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1. 发明申请

WO2019039883A1 세라믹 기판 제조방법 및 세라믹 기판 审中-公开
公开(公告)号：WO2019039883A1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：PCT/KR2018/009722
申请日：2018-08-23
申请人： 주식회사 아모센스
发明人： 이지형 , 박익성 , 조현춘
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/06
摘要： 본 발명은 세라믹 기재의 양 면에 금속층을 접합하는 단계, 상기 금속층에 제 1 전극층과 상기 제 1 전극층보다 큰 부피를 가지는 제 2 전극층을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층의 부피를 계산하는 단계 및 상기 제 2 전극층의 두께를 조절하여 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층의 부피 차이에 의해 발생하는 휨(warpage) 형상을 제어하는 단계를 포함하는 세라믹 기판 제조방법으로서, 본 발명에 의하면, 기재의 양 면의 금속층이 차지하는 부피의 차이에 의해 발생되는 휨(warpage) 현상을 제어하여 세라믹 기판의 불량률을 줄일 수 있게 한다.

2. 发明申请

WO2017222235A1 세라믹 기판 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：陶瓷基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2017222235A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/KR2017/006207
申请日：2017-06-14
申请人： 주식회사 아모센스
发明人： 이지형 , 박익성 , 조현춘
IPC分类号： H05K3/38 , H05K1/03 , H05K3/06 , H05K1/02 , H05K7/20 , H05K3/20
CPC分类号： H05K3/388 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K3/0079 , H05K3/061 , H05K2203/0346 , H05K2203/0528 , H05K2203/0789
摘要： 본 발명의 일 실시예는 세라믹 기재에 접합되는 금속층의 외주에 경사 돌출부를 형성하여 접합 강도가 증가하도록 한 세라믹 기판 및 그 제조방법을 제시한다. 경사 돌출부는 세라믹 기재에 접합되는 금속층과 인접한 다른 금속층들과의 간격에 따라 금속층의 외주에 테이퍼 돌출부 및 다단 돌출부를 형성할 수도 있으며, 금속층의 외주 중 단변, 꼭지점, 모서리 등과 같이 스트레스(stress)가 집중되는 외주에 세라믹 기재와 설정 각도 범위 이내의 경사를 갖는 다단 돌출부를 형성하고, 나머지 외주에 테이퍼 돌출부를 형성할 수도 있다. 상기 세라믹 기판 및 그 제조방법은 종래의 딤플형 세라믹 AMB 기판에 비해 금속층의 면적이 증가하여 전기전도도, 열저항 등의 전기적 특성이 향상되면서, 종래의 딤플형 세라믹 AMB 기판과 동등하거나 상대적으로 높은 수준의 내균열성, 내분리성, 접합강도를 유지할 수 있으므로, 사용수명을 연장하면서 신뢰성을 확보할 수 있고, 미세패턴에도 적용할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：
本发明，以形成在所述金属层，其被结合到陶瓷基体的外周上的倾斜突起的一个实施例提出了一种陶瓷基片及其制造以便增加键合强度的方法。斜投影也可以形成锥形突出部和在该金属层的根据邻近金属层，其被接合到陶瓷基板上，所述应力（应力）时，其他金属层之间的间隔的外周的多级投影诸如短边，顶点，金属层的边缘处的外周形成具有陶瓷基体和外周部，以集中的设置范围内的倾斜角的多级投影，并且可以形成一个锥形突起到外周的其余部分。陶瓷基板和与传统的凹坑型陶瓷AMB基板的导电性，以及改善的电性能，如耐热性，传统的凹坑型陶瓷AMB和等于或相对高度的底物相比，在金属层的面积越大及其制造方法可以在延长使用寿命的同时保持可靠性，并且也适用于精细图案。

3. 发明申请

WO2022270960A1 파워모듈 审中-公开
公开(公告)号：WO2022270960A1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：PCT/KR2022/008991
申请日：2022-06-24
申请人： 주식회사 아모센스
发明人： 빈진혁 , 조현춘 , 조태호 , 여인태 , 박익성 , 박승곤
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/48 , H01L23/00
摘要： 본 발명은 파워모듈에 관한 것으로, 베이스 플레이트와, 베이스 플레이트의 상면에 접합된 세라믹기판과, 세라믹기판의 상면에 접합된 반도체 칩과, 반도체 칩과 이격되게 세라믹기판의 상면에 접합된 스페이서와, 스페이서의 상면에 형성된 전극층에 설치된 연결핀과, 반도체 칩의 단자와 스페이서의 전극층을 연결하는 와이어 본딩을 포함한다.

4. 发明申请

WO2019088637A1 양면 세라믹 기판 제조방법, 그 제조방법에 의해 제조되는 양면 세라믹 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 审中-公开
公开(公告)号：WO2019088637A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/012980
申请日：2018-10-30
申请人： 주식회사 아모센스
发明人： 조현춘 , 박익성 , 이준태
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/498 , H01L21/027 , H01L23/31 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/027 , H01L21/321 , H01L23/15 , H01L23/31 , H01L23/498
摘要： 본 발명은 세라믹 그린시트에 형성시킨 비아홀(via hole)에 금속 페이스트(paste)를 충진하는 단계 및 상기 금속 페이스트를 충진하는 단계에 의해 충진된 금속 페이스트를 용융하는 단계를 포함하는 양면 세라믹 기판 제조방법으로서, 본 발명에 의하면, 비아홀 내부에 기포나 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

5. 发明申请

WO2017155310A1 세라믹 기판의 비아홀 충진 방법 및 이를 이용하여 충진된 세라믹 기판의 비아홀 충진체 审中-公开
标题翻译：一种用于填充陶瓷衬底中的通孔的方法和一种用于在填充的陶瓷衬底中填充通孔的方法
公开(公告)号：WO2017155310A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/KR2017/002529
申请日：2017-03-08
申请人： 주식회사 아모센스
发明人： 우경환 , 박익성 , 조현춘
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/48 , H01L21/268 , H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/285
摘要： 본 발명은 세라믹 기판의 비아홀 충진 방법 및 이를 이용하여 충진된 세라믹 기판의 비아홀 충진체에 관한 것으로 세라믹 기재에 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀 내에 도전체를 형성한 후 진공 상태에서 상기 도전체를 멜팅시키고 다시 냉각시킴으로써 세라믹 기판의 비아홀을 기공없이 간단하게 도전체로 충진시킬 수 있어 세라믹 기판의 제조과정을 단순화하고, 제조 비용을 절감하며, 세라믹 기판의 작동 신뢰성을 향상시키고, 고전력 반도체 모듈에서 사용 시 안정적인 작동 신뢰성을 확보한다.
摘要翻译：本发明涉及一种通过在陶瓷基板上形成通路孔，在通路孔内形成导体来填充陶瓷基板中的通路孔和填充该陶瓷基板的陶瓷基板的通路孔填充体的方法，陶瓷基板的通孔可以容易地填充导电材料而没有孔隙，从而简化了陶瓷基板的制造工艺，降低了制造成本，提高了陶瓷基板的操作可靠性，确保在大功率半导体模块中使用时的可靠运行可靠性。

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