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1. 发明申请

WO2014096383A1 PROCESS FOR PRODUCING ADJACENT REGIONS COMPRISING LED WIRES AND DEVICE OBTAINED BY THE PROCESS 审中-公开
标题翻译：生产包含LED电线的相邻区域的过程和由该过程获得的器件
公开(公告)号：WO2014096383A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/077745
申请日：2013-12-20
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： POURQUIER, Eric , BONO, Hubert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/02 , H01L29/06 , H01L29/12 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/66
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L27/15 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/6609 , H01L29/66469 , H01L33/0008 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Process for producing adjacent regions comprising LED wires and device obtained by the process. The invention relates to a process for producing at least two adjacent regions, each comprising an array of light-emitting wires connected together in a given region by a transparent conductive layer, characterized in that it comprises the following steps: • - producing, on a substrate, a plurality of individual zones for growing wires extending over an area (SNT) greater than the cumulative area of said two chips (SP1, SP2); • - growing wires (NTi) in the individual growth zones; • - removing wires from at least one zone forming an initial free area (SL o ) so as to define said arrays of wires (NT 1i , NT 2j ), said initial free area (SL o ) comprising individual growth zones (zci o ) level with the removed wires, which zones are called imprints; and • - depositing a transparent conductive layer on each array of wires so as to electrically connect the wires of a given array of wires, each conductive layer (C NT1i ) being separated from the conductive layer (C NT2 i ) of the neighbouring region by a free area (SL). The invention also relates to a device obtained using the process of the invention.
摘要翻译：用于制造包括LED线的相邻区域的工艺和通过该方法获得的装置。本发明涉及一种用于生产至少两个相邻区域的方法，每个区域包括在给定区域中由透明导电层连接在一起的发光线阵列，其特征在于其包括以下步骤： - 在衬底，多个单独的区域，用于在大于所述两个芯片（SP1，SP2）的累积面积的区域（SNT）上延伸的导线生长; • - 在个别生长区生长电线（NTi） - 从形成初始自由区域（SLo）的至少一个区域去除导线，以便限定所述线阵列（NT1i，NT2j），所述初始自由区域（SLo）包括与被去除的线材的各个生长区域（zcio），哪些区域称为印记; 以及 - 在每根导线阵列上沉积透明导电层，以电连接给定阵列的导线，每个导电层（CNT1i）与邻近区域的导电层（CNT2i）分开自由区域（SL）。本发明还涉及使用本发明的方法获得的装置。

2. 发明申请

WO2015155437A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET A DIAGRAMME D'EMISSION AMELIORE 审中-公开
标题翻译：具有发光二极管的光电器件和改进的辐射图案
公开(公告)号：WO2015155437A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/FR2015/050810
申请日：2015-03-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA
发明人： GASSE, Adrien , ANDRE, Bernard , BONO, Hubert , HUGON, Xavier
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/18
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/15 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un support (10) comprenant une face (14) ayant au moins une portion (15) concave ou convexe, l'amplitude de la flèche de ladite portion étant supérieure à 1/20 ème de la corde (C) de ladite portion, et des diodes électroluminescentes (18) reposant sur ladite portion, chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur cylindrique, conique ou tronconique, au contact de ladite portion, l'amplitude de la flèche de la surface de contact entre chaque élément semiconducteur et ladite portion étant inférieure ou égale à 0,5 um.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件（5），其具有支撑件（10），该支架（10）包括具有至少一个凹部或凸部（15）的面（14），所述部分的矢状面的振幅高于所述部分的弦（C）和布置在所述部分上的发光二极管（18），每个发光二极管包括与所述部分接触的圆柱形，圆锥形或截头圆锥形或截头圆锥半导体元件，触点的矢状的振幅每个半导体元件和所述部分之间的表面低于或等于0.5μm。

3. 发明申请

WO2014064276A1 OPTOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：光电装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2014064276A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072448
申请日：2013-10-25
申请人： ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GILET, Philippe , HUGON, Xavier , VAUFREY, David , BONO, Hubert , HYOT, Bérangère
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/20 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/24 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , H01L33/0054 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
摘要： Method for manufacturing an optoelectronic device (10) including a semiconductor substrate (14), pads (20) on a surface (18) of the substrate, semiconductor elements (24) each being in contact with a pad, and a dielectric region (22) extending in the substrate from said surface and connecting, for each pair of pads, one pad to the other pad; the method comprising the successive steps of: depositing a layer (50) on the substrate; forming portions (52) on said layer; etching parts of said layer not being covered with said portions to form the pads; removing said portions; and nitriding the pads and the parts of the substrate not being covered with the pads, wherein the nitriding step comprises successively: a first step of nitriding the pads at a first temperature; and a second step of nitriding the parts of the substrate not being covered with the pads at a second, different temperature.
摘要翻译：制造包括半导体衬底（14）的光电子器件（10）的方法，衬底的表面（18）上的焊盘（20），与衬垫接触的半导体元件（24）和介电区域（22））从所述表面延伸到所述基板中，并且对于每对焊盘将一个焊盘连接到另一个焊盘; 该方法包括以下连续步骤：在衬底上沉积层（50）; 在所述层上形成部分（52）; 蚀刻所述层的部分不被所述部分覆盖以形成所述焊盘; 去除所述部分; 并且将所述衬垫和所述衬底的所述部分氮化并不被衬垫覆盖，其中所述氮化步骤包括：第一步骤，在第一温度下对所述衬垫进行氮化; 以及第二步骤，在不同温度的第二不同温度下，不用垫覆盖衬底的部分。

4. 发明申请

WO2020058256A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020058256A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：PCT/EP2019/074840
申请日：2019-09-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BONO, Hubert
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01L33/12 , H01L31/18 , H01L27/15 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L31/0304 , H01L33/02
摘要： La présente demande concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, plus particulièrement d'un dispositif électroluminescent à base de nitrure d'indium-gallium (InGaN) ou de nitrure d'aluminium-gallium (AIGaN), comportant les étapes successives suivantes: a) réaliser une implantation ionique d'indium ou d'aluminium dans une partie supérieure (105a) d'une première couche (105) monocristalline de nitrure de gallium (GaN), de façon à rendre amorphe la partie supérieure (105a) de la première couche (105) et à préserver la structure cristalline d'une partie inférieure (105b) de la première couche (105); et b) réaliser un recuit de recristallisation en phase solide de la partie supérieure (105a) de la première couche (105), conduisant à transformer la partie supérieure (105a) de la première couche (105) en une couche cristalline de nitrure d'indium-gallium (InGaN) ou de nitrure d'aluminium-gallium (AIGaN).

5. 发明申请

WO2019141948A1 DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UNE GRILLE ET UNE CATHODE COUPLÉES L'UNE A L'AUTRE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019141948A1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：PCT/FR2019/050096
申请日：2019-01-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , THALES
发明人： BONO, Hubert , ROBIN, Ivan-Christophe
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： Dispositif optoélectronique (100) comportant :une première couche (106) semi-conductrice dopée p et une deuxième couche (108) semi-conductrice dopée n superposées et formant une jonction p-n; une première électrode (122) reliée électriquement à la première couche semi-conductrice et formant une anode du dispositif; une grille (118) disposée contre au moins un flanc latéral de la première couche semi-conductrice; une deuxième électrode (128) disposée contre un flanc latéral de la deuxième couche semi-conductrice, reliée électriquement à la deuxième couche semi-conductrice et isolée électriquement de la première couche semi-conductrice; et dans lequel une portion (132) de la deuxième électrode est disposée contre la grille telle que la deuxième électrode soit reliée électriquement à la grille et forme à la fois une électrode de grille et une cathode du dispositif.

6. 发明申请

WO2014140505A1 PROCEDE DE FORMATION DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES 审中-公开
标题翻译：形成发光二极管的工艺
公开(公告)号：WO2014140505A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/FR2014/050602
申请日：2014-03-14
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BONO, Hubert , ANDRE, Bernard , GASSE, Adrien
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0075
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication de diodes électroluminescentes comprenant les étapes suivantes: a) former des diodes électroluminescentes (5) sur une couche de silicium (1) d'une plaquette de type SOI (1, 2, 3), ladite couche reposant sur un support (2, 3); b) coller du côté des diodes électroluminescentes une plaquette de silicium formant capot (7) munie d'un évidement en regard de chaque diode électroluminescente; c) araser la plaquette de silicium pour former une ouverture en regard de chaque diode électroluminescente; d) remplir chaque ouverture d'un matériau transparent (21, 23); et e) éliminer au moins partiellement le support (3) de la plaquette de type SOI et réaliser des métallisations de connexion et de drain thermique.
摘要翻译：本发明涉及一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：a）在SOI晶片（1,2,3）的硅层（1）上形成发光二极管（5），所述层位于载体（2,3）; b）在发光二极管侧接合形成具有面向每个发光二极管的空隙的帽（7）的硅晶片; c）使硅晶片变薄以形成面对每个发光二极管的孔; d）用透明材料（21,23）填充每个孔; 以及e）至少部分去除SOI晶片（3）的载体并产生连接和散热金属。

7. 发明申请

WO2017093678A1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT UN COMPOSANT ELECTROLUMINESCENT ET UN TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：包含电致发光组件和晶体管的光电子器件
公开(公告)号：WO2017093678A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/FR2016/053173
申请日：2016-12-01
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , BONO, Hubert , BOUCHET, Thierry , CHARLES, Matthew , ESCOFFIER, René , MORVAN, Erwan
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/382
摘要： L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant un composant électroluminescent (LED) et un transistor à effet de champ (TMOS), le dispositif optoélectronique comprenant: une première couche semiconductrice (46) d'un composé III-V ou II-VI dopée d'un premier type de conductivité; une couche active (50) du composant électroluminescent; une deuxième couche semiconductrice (54) du composé III- V ou II-VI dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type, la couche active étant prise en sandwich entre les première et deuxième couches semiconductrices, dans lequel le canal (77) du transistor à effet de champ est situé dans la première couche semiconductrice, la première couche semiconductrice étant ininterrompue entre le transistor à effet de champ et le composant électroluminescent.
摘要翻译：本发明涉及一种包括电致发光组件（LED）和晶体管（LED）的光电子器件（40）。场效应（TMOS），所述光电子器件包括：化合物的第一半导体层（46） III-V或II-VI掺杂有第一类导电性; 电致发光组件的有源层（50）该化合物的第二半导体层（54） III-V或II-VI掺杂的第二类导电性相反＆eacute; 第一类型中，有源层é;夹在Premi＆egrave之间;再和第二＆egrave;我的半导体层，其中所述晶体管与agrave的沟道（77）; 场效应位于＆oacute; 在第一半导体层中，第一半导体层在晶体管之间不中断; 场效应和电致发光元件。

8. 发明申请

WO2020254695A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE VIGNETTES DE NITRURE DESTINÉES CHACUNE À FORMER UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE OU OPTOÉLECTRONIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020254695A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/EP2020/067382
申请日：2020-06-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： FEUILLET, Guy , ALLOING, Blandine , BONO, Hubert , DAGHER, Roy , ZUNIGA PEREZ, Jesus , CHARLES, Matthew , BUCKLEY, Julien , ESCOFFIER, René
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , C30B25/18
摘要： L'invention concerne notamment un procédé d'obtention de vignettes (550A, 550B) faites au moins en partie d'un nitrure (N), le procédé comprend les étapes successives suivantes: - fournir un empilement comprenant un substrat (100) et au moins les couches suivantes successivement disposées depuis le substrat (100):  une première couche, dite couche de fluage (200),  une deuxième couche, cristalline, dite couche cristalline (300), - former des plots (1000A1-1000B4) par gravure de la couche cristalline (300) et d'au moins une portion (220) de la couche de fluage (200) de manière à ce que : o chaque plot (1000A1-1000B4) comporte au moins :  un premier tronçon, dit tronçon de fluage (200A1- 200B4), formé par une portion au moins de la couche de fluage (200),  un deuxième tronçon, cristallin, dit tronçon cristallin (300A1, 300B4), formé par la couche cristalline (300) et surmontant le tronçon de fluage (200A1- 200B4), o les plots (1000A1-1000B4) soient répartis sur le substrat (100) de manière à former une pluralité d'ensembles (1000A, 1000B) de plots (1000A1-1000B4), - faire croitre par épitaxie une cristallite (510A1-510B4) sur certains au moins desdits plots (1000A1-1000B4) et poursuivre la croissance épitaxiale des cristallites (510A1-510B4) jusqu'à coalescence des cristallites (510A1-510B4) portées par les plots (1000A1-1000B4) adjacents d'un même ensemble (1000A, 1000B).

9. 发明申请

WO2019092357A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UNE PLURALITÉ DE DIODES 审中-公开
公开(公告)号：WO2019092357A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：PCT/FR2018/052742
申请日：2018-11-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , THALES
发明人： BONO, Hubert , SIMON, Julia
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38 , H01L25/075
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comportant : a) rapporter, sur une face d'un circuit de contrôle (110), un empilement (150) de diode comportant des première (153) et deuxième (157) couches semiconductrices de types de conductivité opposés, de façon que la deuxième couche soit connectée à desplots métalliques (113) du circuit de contrôle; b) former dans l'empilement des tranchées délimitant une pluralité de diodes (176) connectées à des plots métalliques distincts du circuit de contrôle; c) déposer une couche isolante (178, 178') sur les parois latérales des tranchées; d) retirer partiellement la couche isolante de façon à libérer les flancs des portions de la première couche délimitées par les tranchées; et e) former une métallisation (180) revêtant les parois latérales et le fond des tranchées et contactant les flancs des portions de la première couche délimitées par les tranchées.

10. 发明申请

WO2017068029A1 DIODE MICRO-ELECTRONIQUE A SURFACE ACTIVE OPTIMISEE 审中-公开
标题翻译：具有优化活性表面的微电子二极管
公开(公告)号：WO2017068029A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/EP2016/075199
申请日：2016-10-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BONO, Hubert , GARCIA, Jonathan , ROBIN, Ivan-Christophe
IPC分类号： H01L33/38 , H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/385 , H01L2933/0016
摘要： Diode (102) comportant: - une première et une deuxième portions de semi-conducteur dopées formant une jonction p-n, une première partie (124) la première portion (126) étant disposée entre une deuxième partie (132) de la première portion et la deuxième portion (120); - des portions diélectriques (130) recouvrant des flancs latéraux de la deuxième portion et de la première partie de la première portion; - une première électrode (142) disposée contre des flancs latéraux extérieurs des portions diélectriques et contre des flancs latéraux (134) de la deuxième partie de la première portion, reliée électriquement à la première portion uniquement par un contact avec ces flancs latéraux, et traversant toute l'épaisseur de la première portion; - une deuxième électrode (144) optiquement réflectrice et reliée électriquement à la deuxième portion telle que la deuxième portion soit disposée entre la deuxième électrode et la première portion.
摘要翻译：
二极管（102），包括： - 一个第一和egrave;再和第二＆egrave;半导体部分我DOPéES形成pn结，Premi＆egrave;重部（124）的Premi＆egrave;重部（126），其设置在所述第一部分的第二部分（132）与所述第二部分（120）之间; - 二é部分;电（130），其覆盖所述第二及egrave的侧壁LATéRAL;我部和Premi＆egrave;再在Premi＆egrave的;再一部分; - 一个第一和egrave;重é电极（142）布置成抵靠侧面LATéRAL分机é笑二é部éé;电气和对LATé侧面;所述第二及egrave的RAL（134）;所述Premi＆egrave I的一部分;再部，电连接所述Premi＆egrave;再通过仅与这些侧面接触部LATéRAL，并通过Premi＆egrave的所有é厚度;再一部分; - 光学反射和电连接的第二电极（144）第二＆egrave;我部分，使得所述第二和egrave;我部设置在所述第二和egrave之间éé;我é电极和Premi＆egrave;重部分。

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