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    • 6. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ÜBERWACHUNG EINES CVD-PROZESSES
    • 方法和仪器监测CVD工艺
    • WO2003033763A1
    • 2003-04-24
    • PCT/EP2002/011037
    • 2002-10-02
    • AIXTRON AGHEUKEN, MichaelBODE, MatthiasPFEIL, MichaelSCHMITT, Jürgen
    • HEUKEN, MichaelBODE, MatthiasPFEIL, MichaelSCHMITT, Jürgen
    • C23C16/52
    • H01L22/20C23C16/52H01L2924/0002H01L2924/00
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten mindestens eines Substrates (4) mit ein oder mehreren Schichten in einer Prozesskammer (1) insbesondere einer CVD-Anlage, wobei Ausgangsstoffe insbesondere in Form von metallorganischen Reaktionsgasen massenflussgeregelt in die Prozesskammer (1) eingeleitet werden, wo die Ausgangsstoffe oder Reaktionsprodukte derselben auf dem von einem temperaturgeregelten Substrathalter (2) getragenen Substrat (4) schichtbildend abgeschieden werden, wo während eines Beschichtungszyklusses, der mit dem Beladen der Prozesskammer (1) mit den ein oder mehreren Substraten beginnt und mit der Entnahme derselben endet, entsprechend einer vorgegebenen Rezeptur, die Soll-Werte der Prozessparameter (18) wie Massenflüsse der Ausgangsstoffe und Temperatur des Substrathalters eingestellt werden, wobei während des Beschichtungszyk1usses in Intervallen die zu den Soll-Werten der Prozessparameter zugehörigen Ist-Werte zu jedem Substrat individualisiert ermittelt und in einem Speicher abgelegt werden, wobei während des Beschichtungszyklusses oder nach jedem Beschichtungszyklus oder nach ein oder mehreren darauffolgenden Bearbeitungsschritten an der Schicht oder an einem aus mehreren Schichten bestehenden Schichtsystem charakteristische Schichteigenschaften (21) wie Schichtdicke, Schichtzusammensetzung ermittelt werden und den individualisierten Daten des zugehörigen Substrates zugeordnet abgespeichert werden, wobei die gewonnen Ist-Werte und die ermittelten Schichteigenschaften einer Vielzahl von mit der gleichen Rezeptur abgeschiedener Schichten in Korrelation gebracht und Korrelations-Werte erzeugt werden.
    • 本发明涉及一种用于涂覆至少一个基板4在一个处理室1的一个或多个层的方法,特别是CVD装置,其中,所述起始原料尤其是在有机金属反应气体质量流量调节的形式被引入到处理室1中,起始材料,其中或其反应产物在 通过温度控制的衬底保持器2基板4被沉积以形成层进行,其中,在涂覆周期,这与处理腔室1,一个或多个基底和去除同一端的加载的开始,根据预定的配方,该过程参数18的目标值 如起始原料和衬底支架的温度的质量流量进行调整,关联到该过程的所需的值Beschichtungszyk1usses间隔期间所述可单独参数的实际值,以各基板被确定,并且在一个 被m个存储被存储,被在涂覆期间或每次涂覆周期之后或之后在该层的一个或多个后续处理步骤中或在多层涂层体系如涂层厚度,涂料组合物特性薄膜特性21确定,并且分配给相关联的基底存储在个性化数据 其中,产生所获得的实际值,并用相同的制剂沉积的层相关联的各种层的确定的属性和相关值。