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1. 发明申请

WO2015109678A1 UNCOOLED FOCAL PLANE ARRAY FOR IR AND THZ IMAGING 审中-公开
标题翻译：红外和THZ成像的不可思议的焦点平面阵列
公开(公告)号：WO2015109678A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/CN2014/076239
申请日：2014-04-25
申请人： YU, Xiaomei
发明人： YU, Xiaomei , MA, Wei , WEN, Yongzheng , WANG, Shuyang
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/38 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0081 , B81B2201/0207 , G01J5/0853 , G01J5/40
摘要： An uncooled focal plane array (FPA) for imaging at full-band infrared and terahertz regime is provided. The FPA utilizes bimaterial cantilever array as the pixels (101) and are fabricated on a visible light transparent substrate (103). The bimaterail cantilever (101) comprises an absorber (102), two bimaterial legs (202), two thermal isolation legs (203), two anchors (102), and a mirror. The radiation to be detected casts on the front side of bimaterial cantilevers (101), while the transparent substrate (103) is illuminated by visible light to readout the deformation of the bimaterial cantilevers (101) caused by the energy absorption by the absorber (102). The FPA is fabricated by surface sacrificial layer processes, especially by using metamaterial to enhance the function of the absorber and polyimide as the sacrificial layer. The advantages of the uncooled focal plane array include multiband work,high sensitivity and resolution, good reliability and uniformity, low cost and easy fabrication.
摘要翻译：提供了一种用于在全频带红外和太赫兹方案下成像的非制冷焦平面阵列（FPA）。 FPA利用双材料悬臂阵列作为像素（101）并且制造在可见光透明基板（103）上。双臂悬臂（101）包括吸收器（102），两个双材料腿（202），两个热隔离支柱（203），两个锚定件（102）和反射镜。要检测的辐射在双材料悬臂（101）的前侧铸造，而透明基板（103）被可见光照亮，以读出由吸收体（102）吸收能量引起的双材料悬臂（101）的变形）。 FPA通过表面牺牲层工艺制造，特别是通过使用超材料来增强吸收剂和聚酰亚胺作为牺牲层的功能。非冷却焦平面阵列的优点包括多波段工作，高灵敏度和分辨率，良好的可靠性和均匀性，低成本和易于制造。

2. 发明申请

WO2010091153A1 METHOD OF MANUFACTURING A MICRO-ELECTRICAL-MECHANICAL SYSTEM WITH THERMALLY ISOLATED ACTIVE ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：制造具有热隔离活性元件的微机电系统的方法
公开(公告)号：WO2010091153A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/US2010/023154
申请日：2010-02-04
申请人： NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION , BLUZER, Nathan , KRISHNASWAMY, Silai, V. , SMITH, Philip, C.
发明人： BLUZER, Nathan , KRISHNASWAMY, Silai, V. , SMITH, Philip, C.
IPC分类号： H01B13/00
CPC分类号： H01L31/08 , B81B3/0081 , B81B2201/0207 , H01L23/3121 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method of manufacturing a micro-electrical-mechanical system with thermally isolated active elements. Such a system may embody a bolometer, which is well suited for detecting electromagnetic radiation between 90GHz and 30THz while operating at room temperature. The method also discloses a generalized process for manufacturing circuitry incorporating active and passive micro-electrical-mechanical systems in a silicon wafer.
摘要翻译：一种制造具有热隔离有源元件的微机电系统的方法。这样的系统可以体现一个测辐射热谱仪，适用于在室温下操作时检测90GHz和30THz之间的电磁辐射。该方法还公开了一种用于制造在硅晶片中并入有源和无源微机电系统的电路的通用方法。

3. 发明申请

WO2014044463A1 VORRICHTUNG MIT MINDESTENS ZWEI WAFERN ZUM DETEKTIEREN VON ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DER VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：与至少两个晶片中的电磁辐射和方法的检测装置，用于制造器件
公开(公告)号：WO2014044463A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/EP2013/066635
申请日：2013-08-08
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： HERRMANN, Ingo , REINHART, Karl-Franz , PIRK, Tjalf
IPC分类号： G01J5/04 , B81C1/00 , G01J5/10 , H01L23/10 , H01L25/065 , G01J5/20
CPC分类号： H01L31/09 , B81B2201/0207 , B81B2207/012 , B81B2207/097 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , G01J5/00 , G01J5/045 , G01J5/20 , H01L23/10 , H01L23/26 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L27/14634 , H01L27/1465 , H01L27/1469 , H01L31/18 , H01L2224/05609 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/2745 , H01L2224/29109 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/94 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung von mindestens zwei Wafern (120, 110; 120, 130) zum Detektieren von elektromagnetischer Strahlung (FIR), wobei ein erster Wafer (120) ein Mikrosystem (115) aufweist, welches als ein Sensorarray ausgebildet ist und welches dazu ausgelegt ist, die elektromagnetische Strahlung (FIR) zu erfassen und ein entsprechendes Sensorsignal bereitzustellen; und wobei ein zweiter Wafer (110; 130) eine integrierte Schaltung (105) aufweist, welche als eine mit dem Sensorarray gekoppelte Auswerteschaltung ausgebildet ist und welche dazu ausgelegt ist, anhand des bereitgestellten Sensorsignals die elektromagnetische Strahlung (FIR) zu detektieren.
摘要翻译：本发明涉及至少两个晶片的布置（120，110; 120，130），用于检测电磁辐射（FIR），其中的第一晶片（120）包括一个微（115），其被设计为传感器阵列，而这适于将电磁辐射（FIR）捕获并提供相应的传感器信号; 并且其中第二晶片（110; 130）包括一个集成电路（105），其被设计为传感器阵列耦合到评估电路并且适于，基于所提供的传感器信号，所述电磁辐射（FIR）来进行检测。

4. 发明申请

WO2013130582A1 METHOD FOR EMBEDDING CONTROLLED-CAVITY MEMS PACKAGE IN INTEGRATION BOARD 审中-公开
标题翻译：嵌入式控制密封MEMS封装在集成板中的方法
公开(公告)号：WO2013130582A1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：PCT/US2013/027989
申请日：2013-02-27
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： MANACK, Christopher, D. , STEPNIAK, Frank , KODURI, Sreenivasan, K.
IPC分类号： B81B7/02 , B81C3/00 , H01L23/02
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/0067 , B81B2201/0207 , B81C1/00269 , G01J5/045 , G01J5/12 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24245 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82
摘要： An embedded microelectromechanical system (MEMS) (100) comprising a semiconductor chip (101 ) embedded in an insulating board (120), the chip having a cavity (102) including a radiation sensor MEMS (105), the opening (104) of the cavity at the chip surface covered by a plate (110) transmissive to the radiation (150) sensed by the MEMS. The plate surface remote from the cavity having a bare central area, to be exposed to the radiation sensed by the MEMS in the cavity, and a peripheral area covered by a metal film (111) touching the plate surface and a layer (112) of adhesive stacked on the metal film.
摘要翻译：一种嵌入式微机电系统（MEMS）（100），包括嵌入绝缘板（120）中的半导体芯片（101），该芯片具有包括辐射传感器MEMS（105）的空腔（102），该开口在由芯片感测的辐射（150）透射的板（110）覆盖的芯片表面处的空腔。离开空腔的板表面具有裸露的中心区域，以暴露于由空腔内的MEMS感测的辐射，以及由接触板表面的金属膜（111）覆盖的周边区域和覆盖板（112）的层粘合剂堆叠在金属膜上。

5. 发明申请

WO2016209339A1 WAFER LEVEL MEMS PACKAGE INCLUDING DUAL SEAL RING 审中-公开
标题翻译： WAFER LEVEL MEMS封装包括双密封圈
公开(公告)号：WO2016209339A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/US2016/028338
申请日：2016-04-20
申请人： RAYTHEON COMPANY
发明人： DIEP, Buu Q. , KENNEDY, Adam M. , KOCIAN, Thomas Allan , LAMB, Mark
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B7/0041 , B81B2201/0207 , B81B2201/04 , B81C1/00269 , B81C1/00317 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/019
摘要： A microelectromechanical systems (MEMS) package includes a substrate extending between a first pair of outer edges to define a length and a second pair of outer edges to define a width. A seal ring assembly is disposed on the substrate and includes at least one seal ring creating a first boundary point adjacent to at least one MEMS device and a second boundary point adjacent at least one of the outer edges. The package further includes a window lid on the seal ring assembly to define a seal gap containing the at least one MEMS device. The seal ring assembly anchors the window lid to the substrate at the second boundary point such that deflection of the window lid into the seal gap is reduced.
摘要翻译：微机电系统（MEMS）封装包括在第一对外边缘之间延伸以限定长度的基板和限定宽度的第二对外边缘。密封环组件设置在基板上，并且包括至少一个密封环，其形成与至少一个MEMS装置相邻的第一边界点和邻近至少一个外边缘的第二边界点。封装还包括在密封环组件上的窗口盖，以限定包含至少一个MEMS器件的密封间隙。密封圈组件在第二边界点将窗口盖固定到基底，使得窗口盖进入密封间隙的偏转减小。

6. 发明申请

WO2016024946A1 HERMETICALLY SEALED PACKAGE HAVING STRESS REDUCING LAYER 审中-公开
标题翻译：具有应力减少层的人造密封包装
公开(公告)号：WO2016024946A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/US2014/050589
申请日：2014-08-11
申请人： RAYTHEON COMPANY
发明人： KENNEDY, Adam, M. , DIEP, Buu, Q. , BLACK, Stephen, H. , WONG, Tse, E. , KOCIAN, Thomas, Allan , TRACY, Gregory, D.
IPC分类号： B81C1/00 , H01L23/10 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/10 , B81B7/0051 , B81B2201/0207 , B81C2203/0109 , B81C2203/035 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A sealed package having a device 102 disposed on a wafer structure and a lid structure 108 bonded to the device wafer. The device wafer includes: a substrate 104; a metal ring 107DW disposed on a surface portion of substrate around the device and a bonding material 118 disposed on the metal ring. A first layer of the metal ring includes a stress relief buffer layer 109DW having a higher ductility than that of the surface portion of the substrate and a width greater than the width of the bonding material. The metal ring extends laterally beyond at least one of the inner and outer edges of the bonding material. The stress relief buffer layer has a coefficient of thermal expansion greater than the coefficient of expansion of the surface portion of the substrate and less than the coefficient of expansion of the bonding material.
摘要翻译：密封包装，其具有设置在晶片结构上的装置102和结合到装置晶片的盖结构108。器件晶片包括：衬底104; 设置在设备周围的基板的表面部分上的金属环107DW和设置在金属环上的接合材料118。金属环的第一层包括具有比衬底的表面部分更高的延展性的应力消除缓冲层109DW以及大于接合材料的宽度的宽度。金属环横向延伸超出接合材料的内边缘和外边缘中的至少一个。应力消除缓冲层的热膨胀系数大于衬底表面部分的膨胀系数，小于接合材料的膨胀系数。

7. 发明申请

WO2014151905A1 DISTRIBUTED SENSOR SYSTEM 审中-公开
标题翻译：分布式传感器系统
公开(公告)号：WO2014151905A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/US2014/026646
申请日：2014-03-13
申请人： GOGOI, Bishnu
发明人： GOGOI, Bishnu
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L29/82
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81B2201/0214 , B81B2201/0228 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/012 , B81B2207/05 , B81B2207/09 , H01L27/14 , H01L27/16 , H01L27/22 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L2924/00 , H05K7/02
摘要： A distributed sensor system is disclosed that provides spatial and temporal data in an operating environment. The distributed sensor nodes can be coupled together to form a distributed sensor system. For example, a distributed sensor system comprises a collection of Sensor Nodes (SN) that are physically coupled and are able to collect data about the environment in a distributed manner. An example of a distributed sensor system comprises a first sensor node and a second sensor node. Each sensor node has a plurality of sensors or a MIMS device. Each sensor node can also include electronic circuitry or a power source. A joint region is coupled between a first flexible interconnect region and a second flexible interconnect region. The first sensor node is coupled to the first flexible interconnect region. Similarly, the second sensor node is coupled to the second flexible interconnect region.
摘要翻译：公开了一种在操作环境中提供空间和时间数据的分布式传感器系统。分布式传感器节点可以耦合在一起以形成分布式传感器系统。例如，分布式传感器系统包括物理耦合并且能够以分布式方式收集关于环境的数据的传感器节点（SN）的集合。分布式传感器系统的示例包括第一传感器节点和第二传感器节点。每个传感器节点具有多个传感器或MIMS装置。每个传感器节点还可以包括电子电路或电源。联接区域耦合在第一柔性互连区域和第二柔性互连区域之间。第一传感器节点耦合到第一柔性互连区域。类似地，第二传感器节点耦合到第二柔性互连区域。

8. 发明申请

WO2019043299A1 THERMAL DETECTOR AND THERMAL DETECTOR ARRAY 审中-公开
公开(公告)号：WO2019043299A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/FI2018/050619
申请日：2018-08-31
申请人： TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY
发明人： VARPULA, Aapo , GUO, Bin
IPC分类号： G01J5/20 , G01J5/02 , G01J5/04 , G01J5/08 , B81C1/00
CPC分类号： G01J5/20 , B81B7/0067 , B81B2201/0207 , B81C2203/036 , G01J3/26 , G01J5/0215 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/0806 , G01J5/084 , G01J5/0862 , G01J5/601 , G01J5/602 , G01J2005/202
摘要： A wafer-level integrated thermal detector comprises a first wafer and a second wafer (W1, W2) bonded together. The first wafer (W1) includes a dielectric or semiconducting substrate (100), a dielectric sacrificial layer (102) deposited on the substrate, a support layer (104) deposited on the sacrificial layer or the substrate, a suspended active element (108) provided within an opening (106) in the support layer, a first vacuum-sealed cavity (110) and a second vacuum-sealed cavity (106) on opposite sides of the suspended active element. The first vacuum-sealed cavity (110) extends into the sacrificial layer (102) at the location of the suspended active element (108). The second vacuum-sealed cavity (106) comprises the opening of the support layer (104) closed by the bonded second wafer. The thermal detector further comprises front optics (120) for entrance of radiation from outside into one of the first and second vacuum-sealed cavities, a back reflector (112) arranged to reflect radiation back into the other one of the first and second vacuum-sealed cavities, and electrical connections (114) for connecting the suspended active element to a readout circuit (118).

9. 发明申请

WO2016057007A1 MONOLITHICALLY INTEGRATED MULTI-SENSOR DEVICE ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD THEREFOR 审中-公开
标题翻译：半导体基板上的单片集成多传感器器件及其方法
公开(公告)号：WO2016057007A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2014/026562
申请日：2014-03-13
申请人： GOGOI, Bishnu
发明人： GOGOI, Bishnu
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81B2201/0214 , B81B2201/0228 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/012 , B81B2207/05 , B81B2207/09 , H01L27/14 , H01L27/16 , H01L27/22 , H01L41/1132 , H01L41/1138 , H01L2924/00 , H05K7/02
摘要： An integrated circuit having an indirect sensor and a direct sensor formed on a common semiconductor substrate is disclosed. The direct sensor requires the parameter being measured to be directly applied to the direct sensor. Conversely, the indirect sensor can have the parameter being measured to be indirectly applied to the indirect sensor. The parameter being measured by the direct sensor is different than the parameter being measured by the indirect sensor. In other words, the direct sensor and indirect sensor are of different types. An example of a direct sensor is a pressure sensor. The pressure being measured by the pressure sensor must be applied to the pressure sensor. An example of an indirect sensor is an accelerometer. The rate of change of velocity does not have to be applied directly to the accelerometer. In one embodiment, the direct and indirect sensors are formed using photolithographic techniques.
摘要翻译：公开了一种具有间接传感器和形成在公共半导体衬底上的直接传感器的集成电路。直接传感器需要测量的参数直接应用于直接传感器。相反，间接传感器可以将被测量的参数间接地应用于间接传感器。由直接传感器测量的参数与由间接传感器测量的参数不同。换句话说，直接传感器和间接传感器是不同的类型。直接传感器的一个例子是压力传感器。由压力传感器测量的压力必须应用于压力传感器。间接传感器的一个例子是加速度计。速度变化率不必直接应用于加速度计。在一个实施例中，使用光刻技术形成直接和间接传感器。

10. 发明申请

WO2016009126A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF COMPRENANT UN BOÎTIER HERMÉTIQUE SOUS VIDE ET UN GETTER 审中-公开
标题翻译：用于制造包含真空密封的真空壳体和装置的装置的方法
公开(公告)号：WO2016009126A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/FR2015/051869
申请日：2015-07-07
申请人： ULIS
发明人： FAVIER, Jérôme , BUNEL, David
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , G01J5/20 , H01L23/564 , H01L31/186 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Un procédé de fabrication d'un dispositif ayant un composant microélectronique logé dans un boîtier hermétique sous vide, comprend la réalisation d'un piège à gaz dans ledit boîtier, le pompage et le chauffage du dispositif de manière à dégazer des éléments logés dans ledit boîtier, après ledit pompage, le scellement hermétique du boîtier sans utiliser de flux. En outre, chaque matériau constitutif du dispositif susceptible de dégazer dans le volume interne est un matériau minéral, le piège à gaz est apte à piéger sensiblement uniquement de l'hydrogène et est inerte à l'oxygène et/ou à l'azote et le chauffage et le scellement sont réalisés à une température inférieure à 300 °C.
摘要翻译：一种制造具有容纳在气密密封真空壳体中的微电子部件的装置的方法，包括在所述壳体中产生气阱，泵送和加热装置，以便在所述泵送之后从容纳在所述壳体中的元件释放气体，密封壳体而不使用助焊剂。此外，制造能够脱气到内部容积的装置的每种材料是矿物材料，气阱能够仅基本捕获氢并且对氧和/或氮是惰性的，并且加热和密封是在低于300℃的温度下进行。

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