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    • 4. 发明申请
    • 複合成形体の製造方法
    • 复合成型体生产方法
    • WO2014156988A1
    • 2014-10-02
    • PCT/JP2014/057836
    • 2014-03-20
    • ダイセルポリマー株式会社株式会社ダイセル
    • 池田大次
    • B29C45/14B23K26/00B29L9/00
    • B23K26/0622B23K26/0093B23K26/082B23K26/364B23K26/40B23K2203/05B23K2203/10B23K2203/12B23K2203/15B23K2203/16B23K2203/18B23K2203/42B23K2203/50B29C45/14311B29C2045/14868B29K2705/00
    •  接合強度を高めることができる複合成形体の製造方法の提供。金属成形体と樹脂成形体が接合された複合成形体の製造方法であって、前記金属成形体の接合面に対して、レーザースポット径10~200μmの範囲のレーザー光を照射して溝を形成し、直径が20~1000μmの円形またはそれと同面積範囲の一つの領域を形成する工程であり、1スキャンによりレーザー照射の開始点と終点が繋がるようにして溝を形成し、これを複数スキャン繰り返して溝で囲まれた一つの領域を形成する第1工程、 前記第1工程を繰り返して、溝で囲まれた複数の領域を形成する第2工程、 前記溝で囲まれた領域が形成された金属成形体の接合面を含む部分を金型内に配置して、前記樹脂成形体となる樹脂インサート成形する第3工程を有している、複合成形体の製造方法。
    • 提供一种能够提高粘合强度的复合成形体的制造方法。 将金属成型体和树脂成型体粘接在一起的复合成型体的复合成型体制造方法是通过具有激光光斑的激光束照射金属成形体的粘合面的工序 形成10-200μm的直径,形成直径为20-1000μm的环,或表面积范围相似的区域。 复合成形体的制造方法包括:第一扫描形成使激光照射开始点和终点相连的凹槽的第一步骤,并且多个重复扫描形成由凹槽包围的区域; 重复第一步骤以形成由凹槽包围的多个区域的第二步骤; 以及第三步骤,其中包括形成有由凹槽包围的区域的粘合表面的成型体部分位于金属模具的内部,并且将成为树脂模制体的树脂进行嵌件成型。
    • 7. 发明申请
    • 金属積層材の製造方法
    • 生产金属层压材料的方法
    • WO2015152040A1
    • 2015-10-08
    • PCT/JP2015/059593
    • 2015-03-27
    • 東洋鋼鈑株式会社
    • 南部 光司黒川 哲平神代 貴史岡山 浩直
    • B23K20/00B32B15/01
    • B23K20/2275B23K20/002B23K20/023B23K20/04B23K20/16B23K20/24B23K35/0238B23K2203/02B23K2203/05B23K2203/08B23K2203/10B23K2203/14B23K2203/15B23K2203/166B23K2203/18B23K2203/20B23K2203/26B32B15/01B32B15/012B32B15/043B32B15/18B32B15/20C23F4/04H01J37/34
    •  十分な接合力を維持しつつ、より生産効率に優れた金属積層材の製造方法を提供することを目的とする。 それぞれM1及びM2の材質からなる2つの板を接合することによって金属積層材を製造する方法であって、M1及びM2がそれぞれ、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Nb、Mo、Pd、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb及びBiよりなる群から選択されるいずれか一種以上を含む金属又は合金であり、2つの板の接合する面に対し、表層の酸化膜が残存するように真空中での不活性ガスイオンによるスパッタ処理を施す工程と、ロール圧接により2つの板を仮接合する工程と、熱処理を行い、2つの板を接合する工程と、を含み、M1の融点がTm1(K)であり、M2の融点がTm2(K)であり、Tm1>Tm2としたとき、熱処理の温度が0.45Tm2以上0.45Tm1未満(ただし、Tm2は超えない)であることを特徴とする。
    • 本发明的目的是提供一种生产效率高的金属层压材料的制造方法,同时保持足够的粘结强度。 本发明公开了一种金属层压材料的制造方法,其特征在于,通过将两片分别由材料M1和M2制成的板接合而制造金属层压材料,其中:M1和M2各自为金属或含有至少一种选自Mg, Al,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Nb,Mo,Pd,Ag,In,Sn,Hf,Ta,W,Pb和Bi; 该方法包括以下步骤:在真空中通过惰性气体离子对两块板进行接合的表面进行溅射处理,使表面层上的氧化膜残留,通过辊接临时粘接两块板的步骤, 以及通过加热来接合两块板的步骤; 如果M1的熔点为Tm1(K),则M2的熔点为Tm2(K),Tm1> Tm2,热处理温度高于或等于0.45Tm2,低于0.45Tm1( 并不超过Tm2)。