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    • 6. 发明申请
    • 磁壁ランダムアクセスメモリ
    • 磁壁随机存取存储器
    • WO2009019947A1
    • 2009-02-12
    • PCT/JP2008/062277
    • 2008-07-07
    • 日本電気株式会社鈴木 哲広大嶋 則和深見 俊輔永原 聖万石綿 延行
    • 鈴木 哲広大嶋 則和深見 俊輔永原 聖万石綿 延行
    • H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L29/82H01L43/08
    • H01L43/08B82Y10/00G11C11/161G11C11/1659G11C11/1673G11C11/1675H01L27/228
    •  磁気ランダムアクセスメモリは、垂直磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層(10)と、磁気記録層(10)上に設けられ情報を読み出すための磁気読出し層(50)とを具備する。磁化記録層(10)は、反転可能な磁化を有する磁化反転領域(13)と、磁化反転領域(13)の第1境界に接続され磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域(11a)と、磁化反転領域(13)の第2境界に接続され磁化の向きが第2方向に固定された第2磁化固定領域(11b)とを備える。磁気読出し層(50)は、磁化反転領域(13)の磁化の方向に対応して磁化の方向が変化する磁気センス層(33)と、磁気センス層(33)上に設けられた非磁性バリア層(32)と、非磁性バリア層(32)上に設けられたピン層(30)とを備える。
    • 磁性随机存取存储器包括用作具有垂直磁各向异性的铁磁层的磁化记录层(10)和设置在磁化记录层(10)上用于读取信息的磁读取层(50)。 磁化记录层(10)包括具有可逆磁化的磁化反转区域(13),与磁化反转区域(13)的第一边界连接并具有固定在第一磁化区域(13)中的磁化取向的第一磁化固定区域(11a) 方向和与磁化反转区域(13)的第二边界连接并具有沿第二方向固定的磁化取向的第二磁化固定区域(11b)。 磁读取层(50)包括响应于磁化反转区域(13)的磁化方向而变化的磁化方向的磁感应层(33),设置在磁性读取层(50)上的非磁性阻挡层(32) 磁感应层(33)和设置在非磁性阻挡层(32)上的引脚层(30)。
    • 8. 发明申请
    • 磁気ランダムアクセスメモリ
    • 磁性随机存取存储器
    • WO2009104428A1
    • 2009-08-27
    • PCT/JP2009/050210
    • 2009-01-09
    • 日本電気株式会社深見 俊輔石綿 延行鈴木 哲広大嶋 則和永原 聖万
    • 深見 俊輔石綿 延行鈴木 哲広大嶋 則和永原 聖万
    • H01L21/8246H01L27/105H01L29/82H01L43/08
    • H01L43/08G11C11/161G11C11/1673G11C11/1675H01L27/222
    •  MRAMは、第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと第2磁気抵抗素子を含むリファレンスセルを備える。第1磁気抵抗素子は、第1磁化自由層と、第1磁化固定層と、第2磁化自由層と、第1磁化固定層と第2磁化自由層とに挟まれた第1非磁性層とを備える。第1磁化自由層は垂直磁気異方性を有し、第1磁化固定層及び第2磁化自由層は面内磁気異方性を有する。第1磁化自由層は、磁化方向が固定された第1、第2磁化固定領域、及び第1、第2磁化固定領域に接続され磁化方向が反転可能な磁化自由領域を有する。磁化自由領域と第2磁化自由層とは、互いに磁気的に結合している。各層に平行な平面において、第2磁化自由層の重心は、磁化自由領域の重心から第1方向にずれている。一方、第2磁気抵抗素子は、磁化容易軸が第2方向に平行な第3磁化自由層と、磁化方向が第2方向と直交する第3方向に固定された第2磁化固定層と、第3磁化自由層と第2磁化固定層とに挟まれた第2非磁性層とを備える。第3磁化自由層と第2磁化固定層は、面内磁気異方性を有する。
    • MRAM包括包括第一磁阻元件和包括第二磁阻元件的参考元件的存储单元。 第一磁阻元件包括第一磁化自由层,第一磁化固定层,第二磁化自由层和夹在第一磁化固定层和第二磁化自由层之间的第一非磁性层。 第一磁化自由层具有垂直的磁各向异性,并且第一磁化固定层和第二磁化自由层具有面内磁各向异性。 第一磁化自由层包括具有固定的磁化方向的第一和第二磁化固定区域和连接到第一和第二磁化固定区域并具有可逆磁化方向的无磁化区域。 磁化自由区​​和第二磁化自由层彼此磁耦合。 在与各层平行的平面中,第二磁化自由层的重心沿着第一方向从无磁化区域的重心位移。 第二磁阻元件包括具有平行于第二方向的易磁化轴的第三磁化自由层,具有与第二方向正交的第三方向固定的磁化方向的第二磁化固定层和夹在第二磁阻层之间的第二非磁性层 第三磁化自由层和第二磁化固定层。 第三磁化自由层和第二磁化固定层具有面内磁各向异性。