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    • 3. 发明申请
    • プログラマブルロジックコントローラ
    • 可编程逻辑控制器
    • WO2017122332A1
    • 2017-07-20
    • PCT/JP2016/051037
    • 2016-01-14
    • 三菱電機株式会社
    • 河野 匠
    • G06F12/16G06F12/00
    • G06F12/00G06F12/16
    • データを記憶する揮発性メモリ(5)と、データを記憶する不揮発性メモリ(6)と、データを揮発性メモリまたは不揮発性メモリに書き込む制御部(1)と、制御部から不揮発性メモリへの書き込み回数を検知する書き込み回数検知回路(3)と、制御部からのデータの書き込み先を揮発性メモリまたは不揮発性メモリのいずれかに切り替えるアクセス先メモリ切り替え回路(4)と、を備え、アクセス先メモリ切り替え回路は、書き込み回数が計測時間内に閾値を超えた場合は、データの書き込み先を不揮発性メモリから揮発性メモリに切り替え、制御部は、アクセス先メモリ切り替え回路がデータの書き込み先を不揮発性メモリから揮発性メモリに切り替えた後に、揮発性メモリに書き込まれたデータを不揮発性メモリへ書き込む。
    • 用于存储易失性存储器

      数据(5),一个非易失性存储器(6),用于存储数据,所述控制单元在易失性存储器或非易失性存储器(1)写入数据, 写计数检测电路,用于检测写入到控制部(3)的非易失性存储器的个数,切换从所述控制单元的数据的写入目的地要么易失性存储器或非易失性存储器存取目标存储器切换电路(4 当在测量时间内写入次数超过阈值时,访问目的地存储器切换电路将数据的写入目的地从非易失性存储器切换到易失性存储器,并且控制单元切换访问目的地存储器 在电路将数据写入目标从非易失性存储器切换到易失性存储器之后,将写入易失性存储器的数据写入非易失性存储器 写。

    • 9. 发明申请
    • メモリ装置システム
    • 存储器件系统
    • WO2016113826A1
    • 2016-07-21
    • PCT/JP2015/006433
    • 2015-12-24
    • 株式会社デンソーセイコーエプソン株式会社
    • 吉田 直記中島 公徳
    • G06F12/16
    • G06F11/1469G06F11/1076G06F11/1451G06F12/16G06F2201/805G06F2201/82
    •  メモリ装置システムは、第1メモリ(1)と、第2メモリ(2)と、第1レジスタ(3)と、第2レジスタ(4)と、比較器(5)と、転送レジスタ(6)と、誤データレジスタ(7)と、誤アドレスレジスタ(8)と、パリティ演算部(9)と、制御部(10)と、を備える。制御部は、パリティ演算部が一致していると判定した際には転送レジスタに全てのデータを外部回路(12)に送信させ、パリティ演算部が一致していないと判定した際には、誤アドレスレジスタに格納されているアドレスのデータを誤データレジスタに格納されているデータに差し替えた後、再びパリティ演算部に判定させ、パリティ演算部が一致していると判定した際も転送レジスタに全てのデータを外部回路に送信させる。
    • 该存储器件系统具有第一存储器(1),第二存储器(2),第一寄存器(3),第二寄存器(4),比较器(5),转移寄存器(6),错误 数据寄存器(7),错误地址寄存器(8),奇偶校验计算单元(9)和控制单元(10)。 如果奇偶校验计算单元确定存在奇偶匹配,则控制单元使传送寄存器将存储在传送寄存器中的所有数据发送到外部电路(12)。 如果奇偶校验计算单元确定不存在奇偶匹配,则控制单元将存储在错误地址寄存器中的地址的数据与存储在错误数据寄存器中的数据替换,然后使奇偶校验计算单元再次确定是否存在 是奇偶匹配,并且如果奇偶校验计算单元确定存在奇偶校验匹配,则使传送寄存器将存储在传送寄存器中的所有数据传送到外部电路。