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1. 发明申请

WO2011130859A1 CONTROLLED RELEASE FORMULATION BASED ON HEMATIN ANHYDRIDE CRYSTALS FOR THE INDUCTION OF AN INNATE IMMUNE REACTION 审中-公开
标题翻译：基于HEMATIN ANHYDRIDE晶体的控制释放配方用于诱导免疫反应
公开(公告)号：WO2011130859A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/CA2011/050233
申请日：2011-04-21
申请人： THE ROYAL INSTITUTION FOR THE ADVANCEMENT OF LEARNING / MCGILL UNIVERSITY , OLIVIER, Martin , BELLEMARE, Marie-Josee
发明人： OLIVIER, Martin , BELLEMARE, Marie-Josee
IPC分类号： A61K39/39 , C07D487/22 , C30B31/04 , C30B7/00
CPC分类号： A61K39/39 , A61K39/008 , A61K39/015 , C07D487/22 , C30B7/14 , C30B29/54 , C30B31/04
摘要： The present invention relates to a new process for producing a doped synthetic monodispersed hematin anhydride (HA) crystals useful as a slow release vehicle and immune modulator. As the preparation comprises embedded in the crystals one or more antigens and/or one or more biologically active entities, the preparation can be useful in numerous medical indications such as vaccine or any therapy where it is desired that a biologically active entity maintains its activity over time due to its slow-release. The process comprises the steps of (i) providing a substantially pure iron (lll) protoporphyrin-IX, in solution in an alkaline solution substantially free of oxygen (ii) adjusting the pH of the solution to an acidic pH of between about 4.0, by slowly adding a medium strong organic acid, (iii) during step b) above, adding one or more antigens and/or one or entities having a biological activity, at a pH of about 5.0.
摘要翻译：本发明涉及用作缓释载体和免疫调节剂的掺杂的合成单分散血红素酐（HA）晶体的新方法。由于制剂包含嵌入晶体中的一种或多种抗原和/或一种或多种生物活性实体，所述制剂可用于许多医学适应症，例如疫苗或任何治疗，其中期望生物活性实体保持其活性超过时间由于缓释。该方法包括以下步骤：（i）在基本上不含氧的碱性溶液中的溶液中提供基本上纯的铁（III）原卟啉IX（ii）将溶液的pH调节至约4.0之间的酸性pH，通过缓慢添加中等强有机酸，（iii）在上述步骤b）中，在约5.0的pH下加入一种或多种抗原和/或具有生物活性的一种或多种物质。

2. 发明申请

WO2018018676A1 一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用审中-公开
公开(公告)号：WO2018018676A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/CN2016/095816
申请日：2016-08-18
申请人：中山大学
发明人：黄丰 , 季旭 , 董美
IPC分类号： C30B29/16 , C30B31/04 , C30B33/02
CPC分类号： C30B29/16 , C30B31/04 , C30B33/02
摘要：本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中恒流放电处理后，放于800～1000℃、10～30atm的高压氧气气氛中退火处理20～28小时，得到所述高电阻率单晶氧化锌。该方法采用电化学方法结合退火处理，只需要简单的两个步骤即可获得超高电阻率的单晶ZnO晶片，得到的ZnO晶片电阻率高达10 11 ohm cm。而且，本发明的制备方法新颖、操作简单，成本低，可重复性高，具有很好的推广应用前景。

3. 发明申请

WO2016065499A1 一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016065499A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/CN2014/001040
申请日：2014-11-21
申请人：北京大学
发明人：张锦 , 胡悦 , 康黎星 , 赵秋辰 , 张树辰
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C30B29/02 , B05D1/005 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D3/0406 , B05D3/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/45512 , C30B25/186 , C30B29/20 , C30B31/04 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , Y10S977/75 , Y10S977/843 , Y10S977/938
摘要：一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，对制备得到的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm。

4. 发明申请

WO2013025635A3 ARCHITECTURAL CONSTRUCT HAVING A PLURALITY OF IMPLEMENTATIONS 审中-公开
标题翻译：建筑结构具有多个实施
公开(公告)号：WO2013025635A3
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/US2012050638
申请日：2012-08-13
申请人： MCALISTER TECHNOLOGIES LLC , MCALISTER ROY E
发明人： MCALISTER ROY EDWARD
IPC分类号： C01B31/02 , B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B05D5/00 , B01D39/20 , B05D1/36 , B05D3/0218 , B05D3/107 , B05D3/12 , B05D7/50 , C01B32/05 , C01B32/186 , C01B32/19 , C01B32/194 , C01B35/14 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C16/342 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/64 , C30B29/68 , C30B31/00 , C30B31/04 , C30B31/06 , C30B33/00 , H02K7/025 , H02N2/0005 , Y10T74/2119 , Y10T428/24793 , Y10T428/2495
摘要： An architectural construct is a synthetic material that includes a matrix characterization of different crystals. An architectural construct can be configured as a solid mass or as parallel layers that can be on a nano-, micro-, and macro-scale. Its configuration can determine its behavior and functionality under a variety of conditions. Implementations of an architectural construct can include its use as a substrate, sacrificial construct, carrier, filter, sensor, additive, and catalyst for other molecules, compounds, and substances, or may also include a means to store energy and generate power.
摘要翻译：建筑结构是一种合成材料，包括不同晶体的基体表征。一个建筑结构可以配置为一个固体质量或平行层，可以是纳米级，微米级和宏观级。其配置可以在各种条件下确定其行为和功能。建筑结构的实施可以包括其作为基材，牺牲结构，载体，过滤器，传感器，添加剂以及用于其他分子，化合物和物质的催化剂的用途，或者还可以包括储存能量和发电的手段。

5. 发明申请

WO2011016837A1 LARGE AREA DEPOSITION AND DOPING OF GRAPHENE, AND PRODUCTS INCLUDING THE SAME 审中-公开
标题翻译：大面积的沉积物和石墨，以及包括它们的产品
公开(公告)号：WO2011016837A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/US2010/002058
申请日：2010-07-22
申请人： GUARDIAN INDUSTRIES CORP. , VEERASAMY, Vijayen, S.
发明人： VEERASAMY, Vijayen, S.
IPC分类号： C30B29/02 , C30B31/02 , C30B31/04 , C30B31/22
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C30B29/02 , C30B31/02 , C30B31/04 , C30B31/22
摘要： Certain example embodiments of this invention relate to the use of graphene as a transparent conductive coating (TCC). In certain example embodiments, graphene thin films grown on large areas hetero-epitaxially, e.g., on a catalyst thin film, from a hydrocarbon gas (such as, for example, C 2 H 2 , CH 4 , or the like). The graphene thin films of certain example embodiments may be doped or undoped. In certain example embodiments, graphene thin films, once formed, may be lifted off of their carrier substrates and transferred to receiving substrates, e.g., for inclusion in an intermediate or final product. Graphene grown, lifted, and transferred in this way may exhibit low sheet resistances (e.g., less than 150 ohms/square and lower when doped) and high transmission values (e.g., at least in the visible and infrared spectra).
摘要翻译：本发明的某些示例性实施方案涉及石墨烯作为透明导电涂层（TCC）的用途。在某些示例性实施例中，在烃类气体（例如，C 2 H 2，CH 4等）上在异质外延（例如在催化剂薄膜上）大面积生长的石墨烯薄膜。某些示例性实施例的石墨烯薄膜可以是掺杂的或未掺杂的。在某些示例性实施例中，一旦形成的石墨烯薄膜可以从它们的载体基底上剥离并转移到接收基底，例如包含在中间或最终产品中。以这种方式生长，提升和转移的石墨烯可能表现出低的薄层电阻（例如，当掺杂时小于150欧姆/平方和较低）和高透射率值（例如，至少在可见光和红外光谱中）。

6. 发明申请

WO2013150822A1 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法审中-公开
标题翻译：碳化硅基板，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013150822A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/JP2013/053516
申请日：2013-02-14
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：石橋　恵二
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/304
CPC分类号： H01L29/1608 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B31/04 , H01L21/02002 , H01L21/02008 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/0475 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66068 , H01L29/812
摘要：　炭化珪素基板（１）は、第１の主面（１Ａ）と、第１の主面（１Ａ）と対向する第２の主面（１Ｂ）とを有している。第１の主面（１Ａ）および第２の主面（１Ｂ）の少なくとも一方の主面を含む領域が単結晶炭化珪素からなる。一方の主面には、硫黄原子が６０×１０ 10 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 2 以上２０００×１０ 10 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 2 以下で存在し、不純物としての炭素原子が３ａｔ％以上２５ａｔ％以下で存在する。これにより、安定した表面を有する炭化珪素基板、当該基板を用いた半導体装置、およびこれらの製造方法を提供することができる。
摘要翻译：碳化硅基板（1）具有面向第一主面（1A）的第一主面（1A）和第二主面（1B）。包含第一主面（1A）和第二主面（1B）中的至少一个的区域包括单晶碳化硅。在其中一个主面上，硫原子存在于60×10 10原子/ cm 2至2000×10 10原子/ cm 2的范围内，碳原子以3at％至25at％的范围存在，作为杂质。因此，可以提供具有稳定表面的碳化硅衬底，使用该衬底的半导体器件及其制造方法。

7. 发明申请

WO2013025631A2 METHODS FOR MANUFACTURING ARCHITECTURAL CONSTRUCTS 审中-公开
标题翻译：制造建筑结构的方法
公开(公告)号：WO2013025631A2
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/US2012/050629
申请日：2012-08-13
申请人： MCALISTER TECHNOLOGIES, LLC , MCALISTER, Roy, Edward
发明人： MCALISTER, Roy, Edward
IPC分类号： C01B31/02 , C01B35/14 , C07C9/04 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： B05D5/00 , B01D39/20 , B05D1/36 , B05D3/0218 , B05D3/107 , B05D3/12 , B05D7/50 , C01B32/05 , C01B32/186 , C01B32/19 , C01B32/194 , C01B35/14 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C16/342 , C30B25/02 , C30B29/02 , C30B29/64 , C30B29/68 , C30B31/00 , C30B31/04 , C30B31/06 , C30B33/00 , H02K7/025 , H02N2/0005 , Y10T74/2119 , Y10T428/24793 , Y10T428/2495
摘要： An architectural construct is a synthetic material that includes a matrix characterization of different crystals engineered to exhibit certain properties. An architectural construct can be fabricated by a process involving layer deposition, formation, exfoliation and spacing. In one aspect, purified methane can be dehydrogenated onto a substrate by applying heat through the substrate. Deposited carbon can form a plurality of layers of a matrix characterization of crystallized carbon through self-organization. The layers can be exfoliated and spaced to configure parallel orientation at a desired spacing and thickness using selected precursors and applying heat, pressure, or both. The desired architectural construct can further be stabilized and doped to exhibit desired properties.
摘要翻译：建筑构造是一种合成材料，其包括工程化以显示某些特性的不同晶体的矩阵表征。可以通过涉及层沉积，形成，剥离和间隔的工艺来制造建筑构造。在一个方面，纯化的甲烷可以通过加热通过基底而脱氢到基底上。沉积的碳可通过自组织形成多个层状的结晶碳表征。这些层可以被剥离和间隔，以使用所选择的前体和施加热，压力或两者来以期望的间隔和厚度来配置平行取向。可以进一步稳定和掺杂所需的结构构造以显示所需的性质。

8. 发明申请

WO2009136100A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE PAR ÉCHANGE PROTONIQUE 审中-公开
标题翻译：通过PROTON EXCHANGE传输薄层的方法
公开(公告)号：WO2009136100A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/FR2009/050647
申请日：2009-04-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , TAUZIN, Aurélie , MOULET, Jean-Sébastien
发明人： TAUZIN, Aurélie , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： C30B31/04 , C30B33/02
CPC分类号： C30B31/04 , C30B33/02 , H01L21/76254
摘要： Procédé de transfert d'une couche mince depuis un substrat de départ à base de lithium, comportant: une étape d'échange protonique entre ce substrat et un premier électrolyte qui est acide, au travers d'une face libre de ce substrat en sorte de remplacer des ions lithium du substrat par des protons, dans une proportion comprise entre 10% et 80°, sur une profondeur e1 , une étape d'échange protonique inverse entre ce substrat et un second électrolyte, au travers ce cette face libre, en sorte de remplacer, sur une seconde profondeur e2 inférieure à la première profondeur e1 , au moins la quasi-totalité des protons par des ions lithium, en sorte de laisser subsister une couche intermédiaire entre les profondeurs e1 et e2 , dans laquelle subsistent des protons incorporés lors de l'étape d'échange protonique, la profondeur e2 définissant une couche mince entre ladite face libre et la couche intermédiaire, une étape de traitement thermique effectuée dans des conditions propres à fragiliser la couche intermédiaire, et une étape de séparation propre à provoquer la séparation de la couche mince vis-à-vis du reste du substrat au niveau de la couche intermédiaire.
摘要翻译：从锂基起始衬底转移薄层的方法，包括：通过该衬底的自由面在该衬底和作为酸的第一电解质之间进行质子交换以便取代衬底的锂离子的步骤通过质子在10％和80％之间的比例在深度e1上; 通过该自由面，在该衬底和第二电解质之间进行反向质子交换的步骤，以便在小于第一深度e1的至少几乎所有的具有锂离子的所有质子的第二深度e2上替换，以便离开深度e1和e2之间的中间层，其中留下质子交换步骤期间并入的中间层质子，深度e2在所述自由面和中间层之间限定薄层; 在适于脆化中间层的条件下进行热处理步骤; 以及适于使薄膜在中间层与基板的其余部分分离的分离步骤。

9. 发明申请

WO2007023362A1 DOPING OF PARTICULATE SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：颗粒半导体材料的掺杂
公开(公告)号：WO2007023362A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/IB2006/002290
申请日：2006-08-23
申请人： UNIVERSITY OF CAPE TOWN , BRITTON, David Thomas , HÄRTING, Margit
发明人： BRITTON, David Thomas , HÄRTING, Margit
IPC分类号： C30B31/00 , C09D11/00 , H01L21/00
CPC分类号： B82Y10/00 , C09D11/52 , C30B29/605 , C30B31/04 , H01L21/228
摘要： ABSTRACT The invention relates to a method of doping semiconductor material. Essentially, the method comprises mixing a quantity of particulate semiconductor material with an ionic salt or a preparation of ionic salts. Preferably, the particulate semiconductor material comprises nanoparticles with a size in the range 1nm to 100µm. Most preferably, the particle size is in the range from 50nm to 500nm. Preferred semiconductor materials are intrinsic and metallurgical grade silicon. The invention extends to a printable composition comprising the doped semiconductor material as well as a binder and a solvent. The invention also extends to a semiconductor device formed from layers of the printable composition having p and n type properties.
摘要翻译：摘要本发明涉及掺杂半导体材料的方法。基本上，该方法包括将一定数量的颗粒状半导体材料与离子盐或离子盐制剂混合。优选地，颗粒状半导体材料包括尺寸在1nm至100μm范围内的纳米颗粒。最优选地，粒度在50nm至500nm的范围内。优选的半导体材料是固有的和冶金级的硅。本发明延伸到包含掺杂半导体材料以及粘合剂和溶剂的可印刷组合物。本发明还延伸到由具有p型和n型性质的可印刷组合物的层形成的半导体器件。

10. 发明申请

WO2018005619A1 SYNTHESIS AND PROCESSING OF PURE AND NV NANODIAMONDS AND OTHER NANOSTRUCTURES FOR QUANTUM COMPUTING AND MAGNETIC SENSING APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：量子计算和磁感应应用中纯N和纳米纳米及其他纳米结构的合成和处理
公开(公告)号：WO2018005619A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/US2017/039694
申请日：2017-06-28
申请人： NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY
发明人： NARAYAN, Jagdish
IPC分类号： C01B31/06 , C01B31/00 , C01B31/02 , C09K11/65 , C30B29/04 , G01N21/64
CPC分类号： C30B19/00 , C30B11/003 , C30B11/005 , C30B11/006 , C30B13/06 , C30B13/22 , C30B29/04 , C30B29/60 , C30B31/04 , G06N10/00 , H01L29/122 , H01L29/1602
摘要： Using processes disclosed herein, materials and structures are created and used. For example, processes can include melting amorphous carbon doped with nitrogen and carbon-13 into an undercooled state followed by quenching. Materials disclosed herein may include dopants in concentrations exceeding thermodynamic solubility limits.
摘要翻译：使用这里公开的工艺，创建和使用材料和结构。例如，工艺可以包括将掺杂有氮和碳-13的无定形碳熔融成过冷状态，然后淬火。本文公开的材料可以包括浓度超过热力学溶解度极限的掺杂剂。

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