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    • 2. 发明申请
    • 高周波用セラミックス基板および高周波用半導体素子収納パッケージ
    • 高频陶瓷基板和高频半导体元件收纳用包装
    • WO2018003332A1
    • 2018-01-04
    • PCT/JP2017/018389
    • 2017-05-16
    • NGKエレクトロデバイス株式会社日本碍子株式会社
    • 久保 昇後藤 直樹
    • H01L23/12H01L23/02H01L23/13H05K1/02
    • H01L23/66H01L23/02H01L23/057H01L23/13H01L23/15H01L23/49811H01L23/49838H01L2223/6638H05K1/02
    • 50GHzまでの高周波信号を好適に伝送することができ、かつ、高い信頼性を有する高周波用セラミックス基板を提供する。 平板状のセラミックス基板2と、このセラミックス基板2の裏面側の縁端近傍に接合される一対のグランド線(G)3と、一対のグランド線(G)3を接合するための第1のリードパッド電極5と、一対のグランド線(G)3の間に接合される少なくとも一対の信号線(S)4と、それぞれの信号線(S)の接合位置に被着される第2のリードパッド電極6と、第2のリードパッド電極6間に形成される溝状の座刳り部7aとを有し、一対の信号線(S)4は1の差動信号線18をなし、第1のリードパッド電極5の第1の側縁5aと第2のリードパッド電極6の第2の側縁6aとの間隔をL GS と、第2の側縁6a間の間隔をL SS がL SS <2L GS を満たすことを特徴とする高周波用セラミックス基板1Aによる。
    • 可以适当地传输高频信号高达50 GHz,并提供具有高可靠性的高频陶瓷基板。 一种平面陶瓷基片2,在边缘的背表面侧的一对接地线这是在(G)的附近加入3,用于接合一对接地线(G)的第一引线3的陶瓷基片2 焊盘电极5,第2引线焊盘沉积在至少一对的信号线是3和(S)4之间加入了对接地线(G)的键合位置,各信号线的(S) 电极6和第二引线焊盘电极6之间形成的槽状座埋头孔部7a,一对信号线(S)4所形成的第一差分信号线18,第一 第一侧边缘5a的第二侧边缘6a和引线焊盘电极5和L <子> GS 时,第二侧缘6a之间的间隔的第二引线焊盘电极6之间的距离 将L <子> SS 为L <子> SS <高频陶瓷基板,并且满足2L <子> GS 按照A.

    • 3. 发明申请
    • 接続基板
    • 连接板
    • WO2017154422A1
    • 2017-09-14
    • PCT/JP2017/003554
    • 2017-02-01
    • 日本碍子株式会社
    • 宮澤 杉夫高垣 達朗井出 晃啓
    • H05K1/11H01L23/13
    • H05K3/4061H01L23/15H05K1/0271H05K3/26H05K2201/0209H05K2201/0959H05K2203/0793
    • 接続基板は、貫通孔が設けられているセラミック基板、および貫通孔中に設けられた貫通導体11であって、第一の主面11aと第二の主面11bとを有する貫通導体を備える。貫通導体11が、第一の主面11aに連通する第一の開気孔16A、16Dおよび第二の主面11bに連通する第二の開気孔16Bが設けられた金属多孔体20、第一の開気孔16A、16D内に形成された第一のガラス相17、19、第二の開気孔16B内に形成された第二のガラス相17B、第一の開気孔内に設けられた第一の空隙30、および第二の開気孔16B内に設けられた第二の空隙32を有する。第一の空隙30が第一の主面に連通しない閉空隙である。第二の空隙32が第二の主面11bに連通する開空隙である。
    • 连接基板是设置有通孔和设置在该通孔中的贯通导体11的陶瓷基板,并且第一主表面11a和第二主表面11b 还有一个穿透性导体。 贯通导体11包括金属多孔体20,该金属多孔体20设置有与第一主表面11a连通的第一开放孔16A和16D以及与第二主表面11b连通的第二开放孔16B, 形成在开孔16A,16D中的第一玻璃相17,19,形成在第二开孔16B中的第二玻璃相17B,形成在第一开孔中的第一玻璃相17B, 间隙30和设置在第二开放孔16B中的第二间隙32。 第一气隙30是不与第一主表面连通的闭合气隙。 并且第二间隙32是与第二主表面11b连通的开放空间。