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    • 2. 发明申请
    • EPITAXIAL WAFER AND A METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
    • 外延波形及其制造方法
    • WO2014086742A1
    • 2014-06-12
    • PCT/EP2013/075313
    • 2013-12-03
    • SILTRONIC AGINTEL CORPORATION
    • STORCK, PeterWERNER, NorbertVORDERWESTNER, MartinTOLCHINSKY, PeterYABLOK, Irwin
    • H01L21/20H01L21/223
    • H01L21/3225H01L21/02381H01L21/02532H01L21/0254H01L21/0257H01L21/02573H01L21/0262H01L21/3221H01L29/167
    • Epitaxial wafer, comprising a silicon substrate wafer having a first side and a second side, and a silicon epitaxial layer deposited on the first side of the silicon substrate wafer, and optionally one or more additional epitaxial layers on top of the silicon epitaxial layer, the silicon epitaxial layer being doped with nitrogen at a concentration of 1 x 10 16 atoms/cm 3 or more and 1 x 10 20 atoms/cm 3 or less, or at least one of the one or more additional epitaxial layers being doped with nitrogen at a concentration of 1 x 10 16 atoms/cm 3 or more and 1 x 10 20 atoms/cm 3 or less, or the silicon epitaxial layer and at least one of the one or more additional epitaxial layers being doped with nitrogen at a concentration of 1 x 10 16 atoms/cm 3 or more and 1 x 10 20 atoms/cm 3 or less. The epitaxial wafer is produced by depositing the silicon epitaxial layer or at least one of the one or more additional epitaxial layers, or the silicon epitaxial layer and at least one of the one or more additional epitaxial layers at a deposition temperature of 940°C or less through chemical vapor deposition in the presence of a deposition gas atmosphere containing one or more silicon precursor compounds and one or more nitrogen precursor compounds.
    • 包括具有第一侧和第二侧的硅衬底晶片和沉积在硅衬底晶片的第一侧上的硅外延层以及可选地在硅外延层的顶部上的一个或多个附加外延层的外延晶片, 硅外延层掺杂浓度为1×1016原子/厘米3以上且1×1020原子/厘米3以下的氮,或者所述一个或多个附加外延层中的至少一个掺杂浓度为1的氮 x 1016原子/ cm3以上且1×10 10原子/ cm 3以下,或者硅外延层,并且所述一个或多个另外的外延层中的至少一个掺杂有浓度为1×10 16原子/ cm 3以上的氮 和1×1020原子/ cm3以下。 通过在940℃的沉积温度下沉积硅外延层或一个或多个另外的外延层中的至少一个或者硅外延层和一个或多个另外的外延层中的至少一个来制造外延晶片,或 在含有一种或多种硅前体化合物和一种或多种氮前体化合物的沉积气体气氛的存在下,通过化学气相沉积较少。
    • 3. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SGOI- UND GEOI-HALBLEITERSTRUKTUREN
    • 工艺用于生产和SGOI-的GeOI半导体结构
    • WO2008071328A1
    • 2008-06-19
    • PCT/EP2007/010556
    • 2007-12-05
    • SILTRONIC AGVON AMMON, WilfriedSTORCK, Peter
    • VON AMMON, WilfriedSTORCK, Peter
    • H01L21/762
    • H01L21/76243
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer SGOI- oder einer GeOI-Halbleiterstruktur, umfassend: a) Bereitstellen eines Substrats aus monokristallinem Silicium; b) Abscheiden einer Germaniumschicht auf dem Substrat, welche wenigstens eine Atomlage Germanium umfasst; c) Implantation von Sauerstoff-Ionen in das mit einer Ge-Schicht versehene Substrat, wobei die Implantationsenergie größer oder gleich 1 eV und kleiner oder gleich 1 keV beträgt; d) thermische Behandlung des Sauerstoff implantierten Substrats bei einer Temperatur von größer oder gleich 600 °C und kleiner als 938 °C. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer SGOI-Halbleiterstruktur, bei der nach der Sauerstoff implantation eine Deckschicht aus monokristallinem Silicium abgeschieden wird und die thermische Behandlung des Sauerstoff implantierten Substrats bei Temperaturen von größer oder gleich 900 °C und kleiner oder 1300 °C erfolgt.
    • 本发明涉及一种用于制造的GeOI SGOI-或半导体结构的方法,包括:a)提供单晶硅基板; b)中沉积的衬底,其包括锗中的至少一个原子层上形成锗层; c)中注入氧离子进入层,设置有Ge衬底,注入能量为大于或等于1 eV和小于或等于1千电子伏; d)在大于或等于600℃且小于938℃的温度下氧气注入基板的热处理 本发明还涉及一种用于制造SGOI半导体结构,其中所述沉积在氧注入后的单晶硅顶层和在温度大于或等于900℃且小于或1300℃下进行在氧气注入基板的热处理 ,