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1. 发明申请

WO2016010218A1 자성 구조체의 자구벽 제어 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자 审中-公开
标题翻译：用于控制磁畴的磁畴的方法和使用其的磁记忆体装置
公开(公告)号：WO2016010218A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/000458
申请日：2015-01-16
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 문경웅 , 황찬용
IPC分类号： G11B5/02 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC分类号： G11C19/0808 , G11B5/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0816 , G11C19/085 , H01L27/105
摘要： 본 발명은 다수의 자구 및 상기 자구 사이에 개재된 자구벽을 구비하는 자성 구조체에, 상기 자구벽의 자화방향에 나란한 제 1 방향으로 제 1 자기장 및 상기 자구의 자화방향에 나란한 제 2 방향으로 제 2 자기장을 인가하는 제 1 단계; 및 상기 자성 구조체에 상기 제 1 방향의 역방향으로 제 3 자기장 및 상기 제 2 방향의 역방향으로 제 4 자기장을 인가하는 제 2 단계;를 포함하여 수행함으로써, 상기 자구벽을 상기 자구벽의 자화방향 또는 상기 자구의 자화방향과 나란한 방향으로 균일하게 이동시킬 수 있으며, 다수의 자구 및 상기 자구 사이에 개재된 자구벽을 구비하는 자성 구조체에, 상기 자구벽의 자화방향 및 상기 자구의 자화방향과 각각 나란하지 않은 자기장을 인가하는 제 1 단계; 및 상기 자성 구조체에 상기 자기장 방향의 역방향으로 또 다른 자기장을 인가하는 제 2 단계;를 포함하여 수행함으로써, 상기 자구벽을 상기 자구벽의 자화방향 또는 상기 자구의 자화방향과 나란한 방향으로 균일하게 이동시킬 수 있는 자성 구조체의 자구벽 제어 방법 및 상기 제어 방법에 따른 상기 자성 구조체를 포함하는 자기 메모리 소자를 제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于控制磁结构的磁畴壁的方法和包括根据控制方法的磁结构的磁存储器件。控制方法包括：第一步骤，用于将第一和第二磁场施加到磁性结构，所述磁性结构包括插入在所述磁畴之间的多个磁畴和磁畴壁，其中所述第一磁场沿平行于所述磁畴的第一方向施加磁畴壁的磁化方向，第二磁场沿平行于磁畴的磁化方向的第二方向施加; 以及第二步骤，分别在与第一和第二方向相反的方向上将磁场结构施加第三和第四磁场，从而使磁畴壁沿与磁畴壁的磁化方向平行的方向均匀地移动或磁畴的磁化方向。此外，控制方法包括：第一步骤，用于向包括多个磁畴的磁性结构和磁畴壁之间插入的磁畴施加磁场，其中磁场不平行于磁畴的磁化方向磁畴壁和磁畴的磁化方向; 以及第二步骤，在与磁场相反的方向上向磁性结构施加另一磁场，从而使磁畴壁沿与磁畴壁的磁化方向平行的方向或磁化方向均匀地移动的磁畴。

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