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1. 发明申请

WO2006038623A1 プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置审中-公开
标题翻译：等离子体膜形成方法和等离子体膜形成装置
公开(公告)号：WO2006038623A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018364
申请日：2005-10-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小林保男 , 太田与洋 , 康松潤 , 沢田郁夫
发明人：小林保男 , 太田与洋 , 康松潤 , 沢田郁夫
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/26
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要：　気密な処理容器（１）内に載置された基板（Ｗ）に対し、ラジアルラインスロットアンテナ（４）にマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理容器内の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給部材（３）の対向面との間の距離（Ｌ１）が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板表面と放電ガス供給部材（２）との距離（Ｌ２）が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件を設定する。その条件下で、環状Ｃ 5 Ｆ 8 ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化する。これにより、Ｃ 4 Ｆ 6 のイオンやラジカルを多く含む成膜種が得られる。これによりリーク特性や熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を成膜する。
摘要翻译：通过向径向线槽天线（4）引入微波，在放置在气密处理容器（1）的基板（W）上产生等离子体。这样的条件被设定为处理容器的压力为7.32Pa至8.65Pa，微波功率为2000W至2300W，衬底表面与材料气体供应构件（3）的相对表面之间的距离（L1）为70mm 通过105mm，衬底表面和放电气体供应构件（2）之间的距离（L2）为100mm至140mm。在这些条件下，由循环C

2. 发明申请

WO2008087843A1 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备，等离子体处理方法和储存介质
公开(公告)号：WO2008087843A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/JP2007/075076
申请日：2007-12-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 沢田郁夫 , ヴェンツェックピーター , 大下辰郎 , 松崎和愛 , 康松潤
发明人：沢田郁夫 , ヴェンツェックピーター , 大下辰郎 , 松崎和愛 , 康松潤
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01J37/32541
摘要：　処理容器の側壁の温度制御性が良好であり、またプラズマによる基板へのダメージを抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。プラズマ処理装置１は、処理容器１１の上部に載置台２と対向するように設けられた第１の電極３１及び第２の電極３２と、これら第１の電極３１及び第２の電極３２の間に処理ガスを供給するためのガス供給部４と、第１の電極３１及び第２の電極３２の間に供給された処理ガスをプラズマ化するためにこれら電極３１、３２の間に高周波電力を印加する高周波電源部３３と、処理容器１１の下部から処理容器１１内の雰囲気を真空排気する排気装置１４とを備えている。載置台２上の基板Ｂ付近ではプラズマの電子温度が低くなり、プラズマが基板Ｂに与えるダメージを抑えることができ、また処理容器１１の材質として金属を用いることができるので、その温度制御性が良好である。
摘要翻译：公开了一种等离子体处理装置，其在处理容器的侧壁中获得良好的温度可控性，并且抑制了通过等离子体对基板的损坏。具体公开了一种等离子体处理装置（1），其包括第一电极（31）和第二电极（32），所述第一电极（31）和第二电极（32）被布置在处理容器（11）的上部以面向台（2），气体供应单元（4），用于在第一电极（31）和第二电极（32）之间提供处理气体;高频电源单元（33），用于在第一电极（31）和第二电极电极（32），用于将在电极（31,32）之间供给的工艺气体改变为等离子体;以及抽真空系统（14），用于从处理容器的下部真空排空处理容器（11）内的气氛 11）。由于在载物台（2）上的基板B附近的等离子体中的电子温度低，所以能够抑制由等离子体引起的对基板B的损伤。此外，由于金属可以用作处理容器（11）的材料，处理容器（11）可以具有良好的温度可控性。

3. 发明申请

WO2009041629A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2009041629A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/067513
申请日：2008-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 太田龍作 , 足立光 , 中西敏雄 , 植田篤 , 康松潤 , モルズポール , ヴェンツェックピーター
发明人：太田龍作 , 足立光 , 中西敏雄 , 植田篤 , 康松潤 , モルズポール , ヴェンツェックピーター
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229
摘要：　スロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置１００は、扁平導波管を構成する平面アンテナ板３１および導電性部材からなるカバー３４を備える。カバー３４に、扁平導波管内の電界分布を調整するための第２の導波管としてのスタブ４３を備えている。スタブ４３は、導電性部材からなるカバー３４が設けられている。スタブ４３は、平面視で、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と重なる位置に配置されている。スタブ４３の適正な配置により、扁平導波管内の電界分布を制御して均一なプラズマを生成することができる。
摘要翻译：缝隙天线型微波等离子体处理装置（100）包括构成平坦波导的平面天线板（31）和由导电部件形成的盖（34）。盖（34）具有作为用于调整平面波导中的场分布的第二波导的短截线（43）。当从上方观察时，短截线体（43）被布置在叠置有构成设置在平面天线板（31）的最外周的槽对的槽（32）的位置。通过适当地布置短截线（43），可以控制平坦波导中的场分布并产生均匀的等离子体。

4. 发明申请

WO2009008474A1 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2009008474A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/JP2008/062477
申请日：2008-07-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 高橋哲朗 , 藤野豊 , 戸島宏至 , 久保敦史 , 康松潤 , ヴェンツェックピーター , 瀬川澄江
发明人：高橋哲朗 , 藤野豊 , 戸島宏至 , 久保敦史 , 康松潤 , ヴェンツェックピーター , 瀬川澄江
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
摘要：　チャンバー内にウエハを配置し、チャンバー内にプラズマ生成空間を形成し、そのプラズマ生成空間に少なくともウエハの表面を接触させた状態でウエハの表面にプラズマ処理を施すにあたり、ウエハの裏面側の少なくとも外周部分にプラズマ生成空間が接触するようにしてプラズマ処理を施す。
摘要翻译：将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理空间。等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。

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