会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明申请
    • ノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜
    • NOVOLAC型含酚羟基含羟基树脂和耐腐蚀膜
    • WO2016185865A1
    • 2016-11-24
    • PCT/JP2016/062614
    • 2016-04-21
    • DIC株式会社
    • 今田 知之佐藤 勇介
    • C08G8/20C07C39/15
    • C08G8/20C07C39/16G03F7/039
    • 現像性、耐熱性及び基板追従性に優れるノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂及びレジスト膜を提供すること。下記構造式(1) [式中、Arは下記構造式(Ar-1)又は(Ar-2) で表されるフェノール性水酸基含有化合物(A)、下記構造式(2)[式中R 3 は炭素原子数4~20の脂肪族炭化水素基であり、jは1~3の整数である。] で表されるフェノール性水酸基含有化合物(B)及びアルデヒド化合物(C)を必須の反応成分とする重縮合物であることを特徴とするノボラック型フェノール性水酸基含有樹脂。
    • 本发明的目的是提供:具有优异的显影性,耐热性和对基材的随动性的酚醛清漆型含酚羟基的树脂; 和抗蚀膜。 一种酚醛清漆型含酚羟基的树脂,其特征在于其主要反应成分为由结构式(1)表示的含酚羟基的化合物(A)的缩聚产物[其中Ar表示基团 由结构式(Ar-1)或(Ar-2)表示),由结构式(2)表示的含酚羟基的化合物(B)[其中,R 3表示碳原子数4〜20的脂肪族烃基 ; 和j表示1〜3的整数]和醛化合物(C)。
    • 2. 发明申请
    • ノボラック型フェノール樹脂、その製造方法、感光性組成物、レジスト材料、及び塗膜
    • NOVOLAC型酚醛树脂,其制造方法,感光性组合物,耐腐蚀材料和涂膜
    • WO2016084495A1
    • 2016-06-02
    • PCT/JP2015/078595
    • 2015-10-08
    • DIC株式会社
    • 今田 知之佐藤 勇介
    • C08G8/20G03F7/023
    • C08G8/20C07C39/15C08L61/12C08L2205/025G03F7/0236G03F7/039
    •  耐熱性に優れており、かつg線、h線、及びi線の露光波長に対する吸光度が低く、高感度な感光性組成物、レジスト材料、その塗膜、及びこれらの用途に好適なノボラック型フェノール樹脂とその製造方法を提供する。具体的には、ジアルキル置換フェノールと水酸基含有芳香族アルデヒドとの縮合反応により得られるフェノール系3核体化合物(A1)と、2,3位、2,5位、3,4位、又は3,5位の位置にアルキル基を有するジアルキル置換フェノールと水酸基を有さない芳香族アルデヒドとの縮合反応により得られるフェノール系3核体化合物(A2)とからなり、かつ前記フェノール系3核体化合物(A1)と前記フェノール系3核体化合物(A2)のモル比が20:80~90:10であるフェノール系3核体化合物(A)と、ホルムアルデヒドとを、酸触媒下で反応させて得られたことを特徴とする、ノボラック型フェノール樹脂を提供するものである。
    • 提供:耐热性优异,g射线吸收率低,h射线和i射线曝光波长以及高灵敏度的感光性组合物。 抗蚀材料; 其涂膜; 和适用于此类应用的酚醛清漆型酚醛树脂; 及其制造方法。 具体地,提供一种酚醛清漆型酚醛树脂,其特征在于,在酸催化剂存在下,通过使酚类三核化合物(A)和甲醛反应获得酚醛清漆型酚醛树脂。 酚类三核化合物(A)包括:通过二烷基取代的苯酚和含羟基的芳族醛的缩合反应得到的酚类三核化合物(A1) 和通过在2位和3位,3位,3位,4位或3位和5位具有烷基的二烷基取代的苯酚的缩合反应获得的酚类三核化合物(A2)和不具有 羟基。 酚类三核化合物(A1)和酚类三核化合物(A2)的摩尔比为20:80〜90:10。
    • 9. 发明申请
    • ポリヒドロキシベンゼンノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
    • 含有聚羟基苯乙烯NOVOLAC树脂的耐下层膜成膜组合物
    • WO2012176767A1
    • 2012-12-27
    • PCT/JP2012/065625
    • 2012-06-19
    • 日産化学工業株式会社柄澤 涼新城 徹也橋本 圭祐染谷 安信
    • 柄澤 涼新城 徹也橋本 圭祐染谷 安信
    • G03F7/11C08G8/20H01L21/027
    • G03F7/091C08G8/20C08G8/22G03F7/094
    • 【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性及びパターンの曲がり耐性を備えたレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】式(1): (式(1)中、Aはポリヒドロキシベンゼンに由来するヒドロキシ基置換フェニレン基であり、Bは2乃至6個のベンゼン環が縮合した1価の縮合芳香族炭化水素環基である。)の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。Aがカテコール、レソルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、ヒドロキシキノール、又はフロログルシノールに由来するヒドロキシ基置換フェニレン基である。Bの縮合芳香族炭化水素環基がナフタレン環基、アントラセン環基、又はピレン環基である。Bの縮合芳香族炭化水素環基がハロゲン基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、ニトリル基、又はこれらの組み合わせを置換基として有する。
    • [问题]提供一种抗蚀剂下层膜成膜组合物,其具有在制造半导体器件的光刻工艺中使用所需的耐热性和图案抗弯曲性。 [解决方案]用于光刻的抗蚀剂下层膜成膜组合物,其含有具有由式(1)表示的单元结构的聚合物。 (式(1)中,A表示衍生自多羟基苯的羟基取代亚苯基,B表示2〜6个苯环稠合的一价稠合芳香族烃环基。)就此而言,A为 衍生自邻苯二酚,间苯二酚,氢醌,连苯三酚,羟基喹啉或间苯三酚的羟基取代亚苯基; 由B表示的稠合芳香族烃环基是萘环基,蒽环基或芘环基; 由B表示的稠合芳香族烃环基包括卤素基,羟基,硝基,氨基,羧基,羧酸酯基,腈基或作为取代基的组合 这些组中的两个或多个。