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1. 发明申请

WO2017068527A1 THERMOELECTRIC GENERATOR 审中-公开
标题翻译：热电发电机
公开(公告)号：WO2017068527A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/IB2016/056318
申请日：2016-10-20
申请人： CONSORZIO DELTA TI RESEARCH
发明人： MASCOLO, Danilo , BUOSCIOLO, Antonietta , LATESSA, Giuseppe , GAMMARIELLO, Giuseppe , GIUSTI, Marco , GISON, Italo
IPC分类号： H01L27/16 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , H01L27/16 , H01R13/73
摘要： A thermoelectric generator of compact size, having a simple structure configured for increasing the conversion efficiency of thermal energy into electric energy, so as it is possible to transform into electric current also as amount of heat per unit surface greater than thin film prior art devices, has a base silicon wafer and a cover silicon wafer, wherein the cover silicon wafer is facing said base silicon wafer in such a way that the respective top contacts are in contact and the space between the cover silicon wafer and the base silicon wafer is a space in which vacuum is made or a gas is present, in particular air.
摘要翻译：具有简单结构的热电发电机具有简单的结构，用于提高热能向电能的转换效率，从而也可以转换成电流，也可以作为每单位表面的热量大于薄膜现有技术装置，具有基底硅晶片和覆盖硅晶片，其中覆盖硅晶片面对所述基底硅晶片，使得各个顶端接触件相接触并且覆盖硅晶片并且基底硅晶片是其中制造真空或存在气体的空间，特别是空气。

2. 发明申请

WO2016057007A1 MONOLITHICALLY INTEGRATED MULTI-SENSOR DEVICE ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD THEREFOR 审中-公开
标题翻译：半导体基板上的单片集成多传感器器件及其方法
公开(公告)号：WO2016057007A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2014/026562
申请日：2014-03-13
申请人： GOGOI, Bishnu
发明人： GOGOI, Bishnu
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81B2201/0214 , B81B2201/0228 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/012 , B81B2207/05 , B81B2207/09 , H01L27/14 , H01L27/16 , H01L27/22 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L2924/00 , H05K7/02
摘要： An integrated circuit having an indirect sensor and a direct sensor formed on a common semiconductor substrate is disclosed. The direct sensor requires the parameter being measured to be directly applied to the direct sensor. Conversely, the indirect sensor can have the parameter being measured to be indirectly applied to the indirect sensor. The parameter being measured by the direct sensor is different than the parameter being measured by the indirect sensor. In other words, the direct sensor and indirect sensor are of different types. An example of a direct sensor is a pressure sensor. The pressure being measured by the pressure sensor must be applied to the pressure sensor. An example of an indirect sensor is an accelerometer. The rate of change of velocity does not have to be applied directly to the accelerometer. In one embodiment, the direct and indirect sensors are formed using photolithographic techniques.
摘要翻译：公开了一种具有间接传感器和形成在公共半导体衬底上的直接传感器的集成电路。直接传感器需要测量的参数直接应用于直接传感器。相反，间接传感器可以将被测量的参数间接地应用于间接传感器。由直接传感器测量的参数与由间接传感器测量的参数不同。换句话说，直接传感器和间接传感器是不同的类型。直接传感器的一个例子是压力传感器。由压力传感器测量的压力必须应用于压力传感器。间接传感器的一个例子是加速度计。速度变化率不必直接应用于加速度计。在一个实施例中，使用光刻技术形成直接和间接传感器。

3. 发明申请

WO2014138181A1 SYSTEMS AND METHODS FOR HARVESTING DISSIPATED HEAT FROM INTEGRATED CIRCUITS (ICS) IN ELECTRONIC DEVICES INTO ELECTRICAL ENERGY FOR PROVIDING POWER FOR THE ELECTRONIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于将电子设备中的集成电路（ICS）中的散热加热到用于为电子设备提供电力的电能的系统和方法
公开(公告)号：WO2014138181A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/US2014/020602
申请日：2014-03-05
申请人： QUALCOMM INCORPORATED
发明人： ARYAN, Babak , GOVINDASWAMY, Senthil, Kumar , RANGAN, Venkat
IPC分类号： H01L35/32 , H05K1/18
CPC分类号： H01L27/16 , H01L23/38 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H05K1/0203 , H05K1/185 , H05K2201/10219 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Systems and methods for harvesting dissipated heat from integrated circuits (ICs) in electronic devices into electrical energy for providing power for the electronic devices are disclosed. In one embodiment, energy transferred from one or more ICs in the form of dissipated heat is harvested to convert at least a portion of this dissipated heat into electricity. This power can be used to provide power to the ICs to reduce overall power consumption by the electronic device. The harvested dissipated heat can be supplied to ICs in the electronic device to provide power to the ICs. Alternatively, or in addition, the harvested dissipated heat can be stored in an energy storage device to provide power to the ICs at a later time.
摘要翻译：公开了用于从电子设备中的集成电路（IC）将耗散的热量收集到用于为电子设备供电的电能的系统和方法。在一个实施例中，收集从散热形式的一个或多个IC转移的能量，以将该散热的至少一部分转化成电。该功率可用于为IC提供电力以减少电子设备的总功耗。所获得的耗散的热量可以提供给电子设备中的IC以向IC提供电力。或者或另外，收获的耗散热量可以存储在能量存储装置中，以在稍后的时间向IC提供电力。

4. 发明申请

WO2013007593A1 PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT 审中-公开
标题翻译：在一体化三维结构中产生功率的方法和相应的连接装置
公开(公告)号：WO2013007593A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/EP2012/063129
申请日：2012-07-05
申请人： STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS , FORNARA, Pascal , RIVERO, Christian
发明人： FORNARA, Pascal , RIVERO, Christian
IPC分类号： H01L27/16 , H01L35/32 , H01L23/38
CPC分类号： H01L27/16 , H01L35/32 , H01L35/325 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： Procédé de génération d' énergie électrique au sein d'une structure intégrée tridimensionnelle comprenant plusieurs éléments électriquement interconnectés par un dispositif de liaison, le procédé comprenant une production d 'un gradient de température (GDT) dans au moins une région du dispositif de liaison résultant du fonctionnement d' au moins un desdits éléments (CI1, CI2), et une production d' énergie électrique à partir d' au moins un générateur thermoélectrique (GEN) comportant au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle et contenus dans ladite région soumise audit gradient de température.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在通过连接装置电互连的多个元件的集成三维结构内产生功率的方法，所述方法包括在所述连接装置的至少一个区域中产生温度梯度（GDT），所述生产由操作至少一个所述元件（CI1，CI2）和从至少一个热电发电机（GEN）产生功率，其包括串联电连接并联并且包含在所述区域经受所述温度梯度。

5. 发明申请

WO2012025025A1 一种SOI场效应晶体管的散热结构审中-公开
公开(公告)号：WO2012025025A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/CN2011/078507
申请日：2011-08-17
申请人：北京大学 , 黄如 , 黄欣 , 薛守斌 , 艾玉杰
发明人：黄如 , 黄欣 , 薛守斌 , 艾玉杰
IPC分类号： H01L23/38
CPC分类号： H01L23/38 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明申请

WO2011084120A1 BIMETALLIC INTEGRATED ON-CHIP THERMOCOUPLE ARRAY 审中-公开
标题翻译：双金属集成片上热电偶阵列
公开(公告)号：WO2011084120A1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/US2010/002580
申请日：2010-09-20
申请人： NORTHWESTERN UNIVERSITY , GRAYSON, Matthew, A. , MEMIK, Seda , LONG, Jieyi , ZHOU, Chuanle , KLOCK, Andrea, Grace
发明人： GRAYSON, Matthew, A. , MEMIK, Seda , LONG, Jieyi , ZHOU, Chuanle , KLOCK, Andrea, Grace
IPC分类号： H01L35/34
CPC分类号： H01L27/16 , G01K1/026 , G01K7/028
摘要： An integrated circuit chip is defined by a stack of several interconnected layers. The integrated circuit chip includes at least two layers of dissimilar metal patterned to define an array of integrated bimetallic thermocouples.
摘要翻译：集成电路芯片由几个互连层的堆叠来定义。集成电路芯片包括图案化以限定一体化双金属热电偶阵列的至少两层异种金属。

7. 发明申请

WO2009156382A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER THERMOELEKTRISCHEN VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：制造方法热电装置
公开(公告)号：WO2009156382A2
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/EP2009/057780
申请日：2009-06-23
申请人： MICROPELT GMBH , NURNUS, Joachim , VOLKERT, Fritz , SCHUBERT, Axel
发明人： NURNUS, Joachim , VOLKERT, Fritz , SCHUBERT, Axel
IPC分类号： H01L27/16 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , H01L27/16
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mindestens einer thermoelektrischen Vorrichtung, mit den Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), der aus einem thermoelektrischen Material eines ersten Leitungstyps gebildet ist; Bereitstellen eines zweiten Wafers, der aus einem thermoelektrischen Material seines zweiten Leitungstyps gebildet ist; Strukturieren des ersten Wafers (1), so dass eine Gruppe erster thermoelektrischer Strukturen (7) entsteht; Strukturieren des zweiten Wafers, so dass eine Gruppe zweiter thermoelektrischer Strukturen entsteht; Verbinden des ersten mit dem zweiten Wafer derart, dass die ersten und die zweiten thermoelektrischen Strukturen elektrisch miteinander verbunden sind und so die thermoelektrische Vorrichtung ausbilden. Erfindungsgemäß wird vor dem Strukturieren des ersten Wafers (1) ein erstes Kontaktmaterial (3) auf dem ersten Wafer (1) und/oder vor dem Strukturieren des zweiten Wafers ein zweites Kontaktmaterial auf dem zweiten Wafer abgeschieden.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于产生至少一个热电装置，其包括以下步骤：提供第一晶片（1），其具有第一导电类型的热电材料形成; 提供了其它的第二导电类型的热电材料形成的第二晶片; 图案化所述第一晶片（1），从而形成一组第一热电结构体（7）; 所述第二晶片的图案化，以使得一组第二热电结构; 连接所述第一到所述第二晶片，使得所述第一和第二热电结构体被电连接到彼此，从而形成所述热电装置。根据本发明，第一接触材料（3）在所述第一晶片（1）和/或所述第二晶片的图案化之前，第二接触材料的第二晶片上的第一晶片的图案化之前沉积（1）。

8. 发明申请

WO2009119175A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009119175A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/052377
申请日：2009-02-13
申请人：日本電気株式会社 , 川中雅史
发明人：川中雅史
IPC分类号： H01L35/32 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L23/34 , H01L23/38 , H01L27/06 , H01L29/73 , H01L29/737 , H01L35/16 , H01L35/28 , H01L35/30
CPC分类号： H01L23/38 , H01L27/16 , H01L29/732 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　動作に対応して放熱を積極的に行うことができる半導体装置を提供する。熱電変換素子としてゼーベック素子３１０が埋設されている。ゼーベック素子３１０は、一端が半導体素子の発熱部に近接した位置に配置されるとともに他端が発熱部の遠位側に配置された状態で半導体素子の内部に設けられている。さらに、放熱素子としてのペルチエ素子３２０が埋設されている。ペルチエ素子３２０は、一端が発熱部に近接した位置に配置されるとともに他端が発熱部の遠位側に配置された状態で半導体素子の内部に設けられている。ゼーベック素子３１０にて生じた熱起電力に応じた電流がペルチエ素子３２０に印加される。
摘要翻译：本发明提供一种能够根据操作能够进行散热的半导体装置。塞贝克元件（310）被埋入作为热电转换元件。塞贝克元件（310）以这样的状态设置在半导体元件中，即，塞贝克元件的一端布置在靠近半导体元件的加热部分的位置，另一端设置在加热的远侧部分。此外，珀耳帖元件（320）被埋入作为散热元件。帕尔贴元件320设置在半导体元件中，使得珀耳帖元件的一端配置在靠近加热部的位置，另一端配置在加热部的远侧。根据塞贝克元件（310）中产生的热电动势的电流被施加到珀耳帖元件（320）。

9. 发明申请

WO2007103972A3 HIGH FILL-FACTOR VERTICAL THERMOELECTRIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：高填充因数垂直热电器件
公开(公告)号：WO2007103972A3
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/US2007063481
申请日：2007-03-07
申请人： NANOCOOLERS INC , GHOSHAL UTTAM
发明人： GHOSHAL UTTAM
IPC分类号： H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , H01L27/16
摘要： A high fill-factor complementary vertical thermoelectric device is described. In some embodiments, a plurality of lower electrodes is disposed upon a supporting structure. Pairs of thermoelectric elements of complementary conductivity type are disposed on the lower electrodes, such that each lower electrode couples together a respective complementary pair of adjacent thermoelectric elements disposed thereon. A conformal dielectric layer is formed over the thermoelectric elements of one conductivity type, the thickness of the conformal layer on the sidewalls of these elements determining the spacing between adjacent pairs of complementary thermoelectric elements. A plurality of upper electrodes, each straddling a pair of adjacent lower electrodes and coupling together a complementary pair of adjacent thermoelectric elements may complete the high fill-factor complementary thermoelectric device.
摘要翻译：描述了高填充因子互补垂直热电装置。在一些实施例中，多个下电极设置在支撑结构上。互补导电类型的热电元件对设置在下电极上，使得每个下电极将设置在其上的相应热电元件的相应互补对耦合在一起。在一种导电类型的热电元件上方形成共形介电层，这些元件的侧壁上的共形层的厚度决定了相邻对互补热电元件之间的间隔。多个上部电极跨越一对相邻的下部电极并且将互补的一对相邻热电元件耦合在一起可以完成高填充因子互补热电装置。

10. 发明申请

WO2007103972A2 HIGH FILL-FACTOR VERTICAL THERMOELECTRIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：高填充因子垂直热电装置
公开(公告)号：WO2007103972A2
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/US2007/063481
申请日：2007-03-07
申请人： NANOCOOLERS, INC. , GHOSHAL, Uttam
发明人： GHOSHAL, Uttam
CPC分类号： H01L35/32 , H01L27/16
摘要： A high fill-factor complementary vertical thermoelectric device is described. In some embodiments, a plurality of lower electrodes is disposed upon a supporting structure. Pairs of thermoelectric elements of complementary conductivity type are disposed on the lower electrodes, such that each lower electrode couples together a respective complementary pair of adjacent thermoelectric elements disposed thereon. A conformal dielectric layer is formed over the thermoelectric elements of one conductivity type, the thickness of the conformal layer on the sidewalls of these elements determining the spacing between adjacent pairs of complementary thermoelectric elements. A plurality of upper electrodes, each straddling a pair of adjacent lower electrodes and coupling together a complementary pair of adjacent thermoelectric elements may complete the high fill-factor complementary thermoelectric device.
摘要翻译：描述了高填充因子互补垂直热电装置。在一些实施例中，多个下电极设置在支撑结构上。互补导电类型的热电元件对设置在下电极上，使得每个下电极将布置在其上的相互互补的一对相邻热电元件连接在一起。在一种导电类型的热电元件之上形成保形介电层，这些元件的侧壁上的共形层的厚度确定相邻的互补热电元件对之间的间隔。多个上电极，每个跨越一对相邻的下电极并将互补的一对相邻的热电元件耦合在一起可以完成高填充因子互补热电装置。

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