERSETZUNGSBASIERTER LICHTEMITTER 审中-公开
标题翻译： TRANSFER基于发光体
公开(公告)号：WO2006117389A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/EP2006/062030
申请日：2006-05-03
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , REICHE, Manfred , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried
发明人： KITTLER, Martin , REICHE, Manfred , ARGUIROV, Tzanimir , SEIFERT, Winfried
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/16 , H01S5/3224 , H01S5/3227
摘要： Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Substrat, das eine erste Grenzfläche zwieschen einer ersten und einer zweiten Siliziumschicht aufweist, deren als ideal gedachte Gittestrukturen relativ zueinender um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse (118) um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite parallel zur Substratoberfläche liegende Achse (110) um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk vorliegt, wobei der Drehwinkel und der Kippwinkel so gewählt sind, dass ein Elektrolumineszenspektrum des Halbleiterbauelement ein absolutes Maximum der emittierten Lichtintensität bei entweder 1,3 Mikrometern Lichtwellenlänge oder 1,55 Mikrometern Lichtwellenlänge aufweist.
摘要翻译：具有发光具有衬底zwieschen第一和第二硅层的第一接口，假想理想晶格结构相对zueinender垂直于基板表面上的第一轴线（118）由旋转角度和第二躺在平行于基板表面绕轴线旋转的半导体器件轴（110）由一个倾斜角度倾斜，使得在界面的区域呈现位错网络，其中，所述旋转角和倾斜角被选择为使得该半导体器件的Elektrolumineszenspektrum是所发射的光强度中的光的任一1.3微米波长或绝对最大具有光的1.55微米波长。

2. 发明申请

WO2009003848A1 DEFEKTBASIERTE SILIZIUM-LASERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：缺陷硅基激光器结构
公开(公告)号：WO2009003848A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/EP2008/057801
申请日：2008-06-19
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , MCHEDLIDZE, Teimuraz , ARGUIROV, Tzanimir , REICHE, Manfred
发明人： KITTLER, Martin , MCHEDLIDZE, Teimuraz , ARGUIROV, Tzanimir , REICHE, Manfred
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/3224 , H01S5/3227
摘要： Halbleiterlaserdiode vom VCSEL-Typ mit einem Siliziumsubstrat, einer Laserkavität aus Silizium oder Silizium-Germanium, die sich von einer Haupt-Oberfläche des Siliziumsubstrats ausgehend ins Substratinnere hinein erstreckt und als Resonator-Endflächen eine erste Spiegelschicht an der für die Lichtemission vorgesehenen Substratoberfläche und eine vergrabene zweite Spiegelschicht im Siliziumsubstrat aufweist; einem in der Laserkavität angeordneten Verstärkungsgebiet aus kristallinem Silizium oder Silizium-Germanium, welches strukturelle Defekte seines Kristallgitters und an diesen lokalisiert eine Vielzahl elektronischer Mehrniveau-Systeme enthält, die durch Ladungsträgerinjektion jeweils geeigneter Ladungsträgerdichte in das aktive Gebiet anregbar sind, zur spontanen Emission von Licht und als Gesamtheit in einen zur optischen Verstärkung des Lichts durch stimulierte Emission geeigneten Besetzungsinversionszustand; und mit lateral dem Verstärkungsgebiet an einander gegenüberliegenden Seiten benachbarten und entgegengesetzt leitfähigen Halbleitergebieten aus Silizium oder Silizium-Germanium, die für die Ladungsträgerinjektion in das Verstärkungsgebiet geeignet dotiert und mit elektrisch leitfähigen Kontakten zum Anlegen einer für die Ladungsträgerinjektion geeigneten Betriebsspannung versehen sind.
摘要翻译：具有硅衬底，硅或硅锗的激光腔，其延伸从硅衬底到衬底内部分成的主表面开始并且埋入作为谐振器端面，在规定的发光衬底表面和第一反射镜层的VCSEL类型的半导体激光二极管具有在所述硅衬底的第二镜面层; 设置在结晶硅或含有结构缺陷的晶格硅 - 锗的激光腔增益区域和汽缸这个定位的多个电子多级系统，其由载流子注入有源区分别激发合适的载流子密度的，光的自发发射和作为一个整体在适于通过受激发射的粒子数反转状态的光的光放大的容器; 和横向上相对的侧面的硅或硅 - 锗的邻近和相反导电类型的半导体区，其被适当地掺杂的电荷载流子注入到增益区中，并设置有用于施加适合于载流子注入工作电压的形式的导电触点的增益区。

3. 发明申请

WO1994029757A1 OPTICAL COMPONENT 审中-公开
标题翻译：光学元件
公开(公告)号：WO1994029757A1
公开(公告)日：1994-12-22
申请号：PCT/DE1994000635
申请日：1994-06-08
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH , BERGER, Michael, Götz , MÜNDER, Herbert , FROHNHOFF, Stephan , THÖNISSEN, Markus , LÜTH, Hans , FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
IPC分类号： G02B05/28
CPC分类号： H01L33/44 , H01L31/02165 , H01L31/103 , H01L33/346 , H01S5/183 , H01S5/3227
摘要： The invention relates to an optical component consisting of transparent thin layers of differing thickness and refractive indices. Such optical components are used, for example, as interference filters and mirrors. Optical components made of layers with gradually changing refractive indices are also known as waveguides or anti-reflective coatings. The invention achieves the aim of using, instead of layers of ordinary materials, another material by means of a component in which the layers consist of porous silicon. The special advantages of porous silicon as a coating material arise not only from the ease and economy of manufacture but also inthe facility for obtaining gradual refractive index transitions. It is therefore very easily possible to make waveguides on a silicon chip.
摘要翻译：本发明涉及一种由不同的厚度和不同的折射率的透明薄层的光学部件。这种光学装置用于例如作为干涉滤光器和反射镜。作为波导，或作为抗反射涂层是公知的还有，各层的光学元件具有逐渐修改的折射率。本发明解决了使用不同的材料代替传统材料的层中的，与其中层由多孔硅制成的部件的任务。作为层材料在多孔硅的特殊优点是不仅在任意复杂的层系统的简单和便宜的制造性，而且在实现折射率渐变的方式。因此，在硅芯片上的波导很容易地制造。

4. 发明申请

WO2013164659A1 METHODS FOR PRODUCING NEW SILICON LIGHT SOURCE AND DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于生产新的硅光源和器件的方法
公开(公告)号：WO2013164659A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/IB2012/052146
申请日：2012-04-30
申请人： TUBITAK , KALEM, Seref
发明人： KALEM, Seref
IPC分类号： H01S5/30 , H01S5/32 , H01S5/183 , H01S5/22 , H01L33/34 , H01L21/28 , H01L29/51
CPC分类号： H01L33/40 , H01L29/7831 , H01L33/002 , H01L33/0041 , H01L33/0054 , H01L33/346 , H01L2933/0016 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/187 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/304 , H01S5/3227
摘要： The present invention relates to production method and device applications of a new silicon (Si) semiconductor light source that emits at a single wavelength at 1320 nm with a full width at half maximum (FWHM) of less than 200 nm and a photoluminescence quantum efficiency of greater than 50% at room temperature. The semiconductor that is the base for the new light source includes a surface which is treated by an acid vapor involving heavy water or Deuterium Oxide (D2O) and a surface layer producing the light source at 1320 nm.
摘要翻译：本发明涉及新的硅（Si）半导体光源的制造方法和器件应用，其以1320nm的单一波长发射，半导体全宽（FWHM）小于200nm，光致发光量子效率在室温下大于50％。作为新光源的基底的半导体包括通过涉及重水或氘氧化物（D 2 O）的酸性蒸气处理的表面和产生1320nm的光源的表面层。

5. 发明申请

WO01008225A1 METHOD FOR MAKING A DEVICE COMPRISING LAYERS OF PLANES OF QUANTUM DOTS 审中-公开
标题翻译：用于制造包含量子层的层的装置的方法
公开(公告)号：WO01008225A1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：PCT/FR2000/002000
申请日：2000-07-11
IPC分类号： H01L21/306 , H01L29/12 , H01L29/15 , H01L33/34 , H01S5/32 , H01S5/34
CPC分类号： H01L33/34 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L21/30604 , H01L29/127 , H01L29/151 , H01S5/3227 , H01S5/3412
摘要： The invention concerns a method for forming on a Ge or Si monocrystalline substrate successive Si/Ge, Si/SiGe or Si/SiGe/Ge layers for a Ge substrate and inversely for a Si substrate, and the electrochemical treatment of the stack of layers to make the layers porous and form therein residual crystallites. The invention is applicable to devices comprising layers of planes of quantum drops.
摘要翻译：本发明涉及一种在Ge或Si单晶衬底上形成用于Ge衬底的连续Si / Ge，Si / SiGe或Si / SiGe / Ge层并相反地用于Si衬底的方法，以及层叠层的电化学处理使层多孔并在其中形成残余微晶。本发明可应用于包括量子滴的平面层的装置。

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