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热词
    • 1. 发明申请
    • 태양전지
    • 太阳能电池
    • WO2015023096A2
    • 2015-02-19
    • PCT/KR2014/007458
    • 2014-08-11
    • 서울시립대학교산학협력단
    • 박병은
    • H01L31/022425H01L31/022466H01L31/06Y02E10/542
    • 본 발명은 광전변환 효율이 높은 실리콘 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 외부로부터 입사되는 광을 전기로 변환하는 태양전지에 있어서, 기판과, 상기 기판의 상측에 형성되는 하부 전극, 상기 기판의 상측과 하부 전극의 외측 부분에 형성되는 강유전체층, 상기 강유전체층의 상측에 형성되는 보조 전극, 상기 하부 전극과 보조 전극의 상측에 형성되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형의 상측에 형성됨과 더불어 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 반도체로 구성되는 제2 도전형 반도체층 및, 투명한 재질의 도전성 재질로 구성됨과 더불어 상기 제2 도전형 반도체층의 상측에 형성되는 상부 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
    • 本发明涉及具有高光电效率的硅太阳能电池。 根据本发明的用于将从外部照射的光转换成电的太阳能电池包括:基板; 形成在所述基板上的下电极; 形成在所述基板上的铁电层和所述下电极的外部; 形成在铁电层上的辅助电极; 形成在所述下电极和所述辅助电极上的第一导电半导体层; 形成在第一导电半导体层上并由与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体制成的第二导电半导体层; 以及形成在所述第二导电半导体层上的由透明导电材料制成的上电极。
    • 5. 发明申请
    • MULTIJUNCTION HYBRID SOLAR CELL WITH PARALLEL CONNECTION AND NANOMATERIAL CHARGE COLLECTING INTERLAYERS
    • 具有平行连接和纳米材料电荷收集夹层的多结合混合太阳能电池
    • WO2012106002A8
    • 2012-11-01
    • PCT/US2011039518
    • 2011-06-07
    • UNIV TEXASSOLARNO INCZAKHIDOV ANVAR AMIELCZAREK KAMILPAPADIMITRATOS ALEXIOS
    • ZAKHIDOV ANVAR AMIELCZAREK KAMILPAPADIMITRATOS ALEXIOS
    • H01L31/00
    • H01L31/06H01L27/302H01L31/043H01L31/1884H01L51/0036H01L51/0086H01L51/4226H01L51/4253H01L51/444Y02E10/542Y02E10/549Y02P70/521
    • A tandem (or multijunction) hybrid photovoltaic device (PV) device comprised of multiple stacked single PVs connected in parallel with each other is described herein. Furthermore, nanomaterials are used as transparent charge collecting electrodes that allow both parallel connection via anode interlayer and also "inverted parallel" connection via cathode type interlayer of different types of solar cells. Carbon nanotube sheets are used as a convenient example for the charge collecting electrodes. The development of these alternative interconnecting layers simplifies the process and may be also used for combined organic PVs with traditional inorganic PVs and Dye Sensitized Solar Cells (DSSC). In addition, novel architectures are enabled that allow the parallel connection of the stacked PVs into monolithic multi-junction PV tandems. This new monolithic parallel connection architecture enables enhanced absorption of the solar spectrum and results in increased power conversions efficiency. Moreover, architectures where cells are stacked monolithically using a series connection can be coupled with cells to create mixed series and parallel connected tandem cells.
    • 本文描述了由彼此并联连接的多个堆叠的单个PV组成的串联(或多结)混合光伏装置(PV)装置。 此外,纳米材料被用作透明电荷收集电极,其允许经由阳极夹层的并联连接以及经由不同类型的太阳能电池的阴极型夹层的“反向并联”连接。 碳纳米管片被用作电荷收集电极的便利例子。 这些替代互连层的发展简化了工艺过程,也可用于与传统无机PV和染料敏化太阳能电池(DSSC)组合的有机光伏组件。 此外,新型架构可实现堆叠光伏并行连接成单片多结光伏串联。 这种新型单片并联连接结构能够增强太阳光谱的吸收能力,并提高功率转换效率。 此外,使用串联连接将单元堆叠在一起的架构可以与单元耦合以创建混合串联和并联连接的串联单元。
    • 8. 发明申请
    • SOLAR CELL HAVING CRYSTALLINE SILICON P-N HOMOJUNCTION AND AMORPHOUS SILICON HETEROJUNCTIONS FOR SURFACE PASSIVATION
    • 太阳能电池具有结晶硅P-N HOMOJUNCTION和无定形硅异质表面钝化
    • WO2009108162A1
    • 2009-09-03
    • PCT/US2008/007356
    • 2008-06-11
    • SUNIVA, INC.MEIER, Daniel, L.ROHATGI, Ajeet
    • MEIER, Daniel, L.ROHATGI, Ajeet
    • H01L31/078H01L31/072
    • H01L31/068H01L31/02167H01L31/06H01L31/1868Y02E10/547Y02P70/521
    • A thin silicon solar cell is described. Specifically, the solar cell may be fabricated from a crystalline silicon wafer having a thickness of approximately 50 micrometers to 500 micrometers. The solar cell comprises a first region having a p-n homojunction, a second region that creates heterojunction surface passivation, and a third region that creates heterojunction surface passivation. Amorphous silicon layers are deposited on both sides of the silicon wafer at temperatures below approximately 400 degrees Celsius to reduce the loss of passivation properties of the amorphous silicon. A final layer of transparent conductive oxide is formed on both sides at approximately 165 degrees Celsius. Metal contacts are applied to the transparent conductive oxide. The low temperatures and very thin material layers used to fabricate the outer layers of used to fabricate the outer layers of the solar cell protect the thin wafer from excessive stress that may lead to deforming the wafer.
    • 描述了薄硅太阳能电池。 具体地,太阳能电池可以由厚度约为50微米至500微米的晶体硅晶片制成。 太阳能电池包括具有p-n同质结的第一区域,产生异质结表面钝化的第二区域和产生异质结表面钝化的第三区域。 非晶硅层在低于约400摄氏度的温度下沉积在硅晶片的两侧,以减少非晶硅的钝化性能的损失。 在大约165摄氏度的两侧形成最终的透明导电氧化物层。 将金属触点施加到透明导电氧化物上。 用于制造用于制造太阳能电池的外层的外层的低温和非常薄的材料层保护薄晶片免受可能导致晶片变形的过大应力。
    • 9. 发明申请
    • 光起電力素子およびその製造方法
    • 光电元件及其制造方法
    • WO2009087708A1
    • 2009-07-16
    • PCT/JP2008/002862
    • 2008-10-10
    • 日新電機株式会社出口洋成東大介林司緒方潔
    • 出口洋成東大介林司緒方潔
    • H01L31/04C23C16/24
    • H01L31/075C23C16/24H01L31/036H01L31/06Y02E10/548
    • 光起電力素子(10)は、p層(3)、i層(4)、n層(5)および電極(6)を透明導電膜(2)が形成された絶縁基板(1)上に順次積層した構造からなる。p層(3)は、p型a-Si:Hからなり、n層(5)は、n型a-Si:Hからなる。i層(4)は、複数の非晶質薄膜(41)と複数の結晶薄膜(42)とからなる。そして、複数の非晶質薄膜(41)および複数の結晶薄膜(42)は、非晶質薄膜(41)および結晶薄膜(42)が相互に接するように絶縁基板(1)に略垂直な方向に積層される。非晶質薄膜(41)は、i型a-Si:Hからなり、ナノサイズの結晶粒(411)と、光を吸収する光吸収剤(412)とを含む。結晶薄膜(42)は、i型poly-Siからなる。そして、i層(4)は、300nm~1000nmの膜厚を有し、非晶質薄膜(41)および結晶薄膜(42)の各々は、10nm~20nmの膜厚を有する。
    • 提供一种光电动元件(10),其通过在绝缘基板(1)上依次层叠p层(3),i层(4),n层(5)和电极(6) ),其上形成有透明导电膜(2)。 p层(3)由p型a-Si:H制成,n层(5)由n型a-Si:H制成。 i层(4)由多个非晶薄膜(41)和多个晶体薄膜(42)构成。 非晶薄膜(41)和晶体薄膜(42)在与绝缘基板(1)基本垂直的方向上被层叠,使得非晶薄膜(41)和晶体薄膜(42)可以彼此接触 。 无定形薄膜(41)由i型a-Si:H制成,并含有纳米尺寸的晶体颗粒(411)和用于吸收光的光吸收剂(412)。 晶体薄膜(42)由i型多晶硅制成。 i层(4)具有300nm至1000nm的膜厚度,并且非晶薄膜(41)和晶体薄膜(42)分别具有10nm至20nm的膜厚度。