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1. 发明申请

WO2012176767A1 ポリヒドロキシベンゼンノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有聚羟基苯乙烯NOVOLAC树脂的耐下层膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2012176767A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2012/065625
申请日：2012-06-19
申请人：日産化学工業株式会社 , 柄澤涼 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 染谷安信
发明人：柄澤　涼 , 新城　徹也 , 橋本　圭祐 , 染谷　安信
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G8/20 , C08G8/22 , G03F7/094
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性及びパターンの曲がり耐性を備えたレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】式（１）：（式（１）中、Ａはポリヒドロキシベンゼンに由来するヒドロキシ基置換フェニレン基であり、Ｂは２乃至６個のベンゼン環が縮合した１価の縮合芳香族炭化水素環基である。）の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。Ａがカテコール、レソルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、ヒドロキシキノール、又はフロログルシノールに由来するヒドロキシ基置換フェニレン基である。Ｂの縮合芳香族炭化水素環基がナフタレン環基、アントラセン環基、又はピレン環基である。Ｂの縮合芳香族炭化水素環基がハロゲン基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、ニトリル基、又はこれらの組み合わせを置換基として有する。
摘要翻译： [问题]提供一种抗蚀剂下层膜成膜组合物，其具有在制造半导体器件的光刻工艺中使用所需的耐热性和图案抗弯曲性。 [解决方案]用于光刻的抗蚀剂下层膜成膜组合物，其含有具有由式（1）表示的单元结构的聚合物。（式（1）中，A表示衍生自多羟基苯的羟基取代亚苯基，B表示2〜6个苯环稠合的一价稠合芳香族烃环基。）就此而言，A为衍生自邻苯二酚，间苯二酚，氢醌，连苯三酚，羟基喹啉或间苯三酚的羟基取代亚苯基; 由B表示的稠合芳香族烃环基是萘环基，蒽环基或芘环基; 由B表示的稠合芳香族烃环基包括卤素基，羟基，硝基，氨基，羧基，羧酸酯基，腈基或作为取代基的组合这些组中的两个或多个。

2. 发明申请

WO2012161126A1 アクリルアミド構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用有機ハードマスク層形成用組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有丙烯酰胺结构的聚合物的地层的有机硬掩模层的组合物
公开(公告)号：WO2012161126A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/JP2012/062827
申请日：2012-05-18
申请人：日産化学工業株式会社 , 染谷安信 , 臼井友輝 , 加藤雅一 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 柄澤涼
发明人：染谷　安信 , 臼井　友輝 , 加藤　雅一 , 新城　徹也 , 橋本　圭祐 , 柄澤　涼
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要：【課題】　従来除去の際アッシングを用いていたのに対して、アルカリ水溶液により除去可能であるため、除去の際に基板へのダメージを小さくすることが期待できる有機ハードマスク層材料を提供すること。【解決手段】　下記式（１）で表される構造単位と下記式（２）で表される構造単位とを含むポリマー（Ａ）、ブロックイソシアネート基、メチロール基又は炭素原子数１乃至５のアルコキシメチル基を少なくとも２つ有する架橋性化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）を含む有機ハードマスク層形成用組成物であって、該有機ハードマスク層形成用組成物から得られる有機ハードマスク層は多層膜を用いたリソグラフィープロセスで最下層に用いられるものである該組成物。（式中、Ｒ１乃至Ｒ４、Ｙ及びＸの定義は、明細書に記載の通りである。）
摘要翻译： [问题]提供可以使用碱性水溶液除去的有机硬掩模层材料，而在去除时通常使用灰化，因此可以预期在去除时对基材的损伤降低。 [溶液]用于形成有机硬掩模层的组合物，包含（A）含有由式（1）表示的结构单元的聚合物和由式（2）表示的结构单元，（B）可交联的化合物，其具有至少两组封端异氰酸酯基，羟甲基或具有1-5个碳原子的烷氧基甲基，和（C）溶剂，其中由用于形成有机硬掩模层的组合物获得的有机硬掩模层用作最下面在使用多层膜的光刻工艺中。在式（1）和（2）中，R 1至R 4以及Y和X的定义如说明书所述。

3. 发明申请

WO2012077640A1 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含羟基基团的卡巴唑诺瓦拉树脂的耐下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2012077640A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/JP2011/078088
申请日：2011-12-05
申请人：日産化学工業株式会社 , 新城徹也 , 奥山博明 , 橋本圭祐 , 染谷安信 , 柄澤涼 , 加藤雅一
发明人：新城　徹也 , 奥山　博明 , 橋本　圭祐 , 染谷　安信 , 柄澤　涼 , 加藤　雅一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性を備えたレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】　下記式（１）：で表される単位構造及び式（２）：で表される単位構造を含み、式（１）で表される単位構造と式（２）で表される単位構造をモル比で３～９７：９７～３の割合で含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程、パターン化されたレジスト膜に従いハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクに従い該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
摘要翻译： [问题]提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其具有适合用于制造半导体器件的光刻工艺中的耐热性。 [溶液]用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其含有由式（1）表示的单元结构的聚合物和由式（2）表示的单元结构以式（1）表示的单元结构的单元结构）与由3-97：97-3的式（2）表示的单元结构相同。一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：使用所述抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序; 在下层膜上形成硬掩模的步骤; 在硬掩模上形成抗蚀剂膜的步骤; 通过光或电子束的照射和显影形成图案化的抗蚀剂膜的步骤; 根据图案化的抗蚀剂膜蚀刻硬掩模的步骤; 根据图案化的硬掩模蚀刻下层膜的步骤; 以及根据图案化的下层膜来处理半导体衬底的步骤。

4. 发明申请

WO2013005797A1 脂環式骨格含有カルバゾール樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有含烯烃的卡巴唑树脂的耐下层膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2013005797A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/JP2012/067201
申请日：2012-07-05
申请人：日産化学工業株式会社 , 新城徹也 , 染谷安信 , 橋本圭祐 , 柄澤涼
发明人：新城　徹也 , 染谷　安信 , 橋本　圭祐 , 柄澤　涼
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08F26/12 , C08F226/06 , C08G61/124 , C08G2261/3241 , C08G2261/3325 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/30604
摘要：【課題】　ｎ値が高くｋ値が低く、珪素含有中間層と組み合わせて用いる３層プロセスにおいて基板からの波長１９３ｎｍの光の反射を効果的に低減できるリソグラフィープロセスに用いられるレジスト下層膜を提供する。【解決手段】　縮合ヘテロ環化合物とビシクロ環化合物との反応物を含む単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー工程に用いるレジスト下層膜形成組成物。縮合ヘテロ環化合物がカルバゾール、又は置換カルバゾールである。ビシクロ環化合物がジシクロペンタジエン、置換ジシクロペンタジエン、テトラシクロ［４．４．０．１ 2,5 ．１ 7,10 ］ドデカ－３，８－ジエン、又は置換テトラシクロ［４．４．０．１ 2,5 ．１ 7,10 ］ドデカ－３，８－ジエンである。
摘要翻译： [问题]提供一种用于光刻工艺中的抗蚀剂下层膜，其具有高n值和低k值，并且能够有效地减少三层波长为193nm的光从衬底的反射其中抗蚀剂下层膜与含硅中间层组合使用。 [解决方案]用于光刻工艺中的抗蚀剂下层膜形成组合物，其包含具有包含稠合杂环化合物和双环化合物的反应产物的单元结构的聚合物。稠合杂环化合物是咔唑或取代的咔唑。双环环化合物是二环戊二烯，取代的二环戊二烯，四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3,8-二烯或取代的四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3,8-二烯。

5. 发明申请

WO2012050064A1 ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：包含聚醚结构的树脂的层压膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2012050064A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/JP2011/073233
申请日：2011-10-07
申请人：日産化学工業株式会社 , 奥山博明 , 染谷安信 , 加藤雅一 , 新城徹也 , 橋本圭祐
发明人：奥山　博明 , 染谷　安信 , 加藤　雅一 , 新城　徹也 , 橋本　圭祐
IPC分类号： G03F7/11 , C08G65/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G65/4006 , C08G65/4012 , C08G2650/40 , C08L71/00 , C09D171/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/2059 , G03F7/32 , H01L21/308 , H01L21/3086 , Y10T428/31942
摘要：【課題】　耐熱性を有し、且つハードマスク特性を有するレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】　下記式（１）：（式（１）中、Ａｒ１は炭素数６乃至５０のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表す。）で表される単位構造、下記式（２）：（ただし、式（２）中、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＡｒ４はそれぞれ炭素数６乃至５０のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表し、Ｔはカルボニル基またはスルホニル基を表す。）で表される単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。上記Ａｒ１及びＡｒ２のアリーレン基を含む有機基が、フルオレン構造を含む有機基である。
摘要翻译： [问题]提供一种形成具有耐热性和硬掩模特性的抗蚀剂底层的抗蚀剂下层膜形成化合物。 [解决方案]包含由式（1）表示的单元结构的聚合物（其中Ar1表示包含C6-C50亚芳基或杂环基的有机基团）的单元结构的平版印刷抗蚀剂下层膜形成性化合物，以式（2）（其中Ar2，Ar3和Ar4各自表示包含C6-C50亚芳基或杂环基的有机基团，T表示羰基或磺酰基）或这些单元结构的组合。含有亚芳基的有机基团Ar1和Ar2是包含芴结构的有机基团。

6. 发明申请

WO2012020665A1 芳香族ポリエーテル誘導体を含有する接着剤組成物审中-公开
标题翻译：包含芳族聚醚衍生物的粘合剂组合物
公开(公告)号：WO2012020665A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/JP2011/067677
申请日：2011-08-02
申请人：日産化学工業株式会社 , 田村護 , 染谷安信 , 荻野浩司 , 榎本智之
发明人：田村　護 , 染谷　安信 , 荻野浩司 , 榎本　智之
IPC分类号： C09J171/12 , B32B27/00 , C08G65/40 , H01L21/52
CPC分类号： C09J171/00 , C08G65/40 , C08G2650/40 , C09J181/06
摘要：【課題】　種々の有機溶媒に容易に溶解して、塗布性良く十分な厚さの接着層を形成することが可能で、且つその接着層がメタルバンプ接合、ＣＶＤ、イオン拡散工程などの高温プロセスにおいて熱重量減が極めて少なく、密着性が良好な高耐熱性接着剤組成物を提供する。【解決手段】　下記式（１）：（式中、Ｘはスルホニル基又はカルボニル基を表し、Ａｒ 1 及びＡｒ 2 はそれぞれ炭素原子数６乃至３０のアリーレン基を表し、Ｔ 1 はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基、置換基を有するアリーレン基、又は置換基を有していても良いアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせを表す。）で表される単位構造を含むポリマーを含む接着剤組成物。アリーレン基がフェニレン基、ナフチレン基、又はアントリレン基である。ポリマーが１種類の単位構造を有する単独重合体であるか、又は少なくとも２種類の単位構造を有する共重合体である。
摘要翻译： [问题]提供一种高度热稳定的粘合剂组合物，其易于溶解到各种有机溶剂中，并且能够形成具有足够厚度和优异涂布性能的粘合剂层，其中粘合剂层在诸如金属的热处理中具有极小的热重量损失凸块接合，CVD，离子扩散工艺等，并且具有优异的附着力。 [溶液]包含具有由通式（1）表示的单元结构的聚合物的粘合剂组合物。（式中，X表示磺酰基或羰基，Ar 1和Ar 2表示碳原子数为3〜30的亚芳基，T1表示氟代亚烷基，环状亚烷基，取代亚芳基或任意取代的亚芳基亚芳基和氟代亚烷基或环状亚烷基。）亚芳基是亚苯基，亚萘基或亚蒽基。聚合物是具有一种单元结构的均聚物或具有至少两种类型的单元结构的共聚物。

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