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1. 发明申请

WO2018063331A1 FILL PATTERN TO ENHANCE EBEAM PROCESS MARGIN 审中-公开
标题翻译：填充图案以增强EBEAM工艺边缘
公开(公告)号：WO2018063331A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/US2016/054802
申请日：2016-09-30
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： TANDON, Shakul , PHILLIPS, Mark C. , OGADHOH, Shem O. , SWANSON, John A.
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , G03F1/74 , G03F7/00
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/045 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0437 , H01J2237/1538 , H01J2237/20228 , H01J2237/3175 , H01L21/027 , H01L21/0338
摘要： Lithographic apparatuses suitable for complementary e-beam lithography (CEBL) are described. In an example, a method of forming a pattern for a semiconductor structure includes forming a pattern of parallel lines above a substrate. The method also includes aligning the substrate in an e-beam tool to provide the pattern of parallel lines parallel with a scan direction of the e-beam tool. The e-beam tool includes a column having a blanker aperture array (BAA) with a staggered pair of columns of openings along an array direction orthogonal to the scan direction. The method also includes forming a pattern of cuts or vias in or above the pattern of parallel lines to provide line breaks for the pattern of parallel lines by scanning the substrate along the scan direction. A cumulative current through the column has a non-zero and substantially uniform cumulative current value throughout the scanning.
摘要翻译：描述了适用于互补电子束光刻（CEBL）的光刻设备。在一个示例中，一种形成用于半导体结构的图案的方法包括在衬底上方形成平行线的图案。该方法还包括在电子束工具中对准衬底以提供与电子束工具的扫描方向平行的平行线的图案。电子束工具包括具有沿着与扫描方向正交的阵列方向交错排列的一列开口的消隐器开口阵列（BAA）的列。该方法还包括在平行线图案中或上方形成切口或通孔的图案，以通过沿着扫描方向扫描衬底来为平行线图案提供线断裂。通过该列的累积电流在整个扫描期间具有非零且基本上均匀的累积电流值。

2. 发明申请

WO2005024888A3 DOUBLE STAGE CHARGED PARTICLE BEAM ENERGY WIDTH REDUCTION SYSTEM FOR CHARGED PARTICLE BEAM SYSTEM 审中-公开
标题翻译：带电粒子束系统的双级带电粒子束能量宽度减小系统
公开(公告)号：WO2005024888A3
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/EP2004009801
申请日：2004-09-02
申请人： INTEGRATED CIRCUIT TESTING , FROSIEN JUERGEN , DEGENHARDT RALF , LANIO STEFAN
发明人： FROSIEN JUERGEN , DEGENHARDT RALF , LANIO STEFAN
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J49/28 , H01J49/46 , H01J49/48
CPC分类号： H01J37/26 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/3174 , H01J2237/057 , H01J2237/1534 , H01J2237/1538
摘要： The present invention relates to e.g. a charged particle beam energy width reduction system for a charged particle beam with a z-axis along the optical axis and a first and a second plane, comprising, a first element (110) acting in a focusing and dispersive manner, a second element (112) acting in a focusing and dispersive manner, a first quadrupole element (410) being positioned such that, in operation, a field of the first quadrupole element overlaps with a field of the first element acting in a focusing and dispersive manner, a second quadrupole element (412) being positioned such that, in operation, a field of the second quadrupole element overlaps with a field of the second element acting in a focusing and dispersive manner, a first charged particle selection element (618) being positioned, in beam direction, before the first element acting in a focusing and dispersive manner, and a second charged particle selection element (616;716) being positioned, in beam direction, after the first element acting in a focusing and dispersive manner. Thereby, a virtually dispersive source-like location without an inherent dispersion limitation can be realized.
摘要翻译：本发明涉及例如具有沿着光轴的z轴以及第一和第二平面的带电粒子束的带电粒子束能量宽度减小系统，包括：以聚焦和色散方式作用的第一元件（110），第二元件（ 112）以聚焦和散射方式作用，第一四极元件（410）被定位成使得在操作中第一四极元件的场与第一元件的聚焦和散射方式的场重叠，第二四极元件（412）被定位成使得在操作中，第二四极元件的场与以聚焦和色散方式作用的第二元件的场重叠，第一带电粒子选择元件（618）以束在第一元件以聚焦和色散方式作用之前，以及第二带电粒子选择元件（616; 716）在光束方向上定位在第一元件作用于聚焦和分散方式之后 d分散的方式。由此，可以实现没有固有色散限制的虚拟色散源位置。

3. 发明申请

WO2016181385A1 SYSTEM AND METHOD FOR USE IN ELECTRON MICROSCOPY 审中-公开
标题翻译：用于电子显微镜的系统和方法
公开(公告)号：WO2016181385A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/IL2016/050485
申请日：2016-05-08
申请人： TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED
发明人： KAMINER, Ido , MUTZAFI, Maor , HARARI, Gal , SEGEV, Mordechay
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： H01J37/263 , H01J2237/1538 , H01J2237/2614
摘要： An electron beam shaping unit for use in electron beam column and a method for designing thereof is presented. The electron beam shaping unit is configured for affecting electron beams of high density or strong electron-electron repulsion. These 5 beams can always be modeled with multi electron wave function. The electron beam shaping unit comprises a mask unit configured for affecting propagation of electrons therethrough to thereby form a propagating electron beam having, at far field, radial shape as determined by multi-electron non-linear function being an eigen function determined by a multi-electron Hartree-Fock Hamiltonian.
摘要翻译：提出了一种用于电子束柱的电子束整形单元及其设计方法。电子束整形单元被配置用于影响高密度或强电子 - 电子斥力的电子束。这5个光束总是可以用多电子波函数进行建模。电子束整形单元包括被配置为影响电子通过其传播的掩模单元，从而形成传播电子束，其具有由多电子非线性函数确定的远场径向形状， Hartree-Fock哈密尔顿算子。

4. 发明申请

WO2010143479A1 イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法审中-公开
标题翻译：离子束辐照装置和抑制离子束扩散的方法
公开(公告)号：WO2010143479A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：PCT/JP2010/057405
申请日：2010-04-27
申请人：日新イオン機器株式会社 , 国立大学法人京都大学 , ニコラエスクダン , 酒井滋樹 , 石川順三 , 後藤康仁
发明人：ニコラエスク　ダン , 酒井　滋樹 , 石川　順三 , 後藤　康仁
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/0041 , H01J2237/0048 , H01J2237/06341 , H01J2237/083 , H01J2237/1538 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542
摘要：　本発明は、磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制するものであり、イオン源２と、コリメート磁石６と、複数の電子源１１とを備え、電子源１１が、コリメート磁石６におけるイオンビーム上流側又は下流側に形成される磁場勾配領域Ｋ内に配置され、且つ、イオンビームＩＢの通過領域外に配置されるとともに、電子の照射方向が、磁場勾配領域Ｋに電子が供給されるように向けられていることを特徴とする。
摘要翻译：提供一种离子束照射装置，其中电子使用效率得到改善，并且通过在不需要特殊的磁极结构的情况下有效地利用磁体附近的空间来有效地抑制由空间电荷效应引起的离子束扩散。离子束照射装置设置有离子源（2），准直磁体（6）和多个电子源（11）。电子源（11）设置在位于准直磁体（6）的离子束的上游侧或下游形成的磁性梯度区域（K）中并且位于离子束的通过区域的外侧 IB）。电子照射方向设定为向磁场梯度区域（K）供给电子。

5. 发明申请

WO2010080097A1 ION IMPLANTATION WITH DIMINISHED SCANNING FIELD EFFECTS 审中-公开
标题翻译：离子植入与微量扫描场效应
公开(公告)号：WO2010080097A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/US2009/006481
申请日：2009-12-10
申请人： AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. , EISNER, Edward
发明人： EISNER, Edward
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/1538 , H01J2237/24542 , H01J2237/30472
摘要： Ion implantation systems (110) and scanning systems are provided, in which a focus adjustment component (135) is provided to adjust a focal property of an ion beam (124) to diminish zero field effects of the scanner (136) upon the ion beam. The focal property may be adjusted in order to improve the consistency of the beam profile scanned across the workpiece (130), or to improve the consistency of the ion implantation across the workpiece (130). Methods are disclosed for providing a scanned ion beam to a workpiece, comprising scanning the ion beam to produce a scanned ion beam, adjusting a focal property of an ion beam in relation to zero field effects of the scanner upon the ion beam, and directing the ion beam toward the workpiece.
摘要翻译：提供离子注入系统（110）和扫描系统，其中提供聚焦调节部件（135）以调节离子束（124）的聚焦特性，以减少扫描仪（136）对离子束的零场效应。可以调整焦点特性以便改善在工件（130）上扫描的光束轮廓的一致性，或者提高穿过工件（130）的离子注入的一致性。公开了用于向工件提供扫描离子束的方法，包括扫描离子束以产生扫描离子束，相对于扫描仪对离子束的零场效应调整离子束的聚焦特性，并引导离子束朝向工件。

6. 发明申请

WO2008001685A1 イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法审中-公开
标题翻译：离子植入装置和离子束偏转角校正方法
公开(公告)号：WO2008001685A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/062578
申请日：2007-06-22
申请人：日新イオン機器株式会社 , 山下貴敏
发明人：山下貴敏
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/12 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/14 , H01J2237/1538 , H01J2237/24528
摘要： An ion implantation apparatus in which the divergence in the Y-direction due to the space charge effect of the ion beam is compensated between the target and the ion beam deflector where the ion beam is separated from neutral particles and thereby the ion beam transportation efficiency is enhanced. The ion implantation apparatus comprises a beam parallizer (14) for converting an ion beam (4) scanned in the X-direction is bent back into a parallel ion beam by a magnetic field and outputting an ion beam (4) having a ribbon shape. The beam parallizer (14) also serves as an ion beam deflector for separating the ion beam (4) and neutral particles by the deflection of the ion beam (4) by the magnetic filed. Near the exit of the beam parallizer (14), electrodes are so disposed as to be opposed to each other in the Y-direction, with the space where the ion beam (4) passes interposed. Thus, an electrostatic lens (30) for converging the ion beam (4) in the Y-direction is provided.
摘要翻译：一种离子注入装置，其中由于离子束的空间电荷效应而在Y方向上的发散被补偿在靶和离子束偏转器之间，其中离子束与中性粒子分离，从而离子束输送效率为增强。离子注入装置包括用于将在X方向上扫描的离子束（4）转换成通过磁场返回到并联离子束的光束偏光器（14），并输出具有带状的离子束（4）。光束偏光器（14）还用作离子束偏转器，用于通过磁场使离子束（4）的偏转来分离离子束（4）和中性粒子。在光束偏光器（14）的出口附近，电极被设置为在Y方向上彼此相对，并且离子束（4）通过的空间被插入。因此，设置用于使离子束（4）沿Y方向会聚的静电透镜（30）。

7. 发明申请

WO2005069346A1 写像型電子顕微鏡、電子顕微鏡、試料面観察方法及びマイクロデバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：投影电子显微镜，电子显微镜，样品表面观察方法和微型器件生产方法
公开(公告)号：WO2005069346A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000625
申请日：2005-01-13
申请人：株式会社ニコン , 株式会社荏原製作所 , 兼松えりか
发明人：兼松えりか
IPC分类号： H01J37/29
CPC分类号： H01J37/29 , H01J37/045 , H01J37/153 , H01J2237/1538 , H01J2237/24592
摘要： An irradiating beam (4) emitted from a cathode (1) enters a deflector (3). The optical path of the irradiating beam (4) is changed by the deflector (3) when a voltage is applied to the deflector (3), and the irradiating beam (4) passes through a common electron optical system (7) and irradiates the surface of a specimen (6). The irradiating beam (4) passes straight through the deflector (3) when no voltage is applied to the deflector (3) and is absorbed by an electron absorbing plate (17). While passing through the common electron optical system (7), the irradiating beam (4) is decelerated, and the energy is decreased to about 0 [eV] when the irradiating beam (4) reaches the surface of the specimen (6). When the irradiating beam (4) strikes the specimen (6), reflection electrons (8) are produced from the specimen (6). The reflection electrons (8) pass through the common electron optical system (7) and through an imaging electron optical system (9) when no voltage is applied to the deflector (3), and is projected onto an MCP detector (10).
摘要翻译：从阴极（1）发射的照射光束（4）进入导流板（3）。当向偏转器（3）施加电压时，照射光束（4）的光路由偏转器（3）改变，并且照射光束（4）通过公共电子光学系统（7）并照射试样（6）的表面。当没有电压施加到偏转器（3）并被电子吸收板（17）吸收时，照射光束（4）直接通过偏转器（3）。当通过公共电子光学系统（7）时，照射光束（4）减速，当照射光束（4）到达样本（6）的表面时，能量减小到约0 [eV]。当照射光束（4）撞击样品（6）时，从样品（6）产生反射电子（8）。当没有电压施加到偏转器（3）时，反射电子（8）通过公共电子光学系统（7）并通过成像电子光学系统（9），并且被投影到MCP检测器（10）上。

8. 发明申请

WO2005024888A2 DOUBLE STAGE CHARGED PARTICLE BEAM ENERGY WIDTH REDUCTION SYSTEM FOR CHARGED PARTICLE BEAM SYSTEM 审中-公开
标题翻译：双级充电粒子束能量减少系统用于充电粒子束系统
公开(公告)号：WO2005024888A2
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/EP2004/009801
申请日：2004-09-02
申请人： ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FÜR HALBLEITERPRÜFTECHNIK MBH , FROSIEN, Jürgen , DEGENHARDT, Ralf , LANIO, Stefan
发明人： FROSIEN, Jürgen , DEGENHARDT, Ralf , LANIO, Stefan
IPC分类号： H01J37/00
CPC分类号： H01J37/26 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/05 , H01J37/153 , H01J37/3174 , H01J2237/057 , H01J2237/1534 , H01J2237/1538
摘要： The present invention relates to e.g. a charged particle beam energy width reduction system for a charged particle beam with a z-axis along the optical axis and a first and a second plane, comprising, a first element (110) acting in a focusing and dispersive manner, a second element (112) acting in a focusing and dispersive manner, a first quadrupole element (410) being positioned such that, in operation, a field of the first quadrupole element overlaps with a field of the first element acting in a focusing and dispersive manner, a second quadrupole element (412) being positioned such that, in operation, a field of the second quadrupole element overlaps with a field of the second element acting in a focusing and dispersive manner, a first charged particle selection element (618) being positioned, in beam direction, before the first element acting in a focusing and dispersive manner, and a second charged particle selection element (616;716) being positioned, in beam direction, after the first element acting in a focusing and dispersive manner. Thereby, a virtually dispersive source-like location without an inherent dispersion limitation can be realized.
摘要翻译：本发明涉及例如用于沿着光轴具有z轴的带电粒子束的带电粒子束能量宽度减小系统以及包括以聚焦和分散方式起作用的第一元件（110）的第一和第二平面，第二元件（ 112），第一四极元件（410）被定位成使得在操作中，第一四极元件的场与以聚焦和分散方式作用的第一元件的场重叠，第二四极元件四极元件（412）被定位成使得在操作中，第二四极元件的场与以聚焦和分散方式作用的第二元件的场重叠，第一带电粒子选择元件（618）被定位成束方向，在第一元件以聚焦和分散方式作用之前，第二带电粒子选择元件（616; 716）在光束方向上位于第一元件作用于聚焦分散的方式。因此，可以实现没有固有分散限制的虚拟色散源状位置。

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