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    • 1. 发明申请
    • HOCHLEISTUNGSGLASKERAMIK UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HOCHLEISTUNGSKERAMIK
    • 高效陶瓷及其制备方法高性能陶瓷
    • WO2011009544A1
    • 2011-01-27
    • PCT/EP2010/004250
    • 2010-07-13
    • SCHOTT AGGABEL, FalkRUDIGIER-VOIGT, EvelineHENN, ChristianLEROUX, RolandSTRENGE, LorenzDUDEK, Roland
    • GABEL, FalkRUDIGIER-VOIGT, EvelineHENN, ChristianLEROUX, RolandSTRENGE, LorenzDUDEK, Roland
    • C03C10/06C03C10/14
    • C03C10/0027Y10T428/24
    • Die Erfindung betrifft eine Hochleistungsglaskeramik und ein Verfahren zur Herstellung dieser Glaskeramik. Als Ausgangsmaterial wird ein Glas oder eine Glaskeramik genutzt, welche ein Lithium-Aluminium-Silikat (LAS) sein kann mit einer Zusammensetzung innerhalb der folgenden Grenzwerte in Gew.%: 60-73 SiO 2 , 15-25 Al 2 O 3 , 2,2-5 Li 2 O, 0-5 CaO+SrO+BaO, 0-5 TiO 2 , 0-5 ZrO 2 , >0-4 ZnO, 0-3 Sb 2 O 3 , >0-3 MgO, 0-3 SnO 2 , 0-9 P 2 O 5 , 0-1,5 As 2 O 3 , >0-1 Na 2 O, >0-0,5 K 2 O, >0-1,2 Na 2 O+K 2 O und 0-1 färbende Oxide. Der Grünkörper wird einer Temperaturbehandlung zur Keramisierung unterzogen: - Raumtemperatur-660° C mit Heizrate >15 K/min, z.B. innerhalb von 11 min mit 58 K/min; - bis etwa 20 min Verfahrenszeit langsame Reduzierung der Heizrate auf null; - 30 min konstant bei 790° C; - Aufheizung auf Maximaltemperatur (1080-1300° C) mit >10 K/min, z.B. 30 K/min; - keine Haltezeit bei der Maximaltemperatur; - Kühlung auf 400° C mit Kühlrate von 15-350 K/min; - Kühlung auf Raumtemperatur. Während der Temperung wird die Temperatur am Werkstück vorzugsweise durch Sensoren mit einer Reaktionszeit von weniger als 10 s registriert. Der Ofen regelt die Temperatur dementsprechend mit einer Reaktionszeit von maximal 10 s. Die so hergestellte LAS-Glaskeramik zeichnet sich im nicht nachbearbeiteten oder weiterverarbeiteten Zustand unter anderem durch eine hohe Stoßfestigkeit im Kugelfalltest von mehr als 15 cm (z.B. 56 ± 13 cm), eine Säurebeständigkeit gemäß DIN 12116 von 1 oder 2 (z.B. 1) und eine Temperaturunterschiedsfestigkeit (TUF) von über 700° C aus. Sie eignet sich u.a. als Ofenauskleidung, Ofenfenster, Herdplatte, chemisch resistentes Laborgefäß, Weißware, transluzenter Gegenstand mit UV-Schutz, etc.
    • 本发明涉及一种高性能的玻璃陶瓷和一种用于制造这种玻璃陶瓷的方法。 作为起始材料,玻璃或玻璃陶瓷被使用,其可以是锂 - 铝硅酸盐(LAS),其具有以重量%计:. 60-73的SiO 2,15-25氧化铝,的Li2O 2.2-5在下列范围内的组合物 ,0-5的CaO +的SrO + BaO的,0-5二氧化钛,氧化锆0-5,> 0-4的ZnO,0-3的Sb2O3,> 0-3的MgO 0-3的SnO 2,0-9 P2O5 0-1 5三氧化二砷,> 0-1的Na 2 O,> 0-0.5 K 2 O>的Na 2 O + K 2 O 0-1.2和0-1着色氧化物。 生坯进行热处理陶瓷化: - 室温-660℃加热速率> 15 K /分钟,例如 内11分钟到58 K /分钟; - 约20分钟缓慢的过程时间减少加热速率为零; - 30分钟恒定在790℃; - 加热至最高温度(1080至1300年℃)> 10 K /分钟,例如 30 K /分钟; - 在最高温度没有保持时间; - 在冷却至400℃,以15-350 K / min的冷却速率; - 冷却到室温。 在退火过程中,温度优选地由传感器与在工件的小于10秒的反应时间登记。 烘箱相应地控制温度,用10秒的最大响应时间。 以这种方式产生的LAS - 陶瓷是由高冲击强度,根据上述1或2 DIN 12116其特征在于,所述非后处理或加工的状态下,除其他事项外的超过15厘米(例如56±13厘米),耐酸性的落球试验(实施例1)和 大于700℃的(TUF)温差强度 这是合适的,除其他外, 如炉衬,熔炉窗,热板,耐化学性的实验室器皿,白色家电,具有防紫外线半透明的对象等
    • 9. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM AUFBRINGEN EINER ELEKTRISCHEN LEITFÄHIGEN TRANSPARENTEN BESCHICHTUNG AUF EIN SUBSTRAT
    • 方法和设备,用于施加导电性透明材料在基底上
    • WO2006029743A1
    • 2006-03-23
    • PCT/EP2005/009575
    • 2005-09-07
    • SCHOTT AGBAUER, StefanSCHULTZ, NicoHENN, ChristianANTON, Andrea
    • BAUER, StefanSCHULTZ, NicoHENN, ChristianANTON, Andrea
    • C23C16/511C23C16/455C23C16/40C23C16/52C23C16/08C23C16/18
    • C23C16/407C23C16/029C23C16/511C23C16/515H01J37/32192H01J2237/022
    • Es wird ein Plasma-Impuls-CVD-Verfahren (PICVD-Verfahren) zum Aufbringen einer elektrisch leitfähigen transparenten Beschichtung oder TCO-Beschichtung auf ein Substrat im Plasmaraum einer Reaktoreinrichtung beschrieben, in den über eine Mikrowellen-Einkopplungseinrichtung Mikrowellenpulse geeigneter Intensiät und Pulsdauer zur Erzeugung eines Plasmas eingekoppelt werden. Die Bildung einer elektrisch leitfähigen Beschichtung auf der Mikrowellen-Einkopplungseinrichtung wird hierbei erfindungsgemäß durch eine Schutzeinrichtung gezielt unterdrückt, da ansonsten durch zunehmende Abschwächung der Mikrowellen-Transmission die Plasmaintensität entsprechend verringert und die Bildung des Plasmas schliellich verhindert würde. Als Schutzeinrichtung zur Unterdrückung der Schichtbildung kann beipielsweise eine mikrowellendurchlässige Abdeck-, Abklebe- oder Abtrenneinrichtung zwischen dem Plasmaraum und der Mikrowellen-Einkopplungseinrichtung, wie beispielsweise eine Folie oder ein Klebeband, verwendet werden, die gegebenenfalls in bestimmten Zeitabständen gereinigt oder ausgetauscht wird. Es kann jedoch auch das Substrat selbst als Abdeck- oder Abtrenneinrichtung verwendet werden. Die unerwünschte Schichtbildung kann auch durch eine Steuerung der Gaszusammensetzung im Plasmaraum wirkungsvoll unterdrückt werden. Des weiteren kann auch die Mikrowellen­-Einkopplungseinrichtung und/oder die Schutzeinrichtung bis auf ein Temperaturniveau abgekühlt werden, bei dem im wesentlichen nur eine die Mikrowellen-Transmission nicht behindernde elektrisch nicht oder nur schlecht leitfähige Beschichtung abgeschieden wird. Es wird auch eine PICVD­-Reaktoreinrichtung zur Durchführuung dieses Verfahrens beschrieben.
    • 这是一个等离子体脉冲CVD工艺(PICVD处理)的导电的透明涂层或TCO涂料的应用描述在反应器装置的等离子体室中的基底,在所述一个上的微波耦合微波脉冲合适Intensiät和脉冲持续时间,以产生 等离子注入。 对微波耦合装置的导电涂层的形成是在这种情况下,根据由保护装置故意地抑制本发明中,因为否则通过增加微波传输的衰减相应地减少,等离子体强度,而且会schliellich防止等离子体的形成。 至于成膜抑制的保护装置可以是如在等离子体腔室和微波发射装置,其任选以特定时间间隔清洁或更换之间的膜或使用实施例的粘合带,一个微波传输封盖,Abklebe-或分离器。 然而,它可以被用来作为覆盖或分离,基底本身。 不希望的层的形成可以通过在等离子体空间中的气体组合物的控制来有效地抑制。 此外,微波耦合装置和/或保护装置可以用于到冷却的温度水平,其中基本上只有一个微波传输不会妨碍电非或难溶导电涂层沉积。 还描述了一种反应器PICVD用于Durchführuung此过程。