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    • 6. 发明申请
    • リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びその製造方法、パターン形成方法、樹脂、並びに精製方法
    • 用于形成用于成像的底层膜的组合物,用于形成用于岩石的底层膜的组合物及其生产方法,图案形成方法,树脂和纯化方法
    • WO2017038645A1
    • 2017-03-09
    • PCT/JP2016/074867
    • 2016-08-25
    • 三菱瓦斯化学株式会社
    • 樋田 匠牧野嶋 高史佐藤 隆越後 雅敏
    • G03F7/11C07D311/78G03F7/26H01L21/027
    • C07D311/78G03F7/11G03F7/26H01L21/027
    • 本実施形態は、下記式(1)で表される化合物又は下記式(1)で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂の少なくともいずれかを含有する、リソグラフィー用下層膜形成材料、を提供する。(式(1)中、R 1 は、炭素数1~60の2n価の基又は単結合であり、R 2 は各々独立して、ハロゲン原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数1~30のアルコキシ基、チオール基、水酸基又は水酸基の水素原子が酸解離性基で置換された基であり、同一のナフタレン環又はベンゼン環において同一であっても異なっていてもよく、ここで、R 2 の少なくとも1つは水酸基の水素原子が酸解離性基で置換された基であり、nは1~4の整数であり、nが2以上の整数の場合、n個の[ ]内の構造単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、Xは酸素原子、硫黄原子又は無架橋であることを表し、m 2 は各々独立して0~7の整数であり、但し、少なくとも1つのm 2 は1~7の整数であり、qは各々独立して0又は1である。)
    • 本实施方案提供了用于形成光刻用下层膜的材料,其含有式(1)表示的化合物和/或包含来源于式(1)所示化合物的结构单元的树脂。 (式(1)中,R 1表示单键或碳原子数为1〜60的2价基团,各自独立地表示卤素原子,具有1-10个碳原子的直链状,支链状或环状的烷基 原子;具有6-10个碳原子的芳基;具有2-10个碳原子的烯基;具有1-30个碳原子的烷氧基;硫醇基;羟基;或通过用酸解离基团 对于羟基中的氢原子,每个R 2在相同的萘环或苯环中可以不同或相同,至少一个R 2是通过用酸解离基取代羟基中的氢原子获得的基团,n表示 当n为2以上的整数时,方括号内的n个结构单元的结构式可以相同或不同,X表示氧原子,硫原子 ,或没有交联,每个m2独立地表示整数 er为0-7,但至少一个m2为1-7的整数,各q独立地表示0或1)