专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2008004379A1 シリコンウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：硅胶制造方法
公开(公告)号：WO2008004379A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/JP2007/060601
申请日：2007-05-24
申请人：信越半導体株式会社 , 曲偉峰
发明人：曲偉峰
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：　本発明は、少なくとも、雰囲気ガス中でシリコンウェーハにＲＴＡ熱処理を施す工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、前記雰囲気ガスとして窒素ガスを用い、これに１００ｐｐｍ未満の濃度の酸素を混入させたものを用いて熱処理をすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。これにより、シリコンウェーハに施すＲＴＡ熱処理の低温化又は短時間化を図り、シリコンウェーハのスリップ転位の発生を抑制すると共に、ＮＨ３を使用することなく、シリコンウェーハ内部に空孔を形成し、高品質なシリコンウェーハを製造する方法が提供される。　
摘要翻译：本发明提供一种至少在气氛气体中对硅晶片进行RTA热处理的步骤的硅晶片制造方法。该方法的特征在于使用氮气作为气氛气体，并且通过使用通过将浓度小于100ppm的氧与氮气混合而制备的气体进行热处理。因此，对硅晶片进行的RTA热处理的温度和时间减少，硅晶片的滑移位错的产生被抑制，在硅晶片内形成空穴，而不使用NH 3 ，并制造出高质量的硅晶片。

2. 发明申请

WO2003021660A1 アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ审中-公开
标题翻译： ANNEAL WAFER和ANNEAL WAFER的生产方法
公开(公告)号：WO2003021660A1
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/JP2002/008516
申请日：2002-08-23
申请人：信越半導体株式会社 , 小林徳弘 , 玉塚正郎 , 名古屋孝俊 , 曲偉峰
发明人：小林徳弘 , 玉塚正郎 , 名古屋孝俊 , 曲偉峰
IPC分类号： H01L21/332
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/3225 , H01L21/324
摘要： A production method for an anneal wafer comprising the step of subjecting a silicon single−crystal wafer fabricated by a Czochralski (CZ) method to a high−temperature annealing under an atmosphere of argon gas, hydrogen gas or a mixture of these gases at 1100−1350°C for 10−600 min, characterized in that, during the annealing, the silicon single−crystal wafer is supported by a support jig only in a region at least 5 mm away from the outer peripheral edge of the wafer toward the center of the wafer, and pre−annealing is performed, before the high−temperature annealing, at temperatures lower than the high−temperature annealing temperature to grow oxygen deposits. Accordingly, it is possible to provide a production method for an anneal wafer and an anneal wafer capable of restricting slip dislocation occurring at the high−temperature annealing even if a silicon single−crystal wafer having a diameter as large as at least 300 mm is used.
摘要翻译： 1.一种退火晶片的制造方法，其特征在于，在1100℃的氩气，氢气或这些气体的混合气氛下，对由Czochralski（CZ）法制造的硅单晶片进行高温退火， 1350℃进行10-600分钟，其特征在于，在退火期间，硅单晶晶片仅在距离晶片的外周边缘至少5mm的区域中支撑在支撑夹具上，朝向中心在高温退火之前，在低于高温退火温度的温度下进行晶片和预退火以生长氧沉积物。因此，即使使用直径至少为300mm的硅单晶晶片，也可以提供能够限制高温退火时发生的滑移位错的退火晶片和退火晶片的制造方法。

3. 发明申请

WO2003003441A1 アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ审中-公开
标题翻译： ANNEAL WAFER和ANNEAL WAFER的生产方法
公开(公告)号：WO2003003441A1
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/JP2002/006367
申请日：2002-06-25
申请人：信越半導体株式会社 , 小林徳弘 , 玉塚正郎 , 名古屋孝俊 , 曲偉峰 , 竹野博 , 相原健
发明人：小林徳弘 , 玉塚正郎 , 名古屋孝俊 , 曲偉峰 , 竹野博 , 相原健
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/3225
摘要： A production method for an anneal wafer which heat−treats a silicon single crystal wafer at least 200 mm in diameter, produced by a Czochralski (CZ) method, under an atmosphere of argon gas, hydrogen gas or a mixture gas of these at temperatures as high as 1100−1350°C for 10−600 min, characterized in that a pre−anneal is carried out at temperatures lower than the above high heat treating temperature prior to the high−temperature heat treating to thereby grow oxygen deposits and restrict the growth of slip dislocation. The production method for an anneal wafer and an anneal wafer which restrict the occurrence and growth of slip dislocation to be caused by high−temperature heat treating and reduce the defect density of a wafer surface layer even in the case of a silicon single crystal wafer large in diameter of at least 200 mm.
摘要翻译：一种退火晶片的制造方法，其特征在于，使用Czochralski（CZ）法在氩气，氢气或其混合气体的气氛中，对直径至少为200mm的硅单晶晶片进行热处理，其温度为高达1100-1350℃10-600分钟，其特征在于在高温热处理之前，在低于上述高热处理温度的温度下进行预退火，从而生长氧沉积物并限制生长的滑脱错位。退火晶片和退火晶片的制造方法，即使在硅单晶晶片的情况下，也限制了由高温热处理引起的滑移位错的发生和生长并降低晶片表面层的缺陷密度直径至少为200mm。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式