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    • 4. 发明申请
    • 耐圧測定装置および耐圧測定方法
    • 耐压测量装置和耐压测量方法
    • WO2014112215A1
    • 2014-07-24
    • PCT/JP2013/081866
    • 2013-11-27
    • 住友電気工業株式会社
    • 酒井 光彦
    • H01L21/66G01R31/26
    • G01R31/2881G01R31/27G01R31/286
    •  耐圧測定装置(100)は、半導体基板(200)に形成されかつ電極部(222)を有する半導体素子(210)の耐圧を測定するためのものである。ステージ(120)は、気密容器(110)内に設けられており、半導体基板(200)を支持するためのものである。プローブ(130)は、気密容器(110)内に設けられステージ(120)に対して相対的に移動可能に構成されており、電極部(222)に接触することによって電極部(222)との電気的接続を得るためのものである。導入部(140)は、気密容器(110)に設けられており、気密容器(110)内にガスを導入するためのものである。排出部(150)は、気密容器(110)に設けられており、気密容器(110)からガスを排出するためのものである。
    • 压电阻测定装置(100)形成在半导体基板(200)上,用于测量具有电极(222)的半导体装置(210)的耐压性。 在气密容器(110)的内部设置有台架(120),用于支撑半导体基板(200)。 探针(130)设置在气密容器(110)内部,被构造成能够相对于载物台(120)移动,并且用于通过使电极(222)接触来获得与电极(222)的电连接 )。 导入部(140)设置在气密容器(110)的内部,用于将气体导入密闭容器(110)。 排气部(150)设置在气密容器(110)的内部,用于从气密容器(110)排出气体。
    • 6. 发明申请
    • 半導体検査システム及びインターフェース部の結露防止方法
    • 半导体检测系统和接口部分防止冷凝的方法
    • WO2014007084A1
    • 2014-01-09
    • PCT/JP2013/067161
    • 2013-06-18
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 小松 茂和星野 貴昭
    • H01L21/66G01R31/26
    • G01R31/2601G01R1/07342G01R31/286G01R31/2874
    •  電気的な接続を行うインターフェース部分における結露を確実に防止することのできる半導体検査システム及びインターフェース部の結露防止方法を提供する。被測定体にプローブを接触させて電気的導通を得るプローブ機構と、前記被測定体に検査記号を供給するとともに前記被測定体の出力信号を検出して検査を行うテスタと、前記プローブと前記テスタとを電気的に接続するインターフェース部と前記インターフェース部を気密に保持するための真空シール機構と、前記インターフェース部内から排気して減圧雰囲気とするための排気機構と、排気された前記インターフェース部内に流量制御しつつ乾燥気体を供給する乾燥気体供給機構と、を具備したことを特徴とする。
    • 提供了半导体检查系统和防止在接口部分处的冷凝的方法,该接口部分形成电连接,在接口部分可以可靠地防止冷凝。 检测系统的特征在于配备有:探头机构,使探头与测量对象接触,并获得导电性; 测试器,通过向测量对象提供检查信号并检测来自测量对象的输出信号来执行检查; 电连接探针和测试仪的接口部分; 用于将所述界面部分保持在气密状态的真空密封机构; 用于排出界面部分内部的排气机构,从而产生减压气氛; 以及干燥气体供给机构,其对抽真空的界面部内的流量进行控制,并向其供给干燥气体。