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1. 发明申请

WO2008047635A1 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008047635A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069716
申请日：2007-10-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 吹上紀明 , 加藤良裕 , 有門経敏
发明人：吹上紀明 , 加藤良裕 , 有門経敏
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/30 , H01L21/28518 , H01L21/76802 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　素子構造部にダメージを与えずに側壁スペーサ膜等を除去する。　半導体装置の製造方法は、被処理基体２１上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成する工程と、当該第２１の薄膜の一部を除去して残部３０を形成する工程と、前記第１の薄膜の除去された空間を介して前記被処理基体２１に所定の処理を施す処理工程と、を備えている。
摘要翻译：侧壁间隔膜等被去除而不损坏装置结构部分。具体公开了一种制造半导体器件的方法，其包括在待加工的衬底（21）上形成由GeCOH或GeCH组成的第一薄膜的步骤，用于去除第一薄膜的一部分并获得剩余部分（30）和用于通过去除第一薄膜而形成的空间在基板（21）上进行某种处理的处理步骤。

2. 发明申请

WO2009104507A1 薄膜およびその薄膜を用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜和薄膜制造半导体器件的薄膜及方法
公开(公告)号：WO2009104507A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/052301
申请日：2009-02-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 加藤良裕 , 吹上紀明
发明人：加藤良裕 , 吹上紀明
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/34 , C23C16/36 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L21/823835 , H01L21/823864 , H01L29/665 , H01L29/6653
摘要：　半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、この薄膜は、ゲルマニウム、珪素、窒素、及び水素を含む。
摘要翻译：公开了一种用于半导体器件的制造工艺中的薄膜。该薄膜含有锗，硅，氮和氢。

3. 发明申请

WO2008146638A1 薄膜およびその薄膜を用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜和薄膜制造半导体器件的薄膜及方法
公开(公告)号：WO2008146638A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/059129
申请日：2008-05-19
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 加藤良裕 , 吹上紀明
发明人：加藤良裕 , 吹上紀明
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/522 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/28518 , H01L21/31111 , H01L21/31604 , H01L21/76829 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、半導体基板上に形成され、特定の機能に使用した後、除去可能な、珪素、ゲルマニウム、および酸素を含む薄膜、およびその薄膜を用いた半導体製造方法に関わる。
摘要翻译：提供了用于制造半导体器件的工艺中的薄膜。薄膜形成在半导体基板上，并且可以在用于特定功能之后被去除。该薄膜包括硅，锗和氧。还提供了使用这种薄膜的半导体器件制造方法。

4. 发明申请

WO2008111398A1 蒸着装置の制御装置および蒸着装置の制御方法审中-公开
标题翻译：用于控制沉积装置的装置和控制沉积装置的方法
公开(公告)号：WO2008111398A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/JP2008/053401
申请日：2008-02-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 生田浩之 , 吹上紀明
发明人：生田浩之 , 吹上紀明
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/545 , C23C14/228 , C23C14/246 , C23C14/56 , H01L51/001
摘要：【課題】成膜速度を精度良く制御する。【解決手段】蒸着源１１０にて気化された成膜材料により基板Ｇを成膜処理する蒸着装置１００の制御装置７００であって、制御装置７００の記憶部７１０は、成膜速度とキャリアガスの流量との関係を示した複数のテーブルを記憶する。テーブル選択部７５０は、プロセス条件に基づき、記憶部７１０に記憶された複数のテーブルから、所望のテーブルを選択する。成膜コントローラ２００は、成膜材料の気化速度を検出するためのＱＣＭ１８０から出力された信号に基づき、基板Ｇへの成膜速度を求める。キャリアガス調整部７６０は、記憶部７１０に記憶されたテーブルに示された成膜速度とキャリアガスの流量との関係を示すデータを用いて、成膜コントローラ２００により求められた成膜速度と目標とする成膜速度との偏差に応じて所望の成膜速度を得るためにキャリアガスの流量を調整する。
摘要翻译： [问题]精确地控制成膜速度。解决问题的手段对于通过使用在沉积源（110）蒸发的成膜材料对基板（G）进行成膜处理的沉积设备（100），设置有控制装置（700）。控制装置（700）的存储部（710）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表。表格选择部分（750）基于处理条件从存储在存储部分（710）中的表格中选择期望的表格。成膜控制器（200）基于从用于检测成膜材料的蒸发速度的QCM（180）输出的信号，获得基板（G）的成膜速度。载气调整部（760）使用关于成膜速度与存储在存储部（710）中的工作台上指示的载气流量之间的关系的数据，调整载气的流量，得到期望的成膜速度对应于由成膜控制器（200）获得的成膜速度与目标成膜速度之间的偏差。

5. 发明申请

WO2008105255A1 プラズマ処理装置のクリーニング方法、そのクリーニング方法を実行するプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を実行するプログラムを記憶する記憶媒体审中-公开
标题翻译：清洁等离子体处理装置的方法，实施清洁方法的等离子体处理装置以及执行清洁方法的记忆介质程序
公开(公告)号：WO2008105255A1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：PCT/JP2008/052650
申请日：2008-02-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 吹上紀明 , 河本慎二 , 高場裕之 , 石橋清隆
发明人：吹上紀明 , 河本慎二 , 高場裕之 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862
摘要：　真空引き可能になされた処理容器３２内にて被処理体Ｗに対してプラズマを用いてプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置のクリーニング方法において、処理容器内にクリーニングガスを供給しつつプラズマを発生させて処理容器内を第１の圧力に維持してクリーニングを行う第１のクリーニング工程と、処理容器内にクリーニングガスを供給しつつプラズマを発生させて処理容器内を第１の圧力よりも高い第２の圧力に維持してクリーニングを行う第２のクリーニング工程とを有する。これにより、処理容器の内壁面や処理容器内の部材に損傷を与えることなく、クリーニングを効率的に、且つ迅速に行う。
摘要翻译：一种清洗等离子体处理装置的方法，该等离子体处理装置包括能够抽真空的处理容器（32），其中用等离子体处理工件（W）。该方法包括：第一清洗步骤，其中在向处理容器提供清洁气体的同时产生等离子体，并且处理容器内的压力保持在第一压力，从而清洁容器; 以及第二清洗步骤，其中在向处理容器提供清洁气体时产生等离子体，并且处理容器内部的压力保持在高于第一压力的第二压力以清洁容器。处理容器被有效且快速地清洁，而不会损坏处理容器的内壁表面或存在于容器中的构件。

6. 发明申请

WO2008038821A1 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法、蒸着装置の使用方法および吹き出し口の製造方法审中-公开
标题翻译：沉积装置，沉积装置控制装置，沉积装置控制方法，使用方法和出口制造方法的沉积装置
公开(公告)号：WO2008038821A1
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：PCT/JP2007/069167
申请日：2007-10-01
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 周藤賢治 , 生田浩之 , 吹上紀明
发明人：周藤賢治 , 生田浩之 , 吹上紀明
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/544 , H01L51/001 , H01L51/50 , Y10T29/49
摘要：蒸着装置１０は、蒸着源２１０と輸送路１１０ｅ２１と吹き出し容器１１０と第１の処理容器１００とを有する。輸送路１１０ｅ２１は、連結路２２０ｅを介して蒸着源２１０に連結され、蒸着源２１０にて気化された成膜材料を輸送する。吹き出し口１１０ｅ１１は、メタルポーラスにて形成され、輸送路１１０ｅ２１を介して緩衝空間Ｓを通過した成膜材料を吹き出す。第１の処理容器１００は、吹き出された成膜材料により被処理体Ｇ上に成膜処理を施す。メタルポーラスから均一性の高い気体分子が放出されることにより、被処理体Ｇと吹き出し口１１０ｅ１との間隔を短くすることができる。
摘要翻译：沉积设备（10）设置有沉积源（210），输送路径（110e21），吹出容器（110）和第一处理容器（100）。传送路径（110e21）通过连接路径（220e）连接到沉积源（210），并且传送在沉积源（210）处蒸发的成膜材料。出口（110e11）由金属多孔材料形成，并且通过传送路径（110e21）吹出通过缓冲空间（S）的成膜材料。在第一处理容器（100）中，通过使用吹出成膜材料在被加工物（G）上形成膜。由于高度均匀的气体分子从金属多孔材料排出，所以被检体（G）和出口（110e1）之间的间隙可能很短。

7. 发明申请

WO2008001853A1 プラズマ処理方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和设备
公开(公告)号：WO2008001853A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/063013
申请日：2007-06-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 吹上紀明
发明人：吹上紀明
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/52 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/00 , H01J37/32211 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　処理容器内へ不活性ガスと処理ガスとを供給してプラズマの存在下にて被処理体Ｗに対して所定の処理例えば成膜処理を施すにあたって、処理容器内へ不活性ガスの供給を開始して処理容器内の圧力をプラズマが着火できるような圧力に設定する着火圧力設定工程と、処理容器内への処理ガスの供給を開始すると共に、処理ガスの分圧の増大によってプラズマが着火不能になる前にプラズマを着火するプラズマ着火工程と、処理容器内の圧力を前記所定の処理を行うためのプロセス圧力に変化させる圧力調整工程と、プラズマを着火して維持するために供給しているプラズマ電力を前記所定の処理を行うためのプラズマ電力の値に変更して前記所定の処理を行う処理実行工程と、を順次実施する。処理実行工程の開始直後から前記所定の処理が被処理体に有効に施されるため、スループットを大幅に向上させることができる。
摘要翻译：当预定的处理，例如在等离子体存在下通过向处理容器供给惰性气体和处理气体而在工件（W）上进行成膜处理，将处理容器中的压力设定为能够通过开始惰性而点燃等离子体的压力的步骤气体供应到处理容器中，用于开始处理气体供应到处理容器中并在由于处理气体的分压增加而变得不可燃之前点燃等离子体的步骤，用于将处理容器中的压力调节到用于执行预定处理的处理压力，以及用于通过改变为了点燃和维持等离子体而提供的等离子体功率到执行预定处理的等离子体功率的值而执行预定处理的步骤。由于在开始执行预定处理的步骤之后立即在工件上有效地执行预定处理，所以可以大幅提高生产量。

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