基本信息:
- 专利标题： 晶圆级半导体器件及其制备方法
- 专利标题（英）：Wafer level semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：PCT/CN2015/070836 申请日：2015-01-16
- 公开(公告)号：WO2015109968A1 公开(公告)日：2015-07-30
- 发明人： 蔡勇 , 张亦斌 , 徐飞
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址： 中国江苏省苏州市工业园区若水路398号王鹏飞, Jiangsu 215125 CN
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址： 中国江苏省苏州市工业园区若水路398号王鹏飞, Jiangsu 215125 CN
- 代理机构： 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 优先权： CN201410032377.5 20140123; CN201410173907.8 20140428; CN201410175210.4 20140428
- 主分类号： H01L27/15
- IPC分类号： H01L27/15 ; H01L33/00 ; H01L23/367 ; H01L33/62 ; H01L33/64 ; H01L25/075
摘要：
一种晶圆级半导体器件及其制备方法。该晶圆级半导体器件包括晶圆级基片（11）；形成于该基片（11）表面且并联设置的多个串联组（b），每一串联组（b）包括串联设置的多个并联组（a），每一并联组（a）包括并联设置的多个单胞（20），其中每一单胞（20）均是由直接生长于该基片（11）表面的半导体层加工形成的独立功能单元；以及，导线（40），其至少电性连接于每一串联组（b）中的两个选定并联组（a）之间，用以使所有串联组（b）的导通电压基本一致。该器件结构简单，且其制程简单便捷、成本低，良品率高，适于规模化制造和应用。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/15 | .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件 |