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1. 发明申请

WO2007129579A1 基板処理方法、コンピュータ可読記録媒体、基板処理装置、および基板処理システム审中-公开
标题翻译：基板处理方法，计算机可读记录介质，基板处理装置和基板处理系统
公开(公告)号：WO2007129579A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/JP2007/058955
申请日：2007-04-25
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 有賀美輝 , 山▲崎▼ 和良 , 青山真太郎 , 下村晃司
发明人：有賀美輝 , 山▲崎▼ 和良 , 青山真太郎 , 下村晃司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3144 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31641 , H01L29/518
摘要：　基板処理方法は、高誘電体膜に窒素原子を導入する第１の処理位置と、前記高誘電体膜を熱処理する第２の処理位置とを備えた枚葉式基板処理装置において、複数の被処理基板を一枚ずつ、前記第1および第２の処理位置に順次搬送し、前記被処理基板上の高誘電体膜に対して前記窒素原子導入処理および前記熱処理を順次行い、前記被処理基板は前記第1の処理位置での処理の後、前記第２の処理位置において、３０秒以内に処理を開始される。
摘要翻译：一种基板处理方法，其特征在于，使用具有用于在高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置的片材进给基板处理装置和用于高介电膜的热处理的第二处理位置，顺序地输送将待处理的多个基板一个接一个地处理到第一处理位置和第二处理位置，从而对要处理的基板的高电介质膜依次进行氮原子引入处理和加热处理，其中在第一处理位置处理之后，在第二处理位置处理所得到的基材在30秒内开始。

2. 发明申请

WO2007043312A1 金属シリケート膜の形成方法及び記録媒体审中-公开
标题翻译：金属硅酸盐膜形成和记录介质的方法
公开(公告)号：WO2007043312A1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/JP2006/318864
申请日：2006-09-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 青山真太郎 , 高橋毅 , 下村晃司 , 有賀美輝
发明人：青山真太郎 , 高橋毅 , 下村晃司 , 有賀美輝
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02148 , C23C16/0272 , C23C16/401 , C23C16/45536 , C23C16/56 , H01L21/02052 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/31645 , H01L21/318
摘要：　シリコン基板上への高誘電体膜の形成方法は、前記シリコン基板表面を希フッ酸処理する工程と、前記希フッ酸処理工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆと窒素を含む有機金属原料を供給し、ＨｆＮの核形成を行う工程と、前記核形成工程の後、前記シリコン基板表面に、Ｈｆを含む有機金属原料とＳｉを含む有機原料とを供給し、Ｈｆシリケート膜をＣＶＤ法により成膜する工程とを含む。
摘要翻译：本发明提供了一种在硅衬底上形成高电介质膜的方法，包括以下步骤：用稀氢氟酸处理硅衬底的表面，在稀氢氟酸处理步骤之后，加入含有Hf的有机金属材料和在硅衬底的表面上形成氮以形成HfN的核，在成核步骤之后，将含Hf的有机金属材料和含Si的有机材料进料到硅衬底的表面上，以通过CVD形成Hf硅酸盐膜。

3. 发明申请

WO2007049415A1 金属シリケート膜の形成方法および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：形成金属硅酸盐膜的方法和生产半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007049415A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/JP2006/318865
申请日：2006-09-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 青山真太郎 , 高橋毅 , 下村晃司 , 有賀美輝
发明人：青山真太郎 , 高橋毅 , 下村晃司 , 有賀美輝
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/3141 , C23C16/42 , H01L21/31645
摘要：　有機金属ＣＶＤ法によるシリコン基板上への金属シリケート膜の形成方法であって、前記シリコン基板表面に、前記金属シリケート膜を構成する金属元素を含む有機金属化合物よりなる第１の気相原料と有機シリコン化合物よりなる第２の気相原料とを供給する第1の工程と、前記第１の気相原料と前記第２の気相原料とを前記シリコン基板表面にて分解し、金属シリケート膜を形成する第２の工程とを、繰り返し実行し、その際、前記金属シリケート膜を、繰り返し毎に、０．５ｎｍ以上、２ｎｍ以下の膜厚で形成する。
摘要翻译：一种根据有机金属CVD技术在硅衬底上形成金属硅酸盐膜的方法，包括重复进行第一步骤，该第一步骤是由含有用于构成金属硅酸盐膜的金属元素的有机金属化合物组成的第一气相原料，以及在硅衬底的表面上由有机硅化合物构成的第二气相原料，在硅衬底的表面上分解第一气相原料和第二气相原料的第二工序，金属硅酸盐膜，其中在每次重复的情况下，金属硅酸盐膜形成为具有0.5至2nm的膜厚度。

4. 发明申请

WO2005098961A1 ゲート絶縁膜の形成方法、記憶媒体、及びコンピュータプログラム审中-公开
标题翻译：形成绝缘膜的方法，存储介质和计算机程序
公开(公告)号：WO2005098961A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/007043
申请日：2005-04-11
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 高橋毅 , 下村晃司 , 中村源志 , 青山真太郎 , 山崎和良
发明人：高橋毅 , 下村晃司 , 中村源志 , 青山真太郎 , 山崎和良
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/3143 , H01L21/316 , H01L21/31608 , H01L21/31645 , H01L29/518
摘要：　ＳｉＯ２容量換算膜厚が１．４５ｎｍ以下のハフニウムシリケート系材料からなるゲート絶縁膜４をシリコン基板１上に形成する方法が開示される。この方法は、シリコン基板１の表面を洗浄し実質的に酸素が存在しない清浄面にする工程と、アミド系有機ハフニウム化合物とシリコン含有原料とを用いたＣＶＤプロセスにより、シリコン基板１の清浄面にハフニウムシリケート膜２を成膜する工程と、ハフニウムシリケート膜２に酸化処理を施す工程と、酸化処理を施した後のハフニウムシリケート膜２に窒化処理を施す工程とを有する。この方法によれば、膜厚が薄いても表面ラフネスが良好なゲート絶縁膜が得られる。
摘要翻译：一种在硅衬底（1）上形成SiO 2电容转换膜厚<= 1.45nm的硅酸铪材料的栅极绝缘膜（4）的方法。该方法包括清洗硅衬底（1）的表面从而获得其中基本上不存在氧的清洁表面的步骤; 通过使用酰胺有机铪化合物和硅原料的CVD工艺，在硅衬底（1）的清洁表面上形成硅酸铪膜（2）; 氧化硅酸铪膜（2）; 并对经过氧化的硅酸铪膜（2）进行氮化。通过该方法，可以获得即使膜薄的栅极绝缘膜，表面粗糙度也优异。

5. 发明申请

WO2009122913A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理设备
公开(公告)号：WO2009122913A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/055325
申请日：2009-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 青山真太郎 , 下村晃司 , 小林仙尚
发明人：青山真太郎 , 下村晃司 , 小林仙尚
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109
摘要：　被処理体Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置において、被処理体が収容可能になされた処理容器６と、被処理体を支持する支持手段３８と、処理容器の天井部に設けられた第１の照射窓２６Ａと、第１の照射窓の外側に設けられて加熱用の熱線を発する第１の加熱手段２８Ａと、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段１２と、処理容器内の雰囲気を排気する排気手段２０と、支持手段と前記第１の照射窓との間に設けられて、その一部に熱線の一部、或いは全部を遮断するための遮光部８６が形成された膜防着部材８０とを備える。これにより、照射窓に曇りが発生することを防止しつつ熱処理後における薄膜の膜厚の面内均一性を高く維持することができる。
摘要翻译：本发明提供一种对待治疗对象（W）进行热处理的热处理装置。该设备设置有治疗容器（6），其中可以存储待治疗的对象; 用于支撑所述对象的支撑装置（38）布置在处理容器的天花板部分上的第一辐射窗口（26A）; 第一加热装置（28A），其布置在第一辐射窗外部并产生用于加热的热射线; 供给装置（12），其将规定气体供给到处理容器内; 用于将处理容器中的气氛释放到外部的空气释放装置（20）以及设置在所述支撑装置和所述第一照射窗之间的膜粘附防止构件（80），并且在所述构件的一部分上设置有用于部分地或全部地阻挡所述热射线的遮光部（86）。因此，在消除照射窗的不清楚的同时，可以高度保持热处理后的薄膜的面内厚度均匀性。

6. 发明申请

WO2009119148A1 成膜方法および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2009119148A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/051090
申请日：2009-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 下村晃司 , 上野哲嗣 , 青山真太郎 , 中村源志
发明人：下村晃司 , 上野哲嗣 , 青山真太郎 , 中村源志
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/205 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/31645 , H01L21/28194 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78
摘要：　成膜方法は、シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングし、前記酸化膜により界面酸化膜を、ＸＰＳ法で測定した前記界面酸化膜の膜厚が６．７Å以下で６．０Å以上となるように形成する工程と、前記界面酸化膜上にＨｆＯ 2 膜を、ＭＯＣＶＤ法により、酸化雰囲気中において形成する工程と、を含む。
摘要翻译：一种成膜方法包括在硅衬底的表面上形成氧化膜的步骤; 通过使用氧化膜蚀刻氧化膜并形成界面氧化膜的步骤，使得通过XPS法测量的界面氧化膜的厚度为6.7或更小但不小于6.0; 以及通过MOCVD法在氧化气氛中在界面氧化膜上形成HfO 2膜的工序。

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